長期以來，我國對晶片的進口額遠遠超過了石油。我國是晶片消耗大國，但晶片製造卻是我國長期以來被「卡脖子」的典型，很難做到高真正意義的自產自出，而主要的晶片進口依賴與美國，也正是這種原因，為打亂中國數字化快速發展的節奏，美國對我國的晶片產業頻頻出手。
華為事件、中芯事件就是很好的例子，美國對我國的晶片封鎖，一度讓國產高端晶片不能落地，甚至還引發了全球半導體缺芯潮，全球晶片價格飆升。也正是因為沒有了以前所謂的「科技無國界」，重新發展半導體也成了全球各國的首要任務，而作為嘗到「剔骨之痛」的我國，在國家相關免稅等優惠的政策下，也掀起了一股「造芯潮」。
又一國產黑馬出現
晶片業傳來好消息，又一國產黑馬出現，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司在江蘇汾湖高新區舉行8英寸矽基氮化鎵晶片量產儀式，成了全球首家實現8英寸矽基氮化鎵量產的企業。
關於英諾賽課，大家也許比較陌生，這是曾經在美國NASA工作了15年的數學博士駱薇薇回國創辦的典型的新材料高科技公司，致力於第三大半導體矽基氮化鎵研發與產業化，涉足於晶片設計、製造、測試、失效分析於一體，註冊資本27億，稱得上第三代半導體領域的巨頭企業，而如今能在矽基氮化鎵「新材料」方面實現量產，這是中國半導體領域的重要里程碑。
新材料已成為彎道超車的關鍵
在傳統晶片領域，台積電、三星已經實現了5nm工藝晶片的量產，並且兩者都在聚焦更先進的3nm、1nm工藝，但大家都知道，晶片製造工藝的提升越來越難，當進入1nm時傳統晶片就要頂到天花板，也正是因為這種原因，摩爾定律失效的說法也是越來越多，尋找新的材料取代傳統的矽基晶片，成了許多晶片企業彎道超車的關鍵，因為這是晶片性能提升的基石，也是超越摩爾定律相關技術的重點。
什麼是矽基氮化鎵？
英諾賽課研發的矽基氮化鎵晶圓，是第三代化合物半導體的代表材料，與矽基材料相比，矽基氮化鎵是以矽襯底，將矽與氮化鎵整合在一起的材料，加上氮化鎵具有更強的化學鍵，可以承受比矽基材料高出很多倍的電場而不會崩潰。
這也意味著電晶體之間的距離可以縮短十多倍，電晶體密度可以大幅增加，晶片的面積會更小，功耗更低，性能也更強，成本也非常低，這是晶片製造過程中取代傳統矽基晶片的良好方案。在學術界，由於矽和鎵之間的大晶格失配，把矽和氮化鎵整合在一起的難度非常大，但我國的科技企業做到了，並且打破了海外企業對我國在氮化鎵晶片領域的壟斷。
除此之外，光刻機領域，我國上海微電子28nm精度光刻機也將落地，7nm工藝晶片即也快要實現量產，配備國產自主研發的矽基氮化鎵晶圓，不難發現，國產晶片轉機已經出現！
中國將成為一個無法戰勝的對手
科技進步需要全球各國加大合作，沒有哪個國家能夠閉門造車，美國雖然在多領域領先全球，但很大一部分好歸功於中國人，中美競爭關係不斷升溫，排擠他們，許多中國人選擇了回國，並且全球正在經歷著一場百年一遇的大變革，美國的種種行為，也使得中國在許多領域將更早的主宰世界！
關於此事，大家怎麼看？