8月29日晚，天岳先進（688234.SH）發布半年度業績報告，報告顯示，2023年上半年，公司實現營業收入約4.38億元，同比增長172.38%，已經超過去年全年收入。更值得關注的是，在與英飛凌、博世等知名國際客戶簽訂長期合約後，天岳先進於8月再度斬獲新訂單，並且公司上海工廠5月實現交付，兩相結合，為天岳先進未來長期快速發展注入了強勁動能。
碳化矽襯底領先者，下游需求旺盛業績穩增
常見的半導體材料包括矽（Si）、鍺（Ge）等元素半導體及砷化鎵（GaAs）、 碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等化合物半導體材料。其中矽和鍺等元素半導體被稱為第一代半導體材料，以砷化鎵為代表的半導體材料被稱為第二代，以碳化矽、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料則被稱為第三代。
相較於前兩代，第三代半導體材料具備禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高、電子飽和漂移速率高等特點，可有效突破傳統矽基半導體器件及其材料的物理極限，開發出更適應高壓、高溫、高功率、高頻等條件的新一代半導體器件。
天岳先進是國內最早從事碳化矽半導體材料產業化的企業之一，公司主營碳化矽襯底的研發、生產和銷售，產品包括半絕緣型襯底和導電型襯底，其中半絕緣型襯底為公司優勢產品，據Yole 統計，公司絕緣型襯底市占率約30%，僅次於全球龍頭Wolfspeed 、II-VI。
作為半導體器件的支持基底，碳化矽襯底在電動汽車、新能源等領域的應用日益廣泛，伴隨著相關終端市場需求的快速增長，行業對碳化矽襯底需求呈現出持續旺盛的趨勢，天岳先進半絕緣型襯底收入規模因此持續增長。
另一方面，天岳先進也在積極擴大導電型襯底產能，導電型襯底作為碳化矽功率器件的核心原材料（占成本~50%）占據產業鏈制高點，市場需求廣闊但有效供給較稀缺。通過對產品結構的調整，天岳先進導電型產品產銷量提升取得了積極進展，公司已成為國際上少數幾家同時在導電型和半絕緣型碳化矽襯底產品領域均具有競爭力的企業。產品結構的調整進一步提振公司業績，自去年二季度以來，天岳先進已連續五個季度實現營業收入環比增長。
加碼研發成果顯著，技術實力獲國際巨頭認可
作為一家以技術為主導的第三代半導體材料公司，技術創新是天岳先進最核心的競爭力。公司擁有深厚的研發底蘊，同時也在不斷加大研發投入，穩固在國內碳化矽襯底的領先地位。
天岳先進董事長宗艷民及首席技術官高超都是享受國務院特殊津貼專家，在他們的帶領下，天岳先進先後攻克了原料提純、碳化矽材料生長及缺陷控制、襯底加工等一系列難題，掌握了碳化矽半導體材料產業化核心關鍵技術，實現 2-8英寸寬禁帶半導體材料研發或產業化，推進公司發展的同時為國產第三代半導體產業建設貢獻了重要力量。
隨著碳化矽襯底的不斷突破，天岳先進近年來研發投入不斷增加，今年上半年，公司繼續加大前沿技術布局，研發投入達到8,980.84 萬元，較去年同期增長69.02%。
得益於在技術上的不斷鑽研，公司研發與規模化生產形成了良好的正循環積累，一方面，公司工程化試驗數據為技術和良率的持續改進提供了關鍵支持，也是產品質量領先的關鍵因素；另一方面，公司在前瞻性技術發展方向做了全方位布局，較早開展了8英寸產品製備。
大尺寸是碳化矽襯底製備技術的重要發展方向，襯底尺寸越大，單位襯底可製造的晶片數量越多，單位晶片成本越低。襯底的尺寸越大，邊緣的浪費就越小，有利於進一步降低晶片的成本。
