12月11日消息，根據日本兩大晶片製造商羅姆半導體（ROHM）和東芝電子設備與存儲公司上周五發布的聯合聲明透露，雙方在功率半導體製造和增加批量生產方面的合作計劃已得到日本經濟部的支持，雙方將共計獲得 1,294 億日元（9.02 億美元）的補貼，以支持其在日本國內的功率半導體的生產。
根據聲明顯示，羅姆和東芝將分別對碳化矽（SiC）和矽（Si）功率器件進行密集投資，有效增強其供應能力，並實現互補利用對方的生產能力。
其中，羅姆計劃將大部分投資（總計 19.9 億美元）將用於其主導的 SiC（碳化矽） 晶圓生產。東芝則計劃投入 6.84億美元開發更傳統的矽基功率晶片。羅姆和東芝兩家公司的總投資將達3883 億日元（26.7 億美元，其中包括補貼），將有助於日本擴大功率半導體產能。
羅姆表示：「我們專注於電力和模擬解決方案，通過滿足客戶對節能和產品小型化的需求來解決社會問題」，並加快實現無碳目標。SiC功率器件是節能的關鍵。自全球首次大規模生產SiC MOSFET以來，羅姆一直在不斷開發行業領先的技術。其中包括羅姆最新的第4代SiC MOSFET，它將被用於許多電動汽車和工業設備。作為其優先項目之一，羅姆正在致力於SiC業務，其中包括積極和持續的投資，以提高SiC的生產能力和滿足強勁的需求增長。
東芝電子設備與存儲公司也表示，過去多年來，其一直提供矽功率器件，主要用於汽車和工業市場，這有助於確保節能解決方案和設備小型化。該公司去年開始生產300毫米晶圓生產線，並正在加快投資，以提高產能和滿足強勁的需求增長。它還充分利用其在鐵路車輛應用方面培養的專業知識，推動了更廣泛的SiC功率器件的開發，特別是用於汽車、輸電和配電應用。
值得注意的是，羅姆已經宣布參與東芝的私有化，但這項投資並不是雙方製造業合作的起點。在半導體行業日益激烈的國際競爭下，羅姆和東芝電子設備與存儲公司一段時間以來一直在考慮在電力設備業務上進行合作，這導致了聯合應用。雙方將通過對SiC和Si功率器件的密集投資，在製造功率器件方面進行合作，分别致力於提升兩家公司的國際競爭力。兩家公司還將尋求為加強日本半導體供應鏈的彈性做出貢獻。
日本經濟再生大臣西村康稔在上周五的新聞發布會上也稱讚，LOMO和東芝的此次合作是鞏固日本半導體領導者地位的一步，並表示政府將計劃對本地生產進行類似投資。他表示：「國內功率半導體製造商之間的合作對於提高日本產業的國際競爭力至關重要。」
與標準矽功率器件相比，SiC晶片在更高電壓下往往效率更高。因此，SiC 組件越來越多地應用於電動汽車中大量使用的牽引逆變器和 DC-DC 逆變器。這種更高的效率對汽車製造商產生了連鎖反應，從而可以減輕重量、減少電池磨損並延長電動汽車的續航里程。
目前，美國、歐洲和日本的幾家晶片製造商集體宣布投資數十億美元建設新的碳化矽晶圓廠和研發設施，以增加國內供應。根據主要碳化矽元件生產商安森美半導體預計，到 2023 年，SiC 晶片的出貨量將超過 8 億美元，主要用於汽車市場，收入是去年的 4 倍。
與此同時，博世宣布收購美國晶片製造商TSI Semiconductor，以增強其在美洲的碳化矽供應鏈。雖然交易條款尚未披露，但博世已承諾向 TSI 羅斯維爾園區投資約 15 億美元。
意法半導體還透露了將 SiC 晶圓生產引入內部的計劃，據稱此舉將在本世紀末帶動 50 億美元的年收入。
當然，還有美國北卡羅來納州的 Wolfspeed，該公司獲得了12.5 億美元的融資，用於擴大其碳化矽和氮化鎵產能。
編輯：芯智訊-浪客劍