2019年最後一期「新品推薦」，能很明顯的觀察到，為了節省空間和成本，元器件集成化的程度越來越高，對原廠的技術研發水平要求也有增無減。有理由相信，2020年元器件將會是一個以技術爭霸的時代……以下是6款元器件新品推薦：
12月17日，艾邁斯半導體（AMS）推出首款適用於高速汽車電機和工業電機的電感式位置傳感器——AS5715。基於AS5715的新型轉子位置傳感解決方案具有廣泛用於高速電機的旋轉變壓器的精確性和延遲性，同時還可顯著降低物料成本、尺寸和重量。更重要的是，由於IC基於汽車功能安全完整性等級ASIL-C標準，且冗餘方案支持ASIL-D標準，所以該解決方案是完全符合ISO 26262功能安全標準。
按價值計算，整個電機（包括牽引電機）市場的復合年增長率預計為8.3%，2021年估計將達到346億美元。
12月19日，艾邁斯半導體（AMS）宣布，藉助其最新推出的集成式X射線探測器晶片——AS5950，ams將可進一步降低計算機斷層掃描（CT）設備的成本。憑藉艾邁斯半導體在傳感器設計和封裝領域的專業知識，AS5950集成式X射線探測器晶片可提高CT探測器的性能，圖像更詳實，系統成本更低。
AS5950這款CMOS器件在同一晶片上集成一個高靈敏度光電二極體陣列和一個64通道模數轉換器。AS5950單晶片更容易安裝到CT探測器模塊中。目前，CT掃描儀製造商需要在複雜的PCB上安裝一個分立式光電二極體陣列，並通過較長的走線將其連接至分立式讀取晶片。將8層和16層CT掃描儀中複雜的PCB組件更換為單個AS5950晶片大大降低了圖像噪聲，更重要的是降低了製造商的材料和生產成本。
12月11日，Vishay推出採用小型熱增強型PowerPAK 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET——SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業內最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門用於提高電池管理系統、直插式和無線充電器、DC/DC轉換器以及電源的功率密度和效率。
日前發布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10m，是3mm x 3mm封裝導通電阻最低的60V器件，比這一封裝尺寸排名第二的產品低42.5%，比Vishay上一代器件低89%。從而降低電源通道壓降，減小功耗，提高效率。新型MOSFET現可提供樣品並已實現量產，大宗訂貨供貨周期為30周。
12月9日，美商聯合碳化矽股份有限公司（UnitedSiC）宣布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，並可提供前所未有的性能和高效率，適用於電動汽車（EV）逆變器、高功率DC/DC轉換器、大電流電池充電器和固態斷路器等高功率應用。在這四款全新UF3C SiC FET器件中，一款產品額定電壓值為650V，RDS（on）為7 mΩ，另外三款電壓額定值為1200V，RDS（on）分別為9和16 mΩ。所有器件都採用通用型TO247封裝。預計2020年第二季度實現量產。
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12月9日，Vishay推出兩款新型2A~12A microBUCK系列同步降壓穩壓器，輸入電壓範圍分別為4.5V至55V(SiC476/7/8/9) 和4.5V至60V(SiC466/7/8/9)。Vishay Siliconix器件採用小型5x5 PowerPAK封裝，內含高性能n溝道溝槽式MOSFET與控制器，具有高效率和高功率密度，內部補償功能則減少外部元器件數量。日前發布的microBUCK穩壓器採用相同控制器IC和封裝外形，同時提供一系列MOSFET額定值，設計人員可從中選擇最佳性價比組合。
日前發布的穩壓器工作電流僅為156µA，峰值效率達98%，設計人員可減少功耗提高功率密度。高效率結合5mm x 5mm PowerPAK封裝優異的熱設計，使穩壓器能在較低溫度下工作，從而提高長期穩定性，而且不需要加裝散熱片。microBUCK安全工作區範圍寬，便於設計人員靈活滿足各種工作溫度和電流要求。因此，設計人員可以縮小PCB尺寸，簡化熱管理並降低系統成本。
12月12日，Vishay推出一款新型IHDF邊繞通孔電感器——IHDF-1300AE-10，額定電流72A，飽和電流高達230A，適合用於工業和國防應用。Vishay Dale IHDF-1300AE-10採用鐵粉磁芯技術，最大高度僅為15.4mm，在-55℃至+125℃嚴苛的工作溫度範圍內，交流和直流功耗低，具有優異的散熱性能。
日前發布的這款器件邊繞線圈最大直流電阻（DCR）低至1.1m，最大限度減少損耗，有助於改善額定電流性能，提高效率。與鐵氧體解決方案相比，IHDF-1300AE-10飽和電流提高75%。器件超薄封裝便於設計師滿足苛刻的機械衝擊和振動要求，同時降低高度，節省空間。