智芯研報 | 半導體行業深度報告:全球半導體格局演變

2019-12-16     智芯諮詢

從國內市場來看,總體產業空間巨大,細分領域競爭格局不同。

從量上看:產業鏈轉移趨勢明顯,產業規模國內增速超過全球平均;從價來看:產業規模擴大的同時,貿易逆差也在同步擴大;

總體來看:我國中高端自給率偏低,全球龍頭中缺乏中國公司身影。細分領域中亮點頻出,中間環節差距仍大。以華為海思為代表的IC 設計有望率先突破,「一大多小」是國內IC 設計現狀,EDA 和底層架構是未來兩大制約因素,未來輕資產屬性及工程師紅利是利好國內IC 設計的長期因素。晶圓代工方面,行業CR3 接近80%,設備與材料被國際先進企業壟斷,國內中芯國際目前最高技術水平在12-14nm 左右,今年隨高端光刻機順利投入產線,未來有望進一步提升技術水平。IC 封測國內通過併購崛起,已有三家企業進入世界前十,OSAT 成為主要生產模式,未來封裝先進技術是提升晶片效能的增量動力。

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一、三個維度觀測全球半導體格局演變

1、維度之一:從費半指數觀測全球半導體格局

費城半導體指數(SOX)的發展階段反應了全球半導體的走勢與興衰更替。費半指數涵蓋全球半導體設計、設備、製造、材料等方向,其走勢可以是衡量全球半導體行業景氣程度的主要指標。費城半導體指數發行於在1993年12月1日,是衡量半導體景氣度的重要指標之一。從費半指數長期歷史來看,簡單的可以將其劃分為三個大階段。

第一階段,PC與網際網路時代(1994-2009):指數總體呈現周期大於成長的走勢,有明顯的上下周期性波動。指數最高在2000年達到1362的階段性高點,但隨著網際網路泡沫的破滅,隨後出現了大幅下滑。技術進步的驅動力來自筆記本電腦以及寬頻網絡技術,由於處於網際網路初期階段,尚未有較多的統治級公司出現,行業經歷了快速的潮起潮落的過程。與此同時,培育誕生了諸多半導體龍頭,如三星,Intel,德州儀器等。

第二階段,移動網際網路時代(2009-2018):經歷08年全球經濟危機後,行業回歸長期成長。隨著全球半導體產業的充分發展,以及通信技術的快速疊代,指數在這一階段走出了近10年的長期增長,指數漲幅接近10倍。在這一階段,主要的驅動力來自移動網際網路通信技術的升級(4G),疊加智慧型手機市場的迅速擴大,全球半導體產值達到3000億美元以上。在之前微軟與英特爾形成的系統與晶片綁定的模式上,安卓與高通在移動端也形成了強大的聯盟。晶片產業鏈中的設計、晶圓製造、晶圓代工、設備、材料等均出現了具有壟斷性的公司。

第三階段,5G與AIOT時代(2018-):目前在半導體產業鏈各環節中,整體競爭格局相對穩定,集中度普遍較偏高,隨著摩爾定律的持續生效,龍頭技術壁壘愈發難以被打破。在此階段,費半指數也在持續創出新高,龍頭公司景氣度不減。目前處於移動網際網路與下一時代的交匯期,當前5G與AI提供的增長動力已經顯現,下游端可穿戴設備與物聯網已有一定的增長趨勢儲備了足夠的增長動能,疊加隨數字貨幣、區塊鏈等新技術對存儲器的增量需求加大,全球半導體產值已突破4000億元。未來隨人工智慧、物聯網、區塊鏈等技術應用進一步落地,半導體市場份額需求有望進一步增長提升。

費半成分股的選取標準為:1)、在納斯達克股票市場、紐約證券交易所、紐約證券交易所或CBOE交易所上市;2)、主營業務被歸類為設計、銷售、製造和銷售的半導體公司;3)、仍有至少1億美元的最低市值;4)、在過去6個月中,每股至少可交易150萬股。

