5月16日，廣州慧智微電子股份有限公司（股票代碼：688512 簡稱：慧智微）在上海科創板上市，據悉，慧智微是目前國內主要的射頻前端公司，專注於射頻前端晶片及集成化模組的設計研發，公司以射頻功率放大器PA晶片為核心，已經衍生出低噪聲放大器（LNA）、射頻開關（Switch）、集成無源器件濾波器（IPD Filter）、控制及系統級封裝等方面的設計技術，具有高集成射頻模組研發能力，下游廣泛應用於智慧型手機、物聯網等領域。
深度布局無線通信核心模塊
5G新頻段產品出貨量排名領先
射頻前端RFFE（RF Front End）是天線與射頻收發晶片的必經之路，它負責無線電磁波信號的發送和接收，是智慧型手機、平板電腦等移動終端設備實現蜂窩網絡連接、Wi-Fi、藍牙、GPS等無線通信功能所必需的核心模塊。據Mobile Experts數據，2020 年全球射頻前端行業規模達到 157.08 億美元，市場廣闊。
通常情況下，射頻前端晶片包含功率放大器（PA）、濾波器（Filter）、雙工器或多工器（Duplexer或Multiplexer）、低噪聲放大器（LNA）、開關（Switch）、天線調諧模塊（ASM）等器件，慧智微產品主要聚焦於射頻功率放大器PA晶片。
公司採用Fabless模式，產品系列覆蓋的通信頻段需求包括 2G、3G、4G、3GHz 以下的 5G 重耕頻段、3GHz~6GHz 的5G新頻段等。基於長期的經驗積累和前瞻的技術研發，2020年，慧智微在國產廠商中率先大規模量產5G L-PAMiF產品，該產品2021年出貨量達1132.33萬顆，在國產廠商中市占率排名第二。
以此為基礎，慧智微進一步深耕5G射頻前端產品線，陸續推出支持n77/n78/n79 頻段的 1T2R（集成 1 路發射通路、2 路接收通路）L-PAMiF、支持n77/n78 頻段的 1T1R/1T2R L-PAMiF 以及支持相應頻段的接收模組 L-FEM。
憑藉5G新頻段產品的口碑和技術沉澱，慧智微贏得了多個頭部客戶的認可，公司的射頻前端模組已經在三星全球暢銷系列 A22 5G 手機和 OPPO、vivo、榮耀等智慧型手機機型中實現大規模量產，並進入聞泰科技、華勤通訊和龍旗科技等一線移動終端設備ODM廠商，形成了良好的品牌效應，帶動公司實現良性長期發展。
自研可重構射頻前端平台
「絕緣矽+砷化鎵」鑄造競爭壁壘
射頻前端晶片設計複雜，技術門檻高，其中又以PA與濾波器為最。傳統PA晶片生產領域，國際射頻前端龍頭企業主要採用全砷化鎵功率放大器結合體矽控制器的寬頻設計架構，如果新進企業採用固有的技術跟隨和產品模仿策略，則需要多次設計疊代找到最優設計方案，同時全球產能供應有限，成本較高，嚴重依賴規模效應，為國產廠商設置了較大的專利門檻、規模門檻和成本門檻。
為此，慧智微積極加大研發投入，2020年至2022年，公司累計研發投入48,905.65萬元，占營業收入的比例為45.37%。憑藉突出的技術研發能力，公司將絕緣矽引入到PA晶片領域並成功商用，掌握高頻模擬信號智能調控的實現路徑，形成了自主的可重構射頻前端架構，突破國際巨頭的專利壁壘，並將其拓展到LNA、IPD 濾波器等領域。目前，公司可重構射頻前端架構的相關產品累計出貨已經超過1億顆。
近年來，伴隨著通信制式從2G向5G演進，射頻晶片數量急劇增加，而智慧型手機的空間布局和成本預算有限，對射頻前端的集成度要求越來越高，設計難度指數化提升。慧智微前瞻性預判到產業發展趨勢，致力於創新射頻前端架構，提出了擁有完全自主智慧財產權的 AgiPAM可重構射頻前端平台，採用基於「絕緣矽（SOI）+砷化鎵 （GaAs）」兩種材料體系的可重構射頻前端技術路線，通過數字定義可配置射頻通路的技術方案，大幅提升射頻前端的集成度，有效平衡了射頻前端的性能和成本。經中國通信學會認定，公司的「SOI 和 GaAs 的 SiP 架構的可重構射頻前端晶片技術」處於國際領先水平。