當前業內公司主要量產產品尺寸集中在 4 英寸及 6 英寸，但頭部企業已經開始集中攻克8英寸技術。2022年初，天岳先進公布了自主擴徑製備的高品質8英寸襯底，今年6月，公司首席技術官高超博士在SEMICON論壇上，公開了公司已採用液相法製備出了低缺陷的8英寸晶體，通過熱場、溶液設計和工藝創新突破了碳化矽單晶高質量生長介面控制和缺陷控制難題，尚屬業內首創，也代表了公司領先的技術實力。上半年，公司8英寸產品已開展客戶送樣驗證，並實現了小批量銷售，預期產銷規模將持續擴大。
在開展技術創新的同時，天岳先進也在積極推動智慧財產權保護和商業秘密保護。上半年，公司新申請專利15項，截至2023年6月底，公司已累計獲得境內發明專利授權152項，實用新型專利授權324項，境外發明專利授權12項，公司因此被授予山東省新材料領軍企業，濟南市優秀企業等榮譽稱號。
得益於過硬的技術實力，天岳先進獲得了國內外眾多客戶的信賴，並且逐步打入國際市場，先後與英飛凌、博世等等國際知名客戶簽訂長期合約，在電力電子、汽車電子領域開展了廣泛合作。
根據英飛凌的公開介紹，天岳先進將為其供應用於製造碳化矽半導體的高質量並且有競爭力的6英寸碳化矽襯底，第一階段將側重於6英寸碳化矽材料，但天岳先進也將助力英飛凌向8英寸碳化矽晶圓過渡。該協議的供應量預計將占到英飛凌長期需求量的兩位數份額。
而就在最近，天岳先進又與某客戶簽訂了一份框架採購協議，約定2024年至2026年向其銷售碳化矽產品，預計含稅銷售三年合計金額為80480.00萬元，其中包括預付款1億元，多份長期大單將為公司長期健康發展帶來更多確定性。
市場驅動SiC持續放量，完善產能布局鞏固領先地位
近年來，在政策與市場的雙重推動下，工業控制、智能電網、風力發電、航空航天、電動汽車、5G 基站、衛星通信等碳化矽主要的應用領域正處於迅速成長階段，進而帶動了碳化矽器件市場規模保持高速增長。
從市場規模來看，根據Yole數據預測，全球碳化矽功率器件市場規模將由2021年的10.90億美元增長至2027年的62.97億美元，期間年復合增長率為34%。按碳化矽襯底應用細分領域劃分，應用市場最大的是智能汽車領域，預計將由2021年的6.85億美元增長至2027年的49.86億美元，期間年復合增長率為39.2%，同時也是增速最快的細分領域。
為應對即將到來的訂單潮，國際上主要的碳化矽晶片供應商都在積極擴產。
英飛凌去年投下20億歐元，計劃在馬來西亞擴展寬禁帶半導體的產能，包括碳化矽和氮化鎵；5月，安森美高管表示，正考慮投資20億美元增加碳化矽晶片的產量；6月，Wolfspeed獲得20億美元融資，計劃用於擴建在美國已有的兩個碳化矽晶圓生產設施；另外，博世、德國晶圓代工廠X-FAB、SK集團近期也宣布了碳化矽相關業務進展。
為了更好地滿足下遊客戶的需求，保障長期訂單的交付，天岳先進也在積極優化產能布局。目前公司已形成山東濟南、上海臨港、山東濟寧碳化矽半導體材料生產基地。5月，公司新建的上海臨港智慧工廠開啟了產品交付，目前正處於產量的持續爬坡階段。交付儀式舉行當天，博世集團和英飛凌公司代表，以及來自法國、新加坡、台灣地區等國內外客戶出席儀式並參觀了新工廠。天岳先進表示，根據目前在手訂單及合作客戶需求情況預計，臨港工廠第一階段年 30 萬片導電型襯底的產能產量將提前實現，上海臨港工廠將成為公司導電型碳化矽襯底主要生產基地。
截至目前，臨港工廠尚未達產，臨港工廠的產量對公司2023年上半年的營收貢獻有限，而臨港工廠產量在2023年三、四季度將持續提升，這對公司全年的業績具有較強的支撐。此外，公司正在日本設立研發及銷售中心，致力於積極開拓海外市場。
總體來看，天岳先進作為國內最早同時布局導電型碳化矽襯底和半絕緣型碳化矽襯底產品的企業之一，在碳化矽襯底技術研發和產業化生產方面具有領先優勢。未來隨著產能的完善布局，在下游需求的催化下，公司將有望打開新的盈利空間，迎來長期持續增長的發展機會。