從費半指數成分股看,全球半導體的核心資產仍集中在美國。為了保證費半指數能密切跟蹤半導體市場發展,成分股於每年9月進行評估,通過將符合標準的證券按照市值排名,將市值排列的前30名被成分股。

其中:半導體設計廠商17家:高通、博通、英偉達、AMD、賽靈思、邁威科技等;半導體設備廠商5家:應用材料、拉姆研究、阿斯麥、卡伯特微電子、克里科技;半導體製造廠商2家:台積電,科天半導體;IDM廠商6家:英特爾、美光、德州儀器、恩智浦、Qorvo、Skyworks。

從下游應用分布來看,以三星和高通為代表的廠商主要集中在手機和消費電子,以英特爾,博通,AMD為代表的主要集中在PC和通信端。

2、維度之二:從IDM到fabless+foundry,產業結構持續細化

當前半導體產業鏈中經營模式主要有三種,fabless與foundry是IDM產業細分的演化產物。當今全球半導體產業有三種商業模式:IDM(IntegratedDeviceManufacture,集成器件製造)是傳統的半導體模式,即從設計,到製造、封裝測試以及投向消費市場一條龍全包的企業,稱為IDM公司;Fabless模式專注半導體內部設計,是將製造過程剝離的結果,技術行業壁壘較相對最高,是晶片更新疊代的主要驅動力;Foundry模式專注於晶片的生產和製造,通常由精密製造產線支撐,而這種新模式出現的標誌是1987年台灣積體電路公司(TSMC)的成立。

三種模式各有優勢,未來產業鏈仍將持續細分。從費半指數成分股的角度來看,目前三種模式下呈現出設計公司占比高,IDM與foundry占比較少且集中度高的局面。從資本投入的角度看,晶片設計所投入的多為人力成本,固定成本較少,競爭門檻相對較低;而IDM與foundry均涉及晶片製造產線,固定資產投入是巨大的。隨著分工進一步細化,近年Fablite也趨於流行。Fablite模式由IDM演變而來,是企業為了減少投資風險,輕資產化的一種策略,IDM企業將部分製造業務轉為第三方代工,自身保留其餘製造業務。目前全球半導體業中Fablite模式盛行,大多數的IDM幾乎無一例外地執行這個策略。

3、維度之三:全球產業鏈三次遷移

半導體產業起步於上世紀50年代,在80年前後逐步形成市場規模。1947年貝爾實驗室採用鍺材料研製出了第一隻點接觸三極體,奠定了微電子工業的基礎,以電晶體的發明為標誌,IC產業誕生。60年代中期,仙童半導體將矽表面的氧化層做成絕緣薄膜,發展出擴散、掩膜、照相和光刻於一體的平面處理技術,並實現了集成電路的規模化生產。70年代「摩爾定律」得到同行業認可,相關產品性能快速翻倍。

隨著技術迅速提升,資本開支快速增加,垂直化分工是產業鏈轉移的主要原因。半導體行業因具有下游應用廣泛,生產技術工序多、產品種類多、技術更新換代快、投資高風險大等特點,疊加下游應用市場的不斷興起,半導體產業鏈從集成化到垂直化分工越來越明確,並經歷了兩次空間上的產業遷移。

遷移路徑由美國至日本再到韓國台灣,演化模式由垂直整合到系統化集成,再到垂直分工。起源美國:垂直整合模式1950s,主要由系統廠商主導。全球半導體產業的最初形態為垂直整合的運營模式,即企業內設有半導體產業所有的製造部門,僅用於滿足企業自身產品的需求。

轉移日本:系統集成IDM模式1970s,美國將裝配產業轉移到日本,半導體產業轉變為IDM(IntegratedDeviceManufacture,集成器件製造)模式,即負責從設計、製造到封裝測試所有的流程。與垂直整合模式不同,IDM企業的晶片產品是為了滿足其他系統廠商的需求。隨著家電產業與半導體產業相互促進發展,日本孵化了索尼、東芝等廠商。我國大部分分立器件生產企業也採用該類模式。