除此之外，通過持續深耕研發，慧智微已在射頻前端領域構築了完整的專利池，據招股書披露，截至 2022年12月31日，公司已獲取境內發明專利 66 項，境外發明專利25項，為公司走向國際市場、參與全球化競爭提供了有利條件。
射頻前端市場規模快速增長
5G疊加國產化帶來新挑戰和新機遇
從全球來看，射頻前端市場增長穩定，且射頻前端市場集中度極高，美國的思佳訊（Skyworks）、博通（Broadcom）、威訊聯合半導體（Qorvo）、高通（Qualcomm）和日本的村田（Murata）五家廠商的產品在2021年和2022年占據了超過80%的市場份額。
中國射頻前端行業整體起步較晚，與國際先進水平仍存在一定的差距，但隨著國內市場需求不斷增長、國家對集成電路產業日益重視，我國射頻前端產業發展步入快軌。
一方面，隨著本土智慧型手機品牌的崛起和本土製造能力的提升，眾多國產智慧型手機廠商開始尋求降低器件成本、供應鏈自主可控和更優的服務支持，對上游核心元器件的國產化需求不斷上升，從而使得更多射頻前端企業獲得產品導入、持續疊代的應用機會，推動國產射頻前端公司的產品性能持續優化，收入規模持續提升。
另一方面，隨著通信制式的不斷演進，智慧型手機需同時兼容 2G、3G、4G 和 5G，技術難度不斷提升，推動射頻前端器件的用量和價值不斷提升。隨著5G通信的快速普及，根據 Yole預測，全球移動設備的射頻前端市場規模將從 2019 年的 124.04 億美元增長到 2026 年的216.70 億美元，年均復合增長率約為 8.3%，高於半導體行業的平均增長速度。其中PA模組預計到 2026 年的年復合增長率約為 7.8%，將保持第一大細分領域的市場地位。
除此之外，5G 通信對射頻前端的集成度要求也更高，為滿足5G 通信需求，射頻前端器件的數量大幅上升，在智慧型手機空間受限下無法採用分立方案，且採用分立方案將帶來較長的終端調試周期和調試成本。因此，在5G 新頻段領域一般採用 L-PAMiF、L-FEM 等模組形式。
而隨著 5G 基礎設施不斷完善，更高性能的物聯需求將不斷得以滿足，形成5G+4G 協同發展的物聯網通信技術格局，需求側成為拉動物聯網的主力，也對無線通信的速率、時延、穩定性等提出了更高的要求，進而催生出更加先進的射頻連接解決方案。
慧智微多年來深度布局5G射頻前端產品線，在4GPA模組、5G射頻前端模組領域均具備較強的競爭力，其中在5GPA模組領域已初步具備國際競爭力。與此同時，公司還在不斷加強與物聯網領域頭部客戶的合作，在4G物聯網射頻前端模組領域的市場占有率較高，5G新頻段領域也處於持續拓展中。
得益於此，2020至2022 年，公司綜合主營業務毛利率分別為 6.69%、16.19%和17.97%，總體呈不斷上升趨勢，相信隨著慧智微在5G射頻前端領域持續保持領先地位，公司盈利能力有望進一步得到釋放。
募投項目助力技術疊代
拓展規模加快完善產業鏈布局
前沿通信技術的發展帶動射頻前端器件的用量和價值不斷增加，下游無線連接終端需求增長，又推動了我國射頻前端行業規模持續擴張。為抓住行業增長機遇，慧智微本次登陸資本市場擬募集資金150,418.78萬元，主要用於晶片測試中心建設項目、總部基地及研發中心建設項目以及補充流動資金。
其中，晶片測試中心建設項目的實施將有利於完善慧智微的產業鏈布局，大幅提升公司的產品研發和量產速度，夯實公司的核心競爭力。隨著總部基地及研發中心建設項目的完工，公司首先將可重構射頻前端架構進行疊代升級，實現多個射頻前端的需求場景，同時在5G毫米波、Wi-Fi射頻前端方面進行產品多元化，打造更為全面豐富產品矩陣，增強公司在射頻前端領域的市場競爭力。
作為目前國內具有較強自主研發能力和技術優勢的射頻前端廠商，慧智微也將抓住國產替代、5G、物聯網等多重發展機遇，不斷推進可重構射頻前端架構的疊代升級，拓展 L-PAMiD、PAMiD 等更高門檻的產品系列，開拓高端客戶的業務機會，持續跟進射頻前端技術疊代，做大做強，在提升自身行業地位的同時，助推射頻前端產品國產化進程。