為千層3D NAND Flash做準備，科林推新低溫介質蝕刻

半導體設備大廠科林研發Lam Research宣布，推出3D NAND Flash快閃記憶體第三代低溫介質蝕刻Lam Cyro 3.0，全球產品部高級副總裁Sesha Varadarajan表示Lam Cryo 3.0能實現千層堆棧3D NAND Flash。

科林低溫蝕刻用於超過500萬片晶片生產，最新技術更是3D NAND Flash重大技術突破。Lam Cyro 3.0能以埃米級精準度創建高深寬比（High Aspect Ratio）圖形特徵，降低環境影響，蝕刻速度是傳統介電兩倍多。

Lam Cryo 3.0幫客戶克服AI時代關鍵NAND Flash製造障礙，3D NAND Flash需從組件頂部至底部細長垂直孔道連接各層存儲單元，孔道構建時即使圖形特徵與目標輪廓僅原子級輕微誤差，也可能對產品電氣性能產生負面影響，可能影響良率。

為了解決問題，科林Lam Cryo 3.0結合高能密閉式等離子反應器、遠低於0℃ 溫度、新化學蝕刻物質，可蝕刻出深寬比達50:1、深度達10μm的信道，從頂到底特徵關鍵尺寸偏差不到0.1%。Lam Cryo 3.0蝕刻速度是傳統介電2.5倍，能耗降低40%，排放量更減少90%，為接下來高層數堆棧如千層堆棧3D NAND Flash準備優秀解決方案。

(首圖來源：科林研發)