分工轉移韓國、台灣地區,代工模式1990s。隨著PC興起,存儲產業從美國轉向日本後又開始轉向了韓國,孕育出三星、海力士等廠商。同時,台灣積體電路公司成立後,開啟了晶圓代工(Foundry)模式,解決了要想設計晶片必須巨額投資晶圓製造產線的問題,拉開了垂直代工的序幕,無產線的設計公司(Fabless)紛紛成立,傳統IDM廠商英特爾、三星等紛紛加入晶圓代工行列,垂直分工模式逐漸成為主流,形成設計(Fabless)、製造(Foundry)、封測(OSAT)三大環節。

二、國內半導體產業空間巨大,自主可控是長期趨勢

1、自給率仍偏低,中高端核心技術仍有較大差距

中高端自給率偏低,全球排名中缺乏中國公司身影。貿易摩擦核心在於半導體技術,自主可控是唯一可行路徑。大陸半導體市場在龐大產業需求缺口刺激下產業投資和產出均表現快速增長,但核心技術仍需要長期積累。ICinsights數據顯示2019年上半年全球15大半導體公司全部為歐美、日韓和台灣公司,中國大陸沒有公司入圍。大陸作為全球最大市場卻沒有巨頭公司,表明大陸半導體產業進口替代空間巨大,同時也面臨很大的挑戰,行業落後是不爭的事實。

從19年排名來看,海思的排名不斷提升,從整體水平來看,國內公司尚未形成競爭力。從全球領先企業格局來看,從事存儲和邏輯電路的企業相對靠前,與半導體細分行業市場規模匹配。存儲以三星、SK海力士、美光為代表,邏輯電路以Intel、博通、高通為代表,晶圓代工以台積電為代表。在這15家半導體廠商中,包括5家美國公司,3家歐洲,3家韓國,2家日本,以及兩家中國台灣地區的廠商。這些廠商中,有10家是IDM,4家Fabless,1家晶圓代工廠。

總體而言,ICinsights預計2019年排名前15位的半導體公司的銷售額將比2018年下降15%,比預期的全球半導體行業總銷售額下降13%低2個百分點。其中營收波動最大的為SK海力士,2018年營收同比增長了41%,為去年15家中最高,2019年預計同比下降38%。

2、國內技術逐漸突破,部分細分領域發展進程加快

(1)IC設計有望率先突破,未來面臨兩大制約因素

IC設計少數企業形成突破,有望率先走向一線舞台。我們認為IC設計有望率先嶄露頭角,主要原因有:1、IC設計固定資產投資門檻相對較低,以人力成本降低;2、國內工程師紅利凸顯,設計人才充沛,人力成本降低;3、目前已有個別企業走向一線舞台,龍頭標榜效應明顯。根據相關上市公司財報披露,按照營收排名,華為海思目前已在晶片設計領域排名第五,2018年營收增速高達34.2%,在同行中排名第一。但總體來看,設計行業的核心技術仍然在美國,2018年美國占了全球IC設計份額的53%,中國占比為11%。目前大陸IC設計已具備趕超國際公司的能力,未來將湧入更多的公司。

「一大多小」是國內IC設計現狀,EDA和底層架構是未來兩大制約因素。國內IC設計企業從2015年起整體數量有了翻倍增長,呈現快速追趕態勢,整體營收規模也有了快速增長。值得注意的是,在大部分晶片細分領域,自給率仍然很低,除去華為海思的營收規模超過500億元外,其餘公司收入最高為100億元,總體概況為一大多小。

在具體業務進行中,主要涉及兩大核心關鍵技術受到國外的制約。EDA設計軟體美國的三家公司(Synopsys、Cadence、Mentor)壟斷了全球65%和國內96%以上的市場份額,目前國內僅有10家左右公司有相關業務,全球份額占比不足1%。底層架構方面目前主要分為兩大陣營:一個是以intel、AMD為首的基於複雜指令集的架構X86架構,在個人PC端占絕對主導;另一個是以IBM、ARM為首的精簡指令集ARM/MIPS/Power,在移動設備和物聯網設備晶片中占絕對主導,其中在手機、汽車電子及IoT等領域中具備絕對的話語權,ARM架構晶片占手機市場份額約90%。

