SK海力士執行長郭魯正（Kwak Noh-Jung）在SK AI高峰會發布主題演講，公開業界首款48G、16層HBM3E開發成果，並提到明年（2025年）初提供48 GB、16層HBM樣品，這也是業界容量最大、層數最多的產品。
郭魯正以「A New Journey in Next-Generation AI Memory: Beyond Hardware to Daily Life」（下一代AI內存新旅程：從硬體到日常生活）為題，表示過去內存存在於「個人」層面，數據是存儲在個人計算機或智慧型手機中，現在則通過雲計算服務和社交媒體渠道，高端到「連接」層面。未來隨著AI進一步發展，內存將擴大到「創意」和「體驗」層面。
SK海力士認為，構想「創意內存」（Creative Memory），如果沒有強大算力的下一代內存支持，是無法實現的。也因此，SK海力士在業界率先開發多款「世界第一」產品，並開始量產。
郭魯正預期16層HBM市場將從HBM4時代時開放，不過SK海力士為了確保技術穩定性，已開發出48GB、16層HBM3E，計劃明年初提供樣品給客戶。
16層HBM3E是運用先進的MR-MUF製程生產，SK海力士也同時開發混合鍵合（hybrid bonding）技術作為後備技術。與12層產品相比，16層產品的訓練性能提升18%、推理性能提升32%。
郭魯正指出，SK海力士計劃與全球頂尖代工廠合作，從HBM4基礎晶片（base die）采邏輯製程，為客戶提供最佳產品。此外，通過定製化HBM，將提供優化產品性能，反映客戶對容量、帶寬和功能的各種需求。
由於推動AI系統需要大幅增加伺服器內存容量，SK海力士正準備CXL Fabrics，通過連接各種內存實現高容量，同時開發超大容量的eSSD，以低功耗在更小空間內存儲更多數據。
同時，SK海力士也在開發內存時加入運算功能技術，克服「內存牆」（Memory Wall）問題。郭魯正認為，處理近內存（PNM）、內存處理（PIM）、運算存儲（Computational Storage）等技術是未來處理大量數據的必要技術，將改變下一代人工智慧系統結構的挑戰。
SK海力士也針對PC和數據中心開發LPCAMM2模塊、1 cnm製程的LPDDR5和LPDDR6，充分發揮低功耗和高性能產品的競爭優勢；同時準備推出PCIe第六代SSD、高容量QLC-based eSSD及UFS 5.0。
郭魯正強調，SK海力士目標成為「全堆棧/全方位AI內存供應商」（Full Stack AI Memory Provider），即在DRAM和NAND領域擁有完整AI內存產品陣容的供應商，將推出針對AI時代系統的「Optimal Innovation」，及具業界頂尖競爭力的「Beyond Best」產品，引領AI時代來臨。
（首圖來源：SK海力士）