10月13日,存儲晶片概念股盤中拉升,好上好漲停,萬潤科技、雅創電子漲超5%,德明利、華海誠科、香農芯創、江波龍、佰維存儲等跟漲。消息面上,受三星等存儲原廠減產以及國內快閃記憶體龍頭存儲顆粒產能不足的影響,國內有存儲器下游龍頭快閃記憶體採購成本已上漲近20%,內存採購成本上漲約30%。
據新浪財經報道,從供應鏈上下游龍頭公司獨家獲悉,受三星等存儲原廠減產以及國內快閃記憶體龍頭存儲顆粒產能不足的影響,內存和快閃記憶體元器件採購成本逐步上漲。相較低位,國內有存儲器下游龍頭快閃記憶體採購成本已上漲近20%,內存採購成本上漲約30%。從今年四季度開始,存儲元器件成本上漲所帶來的影響將逐漸傳導至消費端,筆記本電腦、手機等終端產品可能面臨漲價局面。
此前,媒體報道稱,三星電子將下調平澤三廠(P3)投資規模,並大砍DRAM、NAND Flash擴產規模,其中NAND增設規模或降至原定三分之一水準,加上隨著三星持續轉換先進位程,設備更換期間帶來的自然減產效果預計也將擴大。
此外,三星計劃在今年第四季度將NAND Flash晶片價格調漲10%以上,且最快自10月開始漲價。
東海證券在研報《消費電子產業鏈需求提振,存儲晶片有望進入新一輪漲價周期》中指出,隨著主要存儲製造商的持續減產,市場去庫存效果已經顯現,原廠強勢拉漲的決心強烈,上遊資源供應明顯趨緊,NAND快閃記憶體價格將持續保持上漲態勢,而DRAM的復甦要稍微晚一些,預估將於今年Q4開始上漲,標誌著新一輪增長周期的開始。從Q4起存儲晶片市場或將迎來供不應求的局面,作為半導體產業應用面最廣、標準化程度最高的產品,有望推動半導體產業復甦。
政策方面,10月9日,工信部等六部門近日聯合印發《算力基礎設施高質量發展行動計劃》,計劃提出,到2025年,算力規模超過300 EFLOPS,智能算力占比達到35%,東西部算力平衡協調發展;鼓勵先進存儲技術的部署應用,實現存儲快閃記憶體化升級,進一步提升我國全快閃記憶體技術競爭力。
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