(2)IC製造市場高度集中,設備與材料被國際先進企業壟斷

晶圓代工環節和所涉及到的設備材料集中度遠高於IC設計,主要原因是製造過程中,涉及到巨大的固定資產投入,若技術無法做到全球領先,在投資周期內很可能無法盈利。晶圓代工方面,整個行業CR3接近80%,台積電占全球市場份額超50%,其次為三星、格芯,國內最大的晶圓代工廠為中芯國際,目前最高技術水平在12-14nm左右,今年隨高端光刻機順利投入產線,未來有望進一步提升技術水平。

設備與材料方面,關鍵技術被歐美日壟斷。半導體設備主要以歐美日企業為主,從分布來看,全球前15的半導體設備企業中,美國4家,日本7家,歐洲3家,韓國1家。從營業收入的角度看,大陸半導體設備公司的市占率非常小,尚未在國際舞台上看到大陸公司的身影。美國的應用材料公司產品幾乎包括除光刻機之外的全部半導體前端設備。荷蘭的ASML是高端光刻機的全球第一,其研發投入與技術實力國內企業差距甚遠。設備行業的整體集中度基本達到了CR3大於90%。

國內設備企業規模普遍很小,技術差距較大。目前國內排名第一為北方華創,2018年營業收入為約4.75億美元,距離應用材料公司140億美元的營收有30倍以上的差距,技術節點多數都還比較落後,大部分設備在28nm製程以上,在高端光刻機等核心設備生產仍依賴進口;國內先進企業中,北方華創的刻蝕機、PVD等設備已達到14nm級別,氧化爐已經批量應用於中芯國際、華力微電子、長江存儲等廠家;中微半導體刻蝕機的技術水平已經達到77nm,達到國際先進水平。

(3)IC封測國內通過併購崛起,已有三家企業進入世界前十

IC封測門檻相對較低,本土廠商逐漸崛起。目前國內已有三家企業進入世界前十,分別是長電科技、華天科技、通富微電,按照市場份額來看,分別排在全球第三、六、七名。由於封測產業對規模化要求較高,相對於設計與代工,國內封測企業目前排名相對靠前,主要採用的方式是加大研發投入以及併購整合。整體行業目前集中度略低於設計與代工,隨著併購持續進行,未來集中度有望進一步提升。2018年全球OSAT(OutsourcedAssembly&Test,外包封裝測試)前十大廠商市占率超過80%,行業高度集中。因為OSAT與Foundry在產業鏈上緊密關聯,依靠台積電在Foundry市場超過50%份額的壟斷地位,台灣地區在OSAT市場也扮演著主導角色。

行業分工細化,OSAT成為主要生產模式,未來先進封裝技術是提升晶片效能的增量動力。IDM與OSAT是目前半導體封測產業的兩種主要模式。IDM企業晶片產業所有環節均自己完成,OSAT企業僅提供中後段的封裝測試代工服務。隨著輕資產的設計公司的不斷增長,推動OSAT企業快速發展,OSAT+Foundry的模式成為半導體行業發展的主要模式。隨著IC設計趨於複雜與製程工藝不斷提升,封裝環節的技術提升,有望為晶片的性能提供額外的附加值,提高半導體產品價值的同時降低成本。目前先進封裝演進方向主要分為減小尺寸的方向,主要實現方式是FC、Fan-out、Fan-inWLP和Bumping,和異質結融合的方向,主要實現方式是Sip、3D封裝和TSV,通過這兩類型技術,實現在更小尺寸里集成更多功能,同時實現更高的封裝效率。而Fan-out和和Sip系統級封裝是目前被公認的在這兩個方向上具有最大增長潛力的封裝技術。

