達成協議了?晶片+華為概念龍頭股(600360),干就完了

2019-10-09   老趙談邏輯

盤面回顧:

今日滬深兩市股指集體低開,順勢殺跌後在權重板塊的帶動下,強勢反彈回升。滬指回升後在平盤線附近維持震盪走勢,尾盤則稍稍進一步反彈走高。創業板指相對較弱,午後跟隨主板的走勢反彈回升。市場未出現強勢領漲板塊,成交量依舊低迷。

截止收盤,滬指上漲0.39%,報收2924點;深成指上漲0.34%,報收9506點;創業板指上漲0.36%,報收1622點。從盤面上看,光刻膠、物流、業績預增等板塊漲幅居前;數字貨幣、白酒、機場航運等板塊跌幅居前。滬股通凈流出17.41億,深股通凈流出0.78億。

盤面分析:

目前指數位於5日線2920點上方,大盤向下趨勢減弱。明日早盤指數還可能順勢小幅向上反彈,若量能萎縮,會制約指數向上反彈幅度。滬市5日線在九月17日被擊破之後今天收回,60日線在九月30日被擊破之後今天收回,3天收回確定生命線還沒有破位。

今天市場整體走勢和昨晚米股比起來要強一些,但是細看一下和昨天差不多,幾大指數還是軟綿綿的,下午雖然拉了一波回來,沒力度,最關鍵還是量能,有量才會有行情。

指數

隔夜美股大跌,加上昨天A股反彈無量,今天順勢低開情理之中,小幅殺跌之後,銀行開始發動,帶動上證指數翻紅,但同期市場換手漲停一直徘徊在15家左右,情緒並未有太大好轉。午後晶片發力,科技股止跌,創業板同步上證翻紅走穩,兩市紅盤報收。

當然,後續市場怎麼走,更大的影響還是在於明後天中、美的談判結果,現在網上傳播一個消息說可能達成一個過渡性協議。拭目以待,等待官宣。

板塊

銀行:9 月份銀行板塊上漲3.03%,跑贏滬深300 指數2.64 個百分點。板塊估值性價比高(對應19 年0.85xPB 和4.5%的股息收益率),疊加穩健的基本面表現,支撐板塊的股價表現。另外,隨著A 股國際化腳步的加快,海外增量資金的持續流入也將利好銀行,板塊具有長期確定性配置價值。近期平安銀行、寧波銀行屢創新高。我今天順勢參與了一些寧波銀行,試試看。

科技股:今天市場收紅盤,科技股的止跌功不可沒。連續的殺跌已經使得不少看多資金割肉出局,這裡橫盤幾天的預期還是有的。反彈的話,還是偏三季報大幅預增的方向,生益科技、卓勝微、藍思科技等等。做天線的碩貝德強勢漲停,對5G相關也起到了正向刺激。

三季報:億緯鋰能上調三季度預告,漲停。首份三季報安納達同比增長-40%,也是醉了,搶先發出來,不知道什麼意思。聖農股份、仙壇股份、益生股份這些養雞大戶業績繼續釋放。養豬的溫氏股份前三季度也是翻倍的增長。值得注意的是,今天盤後12號要出季報的許繼電氣今天提前漲停了,看來業績應該也是不錯。

其它

今天要不是屋裡陰冷的不行,估計看盤都能睡著了。晶華新材、弘高創意的大長腿都沒能帶起市場情緒,最後也塵歸塵、土歸土了。市場沒有主流核心的時候,各個題材之間基本就是輪動為主。市場高度板回到3連板的寶鼎科技,連續縮量之後,小心哪天跳出一個大陰埋人,等待新周期的到來吧。

個股分享:

晶片+華為概念龍頭股(600360):持續三日放量,明日重點關注

股票名稱:華微電子600360

公司簡介:吉林華微電子股份有限公司為國內功率半導體行業的龍頭企業.公司主要從事功率半導體器件的設計、晶片加工、封裝及銷售業務,產品主要服務於家電、綠色照明、計算機及通訊、汽車電子四大領域.公司具備自主研發能力,擁有一整套具有自主智慧財產權的高反壓大功率電晶體的專用生產技術。

公司重要事件:

一:配股投資新型電力電子器件基地項目

2019年4月,公司按每10股配售3股的比例向全體股東配售,配股價格3.9元/股,募集資金總額8.3億元,扣除發行費用後的凈額擬全部用於新型電力電子器件基地項目(二期)的建設。該項目產品包括重點應用於工業傳動、消費電子等領域,形成600V-1700V各種電壓、電流等級的IGBT晶片;同時包括應用於各領域的具有成熟產業化技術的MOSFET晶片;以及與公司主流產品配套的IC晶片。項目達產後預計將實現年銷售收入91818.14萬元,生產期平均年稅後凈利潤為18226.68萬元。

二:軍品領域合作

2016年3月,公司與北京微電子技術研究所簽訂《戰略合作意向協議書》,雙方本著平等互利、優勢互補的原則,在功率半導體器件、集成電路、MEMS器件等產品的開發應用方面進行合作,包括在軍品領域開發軍方訂單和軍方新產品研發任務所涉及的產品型號,以及對有一定批量需求的工業產品,雙方分別承擔晶片設計、生產製造、封裝、測試、銷售的任務,並開展業務合作及相應的資源共享等。協議有效期十年。北京微電子技術研究所是國家重點投資建設的軍用電子與器件研製單位,專業從事各種軍用/抗輻射集成電路、MEMS器件和二、三極體的研製,同時提供集成電路封裝、測試、可靠性試驗、可靠性及失效分析等技術服務。

三:重點突破戰略性新興產業領域

公司持續推進超結MOS、SGT MOS、IGBT、可控矽以及Trench SBD等五大工藝平台的建設工作。加大公司新技術、新產品的研發投入,研發資金逐年遞增,公司高度重視國家戰略性新興產業發展所帶來的機會,重點突破光伏領域、新能源汽車、變頻家電、軍工產品等市場領域,基本覆蓋了智能電網的產電、輸電和用電端等。公司生產的FS-Trench IGBT、FRD等高端功率器件在智能小家電、變頻家電、充電樁等領域已經實現批量銷售;公司開發了符合軍工市場要求的抗輻射MOSFET產品,產品各項性能指標已經通過客戶認證;不斷優化高壓MOS、SBD產品的性能指標,已經成功進入DELL、DIODES等大客戶系統。

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