傳三星計劃採用4nm生產HBM4的邏輯芯粒

7月16日消息，據《韓國經濟日報》引述未具名消息人士報導，三星準備運用4nm製程，量產第六代高帶寬內存——HBM4的邏輯芯粒（logic die）。

據介紹，邏輯芯粒位於HBM堆疊的最底層，為HBM的核心元件。目前DRMA製造商已能為HBM3E等現有產品製造邏輯晶粒，但HBM4具備客戶要求的客制化功能，因此需要額外導入晶圓工序。

目前，4nm是三星主打的先進位程工藝，良率超過70%。三星也運用這項製程生產其旗艦AI智慧型手機Galaxy S24所搭載的Exynos 2400處理器。

一名業界人士指出，「4nm製程遠比7nm、8nm昂貴，但晶片性能與功耗的表現也更好。」「目前三星是以10nm製程生產HBM3E的邏輯芯粒，現在計劃運用4nm來生產，是希望藉此奪得HBM技術的領導地位。」

SK海力士今年4月已宣布與台積電合作，依據雙方最近在台北敲定的備忘錄，兩家半導體巨頭將合作開發第六代HBM4晶片，預計2026年量產。

編輯：芯智訊-浪客劍