3、受益政策支持與資本助力,國內半導體有望取得長足發展

(1)以史為鑑,國家政策支持是半導體的必要條件

回顧美日韓成功經驗,政府大力支持與基礎技術研發必不可少。從全球產業發展的角度看,目前中國正處於世界第三次半導體產業轉移的浪潮中,回顧歷史美日韓發展的成功經歷,離不開政府的統籌規劃與資金政策的大力支持,以及對基礎技術研發的高度重視。

美國半導體產業自上世紀50年代以來,歷經行業起步、發展、全球化,政府扮演著重要角色。起步階段:半導體技術研發投入大,美國政府通過直接採購和研發資助的方式助力美國半導體公司完成初步積累;發展階段:70年代後期面臨日本的崛起,美國政府通過一系列特殊的稅收優惠政策,並從國際政治上對日本進行施壓,通過一系列法案建立政府與民間的合作關係;全球化階段:採取保護性貿易政策打擊國際對手,保護本土半導體企業。

日本半導體產業成功的核心因素:政府主導核心企業集體研發+選擇正確的發展方向+對基礎技術的高度重視。起步階段:1963年日本電氣公司獲得美國仙童半導體的平面技術授權,日本政府要求其進行行業內分享,隨後誕生了三菱,夏普,京都電氣,半導體產業得到快速發展。發展階段:八十年代,日本政府決定開發體積更小,性能更強的超大規模集成電路,發起全國範圍內規模最大的企業間合作,由日立,三菱,富士通,東芝,日本電氣牽頭,將大量的精力投入到基礎技術中,團隊協調與技術融合是成功的關鍵。從1980到1986年間,日本半導體產業全球市場份額從26%上升至45%,美國為42%。當時在存儲晶片領域,日本電氣,東芝,日立三家公司份額超過90%。全球化階段:02年日本政府再次發動技術合作,11家公司共同研發系統級晶片,目前日本在部分細分領域已經做到幾乎壟斷,sony的coms傳感器幾乎壟斷高端市場,信越化學在半導體材料如矽晶圓,光刻膠等領域占據絕對優勢。給我們的啟示:首先有明確清晰的規劃,其次聯合國內企業頂尖人才共同研發避免了大量重複投入,不急功近利,重視基礎技術的研發。

(2)產業鏈向國內市場轉移,「雙增」現象顯著

市場總體呈現產業規模與貿易逆差「雙增」的現狀。我國半導體產業起步時間相比於已開發國家落後近30年,但隨著市場化進程加快,目前產業規模增速遠高於全球增速,連續多年保持兩位數以上。可以看出,整體的產業鏈在向國內轉移,同時國內需求也在逐年上升。

在產業規模逐漸擴大的同時,半導體貿易逆差也在同步擴大,主要有量,價,技術三方面原因:1,國內工業製造業需求、居民消費需求快速增長,國內需求端增速超過海外市場,尤其對於高端產品的需求增速加快;2,低端產品與中高端價差過大,從進出口商品總價值上看,半導體貿易逆差仍在擴大;3,反應在量價上背後的核心因素是技術的突破不足,由於集中度過高的行業屬性,大部分核心技術仍掌握在國外個別公司手裡。由於上述原因,我國半導體產業整體仍處於規模大但技術低的階段。

(3)政策資本大力支持,未來成長空間巨大

國內產業政策長期大力度支持無疑。自2016年以來,國內開始出台了大量政策,包括中央、地方促進第三代半導體產業的發展。在國家集成電路產業投資基金之外,多個省市也相繼成立或準備成立集成電路產業投資基金,目前包括北京、上海、廣東等在內的十幾個省市已成立專門扶植半導體產業發展的地方政府性基金。

