芯東西（公眾號：aichip001）
編譯 | luna
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芯東西9月8日報道，光刻機巨頭ASML今年有望推出業界首款具有0.55數值孔徑（NA）的極紫外（EUV）光刻機，該款光刻機解析度約為8nm，型號名為Twinscan EXE:5200，計劃在2025年用於晶片量產。
據Tom’s Hardware報道，近日，ASML公司CEO Peter Wennink宣布年內將推出EXE系列新一代Twinscan EXE:5200的第一批產品，該產品投入晶片量產還需等到2025年，這個時間晚於ASML此前計劃的2023年。Peter Wennink解釋道：「部分供應商在技術方面遇到阻礙，導致ASML高NA光刻機推遲發布。」
據悉，由於ASML未能按照原定計劃推出高NA光刻機Twinscan EXE:5200，該類產品的客戶英特爾此前不得不使用應用材料公司的Centura Sculpta圖案化系統作為替代，來完成轉印比EUV解析度極限更小的晶片圖案的流程。
英特爾率先訂購了ASML下一代高NA光刻機Twinscan EXE:5200，該公司計劃從2025年開始採用ASML高NA Twinscan EXE系列光刻機進行大批量生產，助力旗下的Intel 18A（~1.8nm）製程節點。
另外一方面，英特爾的競爭對手台積電和三星都沒有釋放出採購信號，這些玩家對Twinscan EXE:5200這款新品光刻機持觀望態度。這背後的原因可能是ASML的新一代光刻機產品價格高昂。Peter Wennink說道，每台Twinscan EXE:5200售價可能超過3億美元，這些設備購置費將進一步提高前沿晶圓製造的成本。
不過，想要製造更高端的晶片，晶片製造商需要思考以更少的EUV微影步驟生產高性能的電晶體和內連布線，從而降低先進晶片製程的成本、複雜性和環境影響性。新一代高NA光刻機Twinscan EXE:5200的EUV雙重圖案化或圖案成形技術可以滿足上述需求。
Twinscan EXE:5200有著小於8nm的更高解析度，這種光刻機可實現更小的電晶體和更高的電晶體密度，超越了之前的0.33NA EUV光刻機產品，後者的解析度為13nm。例如，Twinscan EXE:5200的生產率超過每小時200個晶圓（WPH），而0.33NA EUV光刻機Twinscan NXE:3600D的WPH為160。
需要注意的是，NA為0.55的Twinscan EXE:5200並不會取代市面上的深紫外（DUV）光刻機，更低廉的DUV更適合生產低於7nm工藝的晶片。
此前，ASML已推出EXE系列Twinscan EXE:5000光刻機的第一批產品，該產品具有0.55 NA，能夠達到8nm解析度。ASML稱正與第一批產品的客戶研究開發這款產品，該公司暫未公開相關客戶。
Tom’s Hardware猜測，ASML提及的客戶很有可能是英特爾。英特爾曾經公開披露過在Intel 18A製程節點中使用高NA光刻機的計劃，該公司自2018年以來一直在嘗試導入高NA光刻機，並和ASML確定了Twinscan EXE:5000設備的合作訂單。
結語：客戶需求+成本，兩點原因或讓新品「遇冷」
當前只有台積電、三星、英特爾三家有資格購買ASML的0.55NA EUV，但除了英特爾，其他先進位造商暫時沒有迫切使用的需求。ASML當前的主流EUV光刻機產品有0.33 NA和13nm兩種解析度，可以通過單次曝光模式製造30nm級別的晶片。而上述技術通過多次曝光，對於5nm或4nm等級別的晶片來說也足夠使用。
另一方面，如果過早採用Twinscan EXE:5200型光刻機，會帶動代工費大幅漲價，為晶片製造環節帶來了成本壓力，客戶可能不太願意在第一時間採用新品來增加支出。比如台積電的3nm工藝因為高昂的代工價格，只有蘋果願意全數買單。降本已成為晶片行業的共識，對於更高階也更貴价的EUV光刻機，晶片製造商們的採購決策也更為慎重。
來源：Tom’s Hardware