幾種簡單CMOS邏輯門電路原理圖

2019-07-25     硬體電路基礎

現代單片機主要是採用CMOS工藝製成的。

1、MOS管 MOS管又分為兩種類型:N型和P型。如下圖所示:



以N型管為例,2端為控制端,稱為「柵極」;3端通常接地,稱為「源極」;源極電壓記作Vss,1端接正電壓,稱為「漏極」,漏極電壓記作VDD。要使1端與3端導通,柵極2上要加高電平。

對P型管,柵極、源極、漏極分別為5端、4端、6端。要使4端與6端導通,柵極5要加低電平。

在CMOS工藝製成的邏輯器件或單片機中,N型管與P型管往往是成對出現的。同時出現的這兩個CMOS管,任何時候,只要一隻導通,另一隻則不導通(即「截止」或「關斷」),所以稱為「互補型CMOS管」。

2、CMOS邏輯電平

高速CMOS電路的電源電壓VDD通常為+5V;Vss接地,是0V。

高電平視為邏輯「1」,電平值的範圍為:VDD的65%~VDD(或者VDD-1.5V~VDD)

低電平視作邏輯「0」,要求不超過VDD的35%或0~1.5V。

+1.5V~+3.5V應看作不確定電平。在硬體設計中要避免出現不確定電平。

近年來,隨著亞微米技術的發展,單片機的電源呈下降趨勢。低電源電壓有助於降低功耗。VDD為3.3V的CMOS器件已大量使用。在可攜式應用中,VDD為2.7V,甚至1.8V的單片機也已經出現。將來電源電壓還會繼續下降,降到0.9V,但低於VDD的35%的電平視為邏輯「0」,高於VDD的65%的電平視為邏輯「1」的規律仍然是適用的。

3、非門



非門(反向器)是最簡單的門電路,由一對CMOS管組成。其工作原理如下:

A端為高電平時,P型管截止,N型管導通,輸出端C的電平與Vss保持一致,輸出低電平;A端為低電平時,P型管導通,N型管截止,輸出端C的電平與VDD一致,輸出高電平。

4、與非門



與非門工作原理:

、A、B輸入均為低電平時,1、2管導通,3、4管截止,C端電壓與VDD一致,輸出高電平。

、A輸入高電平,B輸入低電平時,1、3管導通,2、4管截止,C端電位與1管的漏極保持一致,輸出高電平。

、A輸入低電平,B輸入高電平時,情況與類似,亦輸出高電平。

、A、B輸入均為高電平時,1、2管截止,3、4管導通,C端電壓與地一致,輸出低電平。

5、或非門



或非門工作原理:

、A、B輸入均為低電平時,1、2管導通,3、4管截止,C端電壓與VDD一致,輸出高電平。

、A輸入高電平,B輸入低電平時,1、4管導通,2、3管截止,C端輸出低電平。

、A輸入低電平,B輸入高電平時,情況與類似,亦輸出低電平。

、A、B輸入均為高電平時,1、2管截止,3、4管導通,C端電壓與地一致,輸出低電平。

註:

將上述「與非」門、「或非」門邏輯符號的輸出端的小圓圈去掉,就成了「與」門、「或」門的邏輯符號。而實現「與」、「或」功能的電路圖則必須在輸出端加上一個反向器,即加上一對CMOS管,因此,「與」門實際上比「與非」門複雜,延遲時間也長些,這一點在電路設計中要注意。

6、三態門



三態門的工作原理:

當控制端C為「1」時,N型管3導通,同時,C端電平通過反向器後成為低電平,使P型管4導通,輸入端A的電平狀況可以通過3、4管到達輸出端B。

當控制端C為「0」時,3、4管都截止,輸入端A的電平狀況無法到達輸出端B,輸出端B呈現高電阻的狀態,稱為「高阻態」。

這個器件也稱作「帶控制端的傳輸門」。帶有一定驅動能力的三態門也稱作「緩衝器」,邏輯符號是一樣的。

註:

從CMOS等效電路或者真值表、邏輯表達式上都可以看出,把「0」和「1」換個位置,「與非」門就變成了「或非」門。對於「1」有效的信號是「與非」關係,對於「0」有效的信號是「或非」關係。

上述圖中畫的邏輯器件符號均是正邏輯下的輸入、輸出關係,即對「1」(高電平)有效而言。而單片機中的多數控制信號是按照負有效(低電平有效)定義的。例如片選信號CS(Chip Select),指該信號為「0」時具有字符標明的意義,即該信號為「0」表示該晶片被選中。因此,「或非」門的邏輯符號也可以畫成下圖。



7、組合邏輯電路

「與非」門、「或非」門等邏輯電路的不同組合可以得到各種組合邏輯電路,如解碼器、解碼器、多路開關等。

組合邏輯電路的實現可以使用現成的集成電路,也可以使用可編程邏輯器件,如PAL、GAL等實現。

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