多方面資本聚集,為產業發展提供長期支持。半導體行業的投資周期較長,很難在短時間內完成超越,長期的資本支持與人才累積是必備條件。我國從2014年起成立國家集成電路產業投資基金(也即「大基金」),基金所有權為國家集成電路產業投資基金股份有限公司,採取公司制的經營模式,與以往的補貼模式有著本質的不同,投資方式包括:私募股權、基金投資、夾層投資等一級市場和二級市場投資,但不包括風險投資和天使投資。目前大基金一期已經全部完成投資,一期總投資額1387億元已投資完畢,公開投資公司為23家,未公開投資公司為29家,投資範圍涵蓋設計、製造、封裝、設備、材料多個環節,基本完成全產業鏈覆蓋。

國家大基金二期成立,持續投入力度不減。2019年10月22日,國家大基金二期註冊成立,註冊資本2041.5億元。大基金一期(包含子基金)總共撬動了5145億元社會資金(含股權融資、企業債券、銀行、信託及其他金融機構貸款),資金撬動的比例達到了1:3.7,若大基金二期的2041.5億資金撬動比例按照1:4的比例來估算,預計將會撬動8166億的社會資金,總的投資金額將超萬億。第二期大基金將會加強對設備和材料的部署力度,按照加重投資裝備行業的投資思路,按照設備投資占比為15%測算,則設備方面的投資額可達900億元,將對包括刻蝕機、薄膜設備、測試設備、清洗設備等領域已有布局的企業提供強有力的支持。

半導體目前是我國首要支持產業,未來成長空間巨大。根據我國《中國製造2025》規劃目標,到2020年,集成電路產業與國際先進水平的差距逐步縮小,全行業銷售收入年均增速超過20%,企業可持續發展能力大幅增強。移動智能終端、網絡通信、雲計算、物聯網、大數據等重點領域集成電路設計技術達到國際領先水平,產業生態體系初步形成。16/14nm製造工藝實現規模量產,封裝測試技術達到國際領先水平,關鍵裝備和材料進入國際採購體系,基本建成技術先進、安全可靠的集成電路產業體系。到2030年,集成電路產業鏈主要環節達到國際先進水平,一批企業進入國際第一梯隊,實現跨越發展。當前我國半導體產業的自給率才只有不到15%,根據《中國製造2025》的目標,計劃2020年自給率達40%,2050年達到50%。

三、5G+AIOT是未來核心賽道,將驅動半導體產業新一輪爆發

1、深度學習大幅提升AI晶片算力,是拉動半導體增長的重要引擎

AI晶片是傳統晶片的異構與疊加,在專項計算中性能遠超傳統晶片。AI晶片指針對AI算法的ASIC(專用晶片),傳統的CPU都可以拿來利用執行AI算法,但是速度慢,性能低,無法實際商用。例如自動駕駛需要識別道路行人紅綠燈等狀況,CPU的速度遠遠無法滿足,若用GPU,在圖像識別過程中計算速度會成倍增加。但單純的GPU功耗較大,而且處理數據單一,因此AI晶片是在原有CPU的基礎上,增加了相應的GPU單元,用來計算神經網絡帶來的深度學習算法。在圖像識別等領域,常用的是CNN卷積網絡、語音識別、自然語言處理等領域,主要是RNN,兩類算法雖然不同,但本質上,都是矩陣或vector的乘法、加法,然後配合一些除法、指數等算法。

AI晶片算力大約3個月翻倍,核心提升在於底層架構。相比於摩爾定律(每18個月晶片的性能翻倍),AI訓練所需的算力大約3個月翻倍,而提升算力的關鍵是晶片設計,特別是底層的架構設計。目前來看,傳統的晶片架構已經難以滿足AI應用的需要。

目前主流的架構分為四種:1、通用類晶片,如GPU、FPGA等;2、基於FPGA的半定製化晶片代表如深鑒科技DPU、百度XPU等;3、全定製化ASIC晶片代表如TPU、寒武紀Cambricon-1A等;4、類腦計算晶片代表如IBMTrueNorth、westwell、高通Zeroth等。

未來深度學習將成為拉動半導體需求的重要引擎,有望實現年化47%的增長。包括IC廠商和網際網路企業在內,越來越多的廠商開始投入研發或已經推出AI專用晶片。根據Gartner統計,AI晶片在2017年的市場規模約為46億美元,而到2020年,預計將會達到148億美元,年均復合增長率為47%。

