STM32F1和STM32F4這兩個系列都是單片機達人的心頭好，到底那個好呢
大家都知道GD32是國內開發的一款單片機，能夠說是國貨之光，據說開發的人員是來自ST公司的，GD32也是以STM32作為模板做出來的。所以GD32和STM32有很多地方都是一樣的。
不過GD32畢竟是不同的產品，不可能所有東西都沿用STM32，有些自主開發的東西還是有區別的。
相同的地方我們就不說了，下面列一下不同的地方。
01內核
GD32採用二代的M3內核，STM32主要採用一代M3內核，下圖是ARM公司的M3內核勘誤表，GD使用的內核獨有752419這一個BUG。
02主頻
使用HSE(高速外部時鍾)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大72M
使用HSI(高速內部時鍾)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大64M
主頻大意味著單片機代碼運行的速度會更快，項目中假如須要進行刷屏，開方運算，電機控制等操作，GD是一個不錯的選擇。
03供電
外部供電：GD32外部供電範圍是2.6-3.6V，STM32外部供電範圍是2-3.6V。GD的供電範圍比STM32相對要窄一點。
內核電壓：GD32內核電壓是1.2V，STM32內核電壓是1.8V。GD的內核電壓比STM32的內核電壓要低，所以GD的晶片在運行的時候運行功耗更低。
04Flash差異
GD32的Flash是自主研發的，和STM32的不一樣。
GD Flash執行速度：GD32 Flash中程序執行為0等待周期。
STM32 Flash執行速度：ST系統頻次不訪問flash等待時長關係，0等待周期，當0<>z；1等待周期，當24MHz<>K≤48MHz；2等待周期，當48MHz<>K≤72MHz。
Flash擦除時長：GD擦除的時長要久一點，官方給出的數據是這樣的「GD32F103/101系列Flash 128KB及以下的型號，Page Erase典型值100ms，實際測量60ms左右。」對應的ST產品Page Erase典型值 20~40ms。
05功耗
從下面的表能夠看出GD的產品在相同主頻情況下，GD的運行功耗比STM32小，但是在相同的設置下GD的停機模式、待機模式、睡眠模式比STM32還是要高的。
06串口
GD在不間斷髮送數據的時候每兩個位元組之間會有一個Bit的Idle，而STM32沒有
GD的串口在發送的時候停下位獨有1/2兩種停下位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四種停下位模式。
GD和STM32 USART的這兩個差異對通信根本沒有影響，只是GD的通信時長會加長一點。
07 ADC差異
GD的輸寫阻抗和採樣時長的設置和ST有一定差異，相同配置GD採樣的輸寫阻抗相對來說要小
08 FSMC
STM32獨有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。
09 103系列RAM&FLASH大小差別
GD103系列和ST103系列的ram和flash
10 105&107系列STM32和GD的差別
GD的105/107的選擇比ST的多很多
11抗干擾能力
關於這一點，官方沒有給出，筆者也是在做項目標時候偶然發現的。
項目原本是用STM32F103C8T6，後來換成GDF103C8T6。這兩個晶片的引腳完全一致，單片機用了的兩個鄰近的引腳作為SPI的時鐘引腳和數據輸出引腳，然後發現STM32的SPI能正常通訊，GD的不行；經過檢查發現PCB板SPI的銅線背面有兩根IIC的銅線經過，信號應該是受到影響了。
用示波器看了一下引腳的電平，發現的確是，STM32和GD的數據引腳波形都不正常，但是STM32的波形要好很多，波形雖然差了點，但是SPI通訊依然正常。而GD則不能正常通訊了。
然後我們又把SPI的通訊速率減慢，發現STM32的數據引腳很快就恢復正常波形了，而GD的依然差，直到速率降到很低才恢復正常。初步狐疑是STM32內部對引腳有做一些濾波的電路，而GD則沒有。雖然用的這個電路板自身布線有些不合理，但是在同樣惡劣的環境下，STM32依然保證了通訊的正常，而GD不行，這在一定程度上說明了GD的抗干擾才能不如STM32。