三星研发支出创新高 将成为全球领先芯片制造商

三星电子今日宣布已经开始大规模生产业内第一个16GB 的 LPDDR5移动 DRAM 封装，基于三星第二代10nm级工艺技术，可提供业界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手机。

继2019年7月大规模生产12GB 的 LPDDR5之后，新的16GB 进级版将引领高端移动内存市场，并增长容量、增强5G 和人工智能功能，包括图形丰富的游戏和智能摄影。

三星计划继续扩大其平泽工厂LPDDR5芯片的产能，并计划在本年下半年大规模量产基于第三代10nm级工艺的16Gb LPDDR5芯片，届时LPDDR5内存的传输速率将达到6400Mb/s。

三星始终致力于将内存技术带到最前沿，让消费者从移动设备享受惊人的体验。

据三星介绍，16GB 的 LPDDR5的数据传输速率为5，500Mb/s，大约比以前的移动内存快1.3倍，与8GB 的 LPDDR4X 相比，新的移动 DRAM 可以节省超过20%的功耗，同时提供两倍的容量。

据估计，三星电子把大部分研发支出都投入到了系统芯片和下一代说明屏面板的开发。

去年10月，三星电子又宣布将投入13万亿韩元用于制造量子点说明屏面板，并将投入3.1万亿韩元用于开发新说明屏技术。

与此同时，三星电子还透露，受公司业绩不佳的影响，该公司去年的企业税支出达到8.6万亿韩元，较上年同期下降48.3%。