2、5GSoC迎來性能爆發增長,未來存量替換與增量終端並存

5G網絡基建期正值高峰,移動端晶片組性能爆發增長。晶片組包括射頻集成電路(RFIC)、系統晶片(SoC)、專用集成電路(ASIC)、蜂窩晶片和毫米波(mmWave)集成電路。通訊巨頭公司許多都在構建數據機、RF前端,或兩者兼得,其中設計的是低於6GHz的頻譜,並支持100MHz的信封跟蹤(ET)帶寬。5GSoC性能形成突破的主要原因:CPU性能的進一步提升,製造工藝降低至7nm以下;GPU方面,對於圖像處理的能力大幅提升;NPU方面採用了新的架構。以華為麒麟990為例,各方面的提升如下:

5G終端數量快速增長,SoC增量與存量並存。GSMA預計,到2025年5G連接數量將達到14億,占中國和歐洲連接總量的30%左右,占美國連接總量的50%左右。下遊行業應用將成為5GSoC發展的主要驅動力。面對多樣化的場景需求,5G終端將沿著形態多樣化和交互多元化發展。在5G商用元年,終端的類型和數量已遠遠超過預期,未來仍會有更多的增量空間及存量替換。相比於2014年的4G商用元年,市場上只有4款4G終端,而截止到今年9月10日,5G終端數量已有136款之多,對於5GSoC的需求有極大的促進作用。

3、多平台互通成主流趨勢,物聯網布局掀開半導體另一增長動力

物聯網是未來半導體產業的最重要增長動力。IOT將接替移動網際網路成為下個時代的主題,主要原因來自以下幾點:智慧型手機增量有限,來自於功能接近飽和;隨通信技術疊代,5G商用萬物互聯從技術上已經可以實現;以華為鴻蒙系統為代表,作業系統已經轉向多平台化;AI技術爆髮式發展,相關技術已經在逐步適配IOT。

全球範圍內,物聯網終端數量高速增長。截止2019年,全球物聯網設備連接數量達到110億個,其中,消費物聯網終端數量達到60億,工業物聯網終端數量達到50億。根據GSMA預測,2025全球物聯網終端連接數量將達到250億,其中消費物聯網終端數量達到100億,工業物聯網終端數量達到140億,占全球連接數的一半以上。物聯網未來主要實現兩類功能:對真實物體信息的採集、識別和控制;通過終端通信,將採集到的數據信息傳輸至決策服務端,並進行決策。主要模塊分別為,硬體模塊,固件系統模塊,應用模塊,數據模塊,通信接入模塊。隨著模塊數量的爆髮式增長,將直線拉動相關半導體需求。

未來應用於物聯網的半導體晶片將以針對性與安全性為核心。對於PC和手機SoC,一系列產品通常可以大量出貨上億片,而物聯網意味著要面臨各種各樣的產品提出很多種解決方案,面臨著嚴重的細分化問題,雖然部分晶片的需求量很大,但總體來說種類散亂,雖然整體規模很大,單一產品或者系列產品的需求量可能並不大,定製化是亟待解決的問題。其次,物聯網時代面臨的安全問題,源於多終端和連結通路,因此物聯網晶片就有了更多要求,安全性是首要保證。在多樣化的背景下,安全問題不同以前可以統一解決。

巨頭公司提前布局,從流量爭奪到構建生態體系。網際網路的增速放緩,發展到一定程度,toB業務才是增長的主要驅動力。從目前來看,美國的toB市場非常成熟,而國內做toC業務的公司不到toB的十分之一,這也給巨頭們留下了很大的增長空間。發展路徑為從無線網絡基礎設施和基站到智慧型手機再到物聯網設備應用,5G有望提供一個完全互聯的移動世界,其市場範圍從聯網汽車、智能城市、智慧型手機到物聯網(IoT)設備,無處不在,從流量端的爭奪,到構建生態體系,科技巨頭已在物聯網重點布局。

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