半导体曝光机大厂ASML宣布，与韩国三星电子签署备忘录，共同投资1兆韩元创建研究中心，并用下一代极紫外（EUV）曝光机研究先进半导体制程技术。ASML也宣布与SK海力士签署ESG备忘录，双方在环境、社会和公司治理项目合作。
11月初消息，三星五年内从ASML采购50套设备，每套单价约2,000亿韩元，总价值可达10兆韩元。
三星2022年6月推出全球首个采用全栅极（GAA）技术3纳米制程，努力确保采购更多EUV曝光机，目标是2024上半年进入第二代3纳米制程，2025年进入2纳米，2027年进入1.4纳米。
三星集团董事长李在镕2022年6月拜访ASML总部，与ASML首席执行官Peter Bennink讨论EUV采购，同年11月与拜访韩国的Peter Bennink进一步会谈。鉴于EUV曝光机从下订到交货至少需一年，讨论现在才开花结果。
ASML曾表示，年底发布首台商用High-NA (NA=0.55) EUV曝光机，2025年量产出货。2025年客户就能从数值孔径为0.33传统EUV多重图案化，切换到数值孔径为0.55 High-NA EUV单一图案化，降低制程成本，提高产量。High-NA EUV曝光机将有五大客户：英特尔、台积电、三星、SK海力士、美光。ASML与三星才会与三星加强合作EUV曝光机。
(首图来源：ASML)