Rapidus宣布攜手東京大學和法國Leti研發1nm技術

原標題：Rapidus宣布攜手東京大學和法國Leti研發1nm技術

11月17日消息，據日經新聞報道，目標在2027年量產2nm晶片的日本晶圓代工廠商——Rapidus近日又宣布攜手東京大學和法國半導體研究機構Leti研發1nm等級晶片設計的基礎技術。

據了解，三方並將在2024年正式展開人才交流、技術共享，目標是運用Leti的半導體元件技術，建構提升自動駕駛、人工智慧（AI）不可或缺的1nm晶片產品供應機制。

今年10月，Rapidus、東大等日本國立大學以及理化學研究所參與的研究機構「最先進半導體技術中心（LSTC）」已經和Leti簽訂了考慮合作的備忘錄。LSTC和Leti的目標是確立1.4nm-1nm晶片研發所必要的基礎技術。

報道指出，在2nm晶片的量產上，Rapidus正和美國IBM、比利時半導體研發機構imec合作，且也考慮在1nm等級產品上和IBM進行合作。預計在2030年代以後普及的1nm產品運算性能將較2nm提高10%-20%。

資料顯示，Rapidus於2022年8月成立，由豐田、Sony、NTT、NEC、軟銀(Softbank)、電裝（Denso）、NAND Flash大廠鎧俠(Kioxia)、三菱UFJ等8家日企共同出資設立，出資額各為73億日圓，且日本政府也將提供700億日圓補助金、作為其研發預算。目標是在5年後的2027年開始量產2nm先進位程晶片。Rapidus計劃國產化的對象為使用於自動駕駛、人工智慧(AI)等用途的先進邏輯晶片。

今年2月底，Rapidus宣布將在日本北部島嶼北海道的千歲市建造一座2nm晶圓代工廠。Rapidus將基於IBM的2nm製程技術，研發「Rapidus版」製造技術，計劃2027年量產。而「Rapidus版」製造技術將會聚焦「高性能計算（HPC）」和「超低功耗（Ultra Low Power）」兩大方向。市場消息表示，Rapidus北海道2nm產線將分為三個或四個階段，稱為創新整合製造 (IIM)。IIM-1 階段將製造 2nm晶片，IIM-2 處理比2nm更先進位程。

今年9月初，Rapidus 2nm晶圓廠已經正式動工建設，目標是在 2025 年之前將其 2nm 晶圓廠建成並試生產，隨後在2027年量產2nm晶片。屆時，日本有望成為繼美國、中國台灣、韓國、愛爾蘭之後，成為全球第5個擁有導入EUV的晶片量產產線的地區。

編輯：芯智訊-林子