性能爱好者对今年最好的旗舰智能手机感到非常失望（这是正确的） 。由三星和高通的优质芯片驱动的 2022 年高端智能手机运行很热，导致设备过热、节流和持续游戏性能不佳等问题。共同点是受影响的芯片组是在三星半导体的 4nm 节点上制造的。
高通的 Snapdragon 8 Gen 1是在三星的 4nm 节点上构建的，但其Snapdragon 8 Plus Gen 1更新是在台积电的 4nm 竞争对手上制造的。尽管年中芯片更新现在已成为常态，但移动制造商的中周期是第一次，这让我们怀疑高通对其三星生产的芯片的状态并没有留下深刻印象。我们知道我们当然没有去过。Snapdragon 8 Gen 1 手机的基准分数主要接近去年的 Snapdragon 888，并且总体上在更严格的测试下与过热和持续性能作斗争。
随着 Snapdragon 8 Plus Gen 1 手机现已上市，时钟速度提高了 10%，效率提高了 30%，我们有机会测试了其中的一些，以帮助得出有关 4nm 制造状态的一些结论. 让我们深入研究一些图表以突出关键差异。
华硕 Zenfone 9和面向游戏的ROG Phone 6让我们第一次体验到 Snapdragon 8 Plus Gen 1 的改进性能。这两款手机的性能都优于我们今年早些时候测试的 Snapdragon 8 Gen 1 手机。在基准方面，Plus 变体的结果更符合我们在去年 8 Gen 1 发布后最初的预期。ROG Phone 6 卓越的散热性能最终提供了消费者对顶级芯片所期望的持续游戏性能。
即便如此，上图的结果表明，让新芯片完全运行仍然有些犹豫，就像原来的 8 Gen 1 一样。华硕的“动态”性能模式在混合工作负载测试中的时钟速度上是保守的，即使使用其强大的ROG Phone 6游戏手机。当然，优化电池寿命并没有错，但它凸显了峰值性能与消费者日常预期之间的差距越来越大。
OnePlus 10T 展示了同样的趋势，只有通过性能模式才能获得芯片的最大性能。开箱即用，我们正在查看更保守的结果，特别是在 PCMark 测试的较长工作负载中。尽管如此，与 OnePlus 10 Pro 相比，它的提升潜力要大得多，它在启用性能模式时并没有将指针移动到那么远，这突显了芯片对节流的渴望。换句话说，Snapdragon 8 Plus Gen 1 达到了比 10% 时钟速度提升本身建议的更高的峰值性能水平，但我们测试过的手机仍然保持这种最高性能，除非特别要求。3DMark 图形测试是个例外，它在打开和关闭性能模式时看到相同的分数（因此我们没有包括两组结果）。
总体而言，快照基准测试表明，高通的 Snapdragon 8 Plus Gen 1 终于发挥了全部潜力，但这种潜力仍然比许多制造商似乎愿意允许的更多的电池消耗。
这已经很有趣了，但是如果没有更多的苹果对苹果手机的比较，这些性能差异有多少归结为芯片或手机制造商的实施还不清楚。幸运的是，我们获得了最新的 OnePlus 10T 和OnePlus 10 Pro，并在常规和无限模式下通过 3DMark 的野生动物压力测试运行它们。
通过从同一制造商处挑选两款旗舰手机，我们限制了不同性能目标的前景，但仍然看到了真实设备的视角。同时，屏幕外无限测试消除了剩下的分辨率缩放和其他因素，以便将 SoC 与 SoC 进行比较。我们在这里没有使用性能模式，因为我们想看看芯片如何在合理的热限制内运行，而不是完全不考虑温度或功率。开始了：
上面的结果不言而喻——无论我们查看哪个版本的测试，Snapdragon 8 Plus Gen 1 手机都可以在比原始版本更高的性能水平上运行更长时间。
标准压力测试显示了最坏的情况，OnePlus 的 10T 在 20 次测试运行中的性能下降至最大值的 91%，而 10 Pro 则跌至其峰值潜力的 62%。此外，后者在限制性能之前几乎无法运行 3 次（大约 3 分钟），大部分测试都在限制状态下运行。同样值得注意的是手机的温度。两种型号的最高温度几乎相同，OnePlus 10T（8 Plus Gen 1）为 45°C，OnePlus 10 Pro（8 Gen 1）为 44°C。因此，这两款芯片仍然可以很热地运行，但显然需要更少的时钟和功率节流来将 Plus 模型保持在其温度限制内。
Snapdragon 8 Gen 1 在屏幕外测试中表现更好，但最终会出现类似的性能缺陷。与此同时，10T 中的 Plus 型号在测试结束时以 95% 的最高分存活下来。我们测试过的其他手机符合 Plus 变体超越原始芯片的趋势。即使是超紧凑的华硕 Zenfone 9 的持续性能也比体积更大、散热可能更好的三星 Galaxy S22 Ultra和索尼 Xperia 1 IV还要好一些。在短短几分钟的测试后，两者都变平了。
这让三星半导体不得不认真考虑，因为其最大的客户之一已被其最大的竞争对手抢走。根据这里和其他地方的证据，事实证明 4nm 对三星来说是一场灾难，这似乎是无可辩驳的。不幸的是，直到年中，我们才确认了几个月来的怀疑。好消息是 8 Plus Gen 1 已经存在并且已经在为许多手机供电。时间会证明三星能否在 2023 年推出3nm 芯片组时及时恢复。
那么，您是否应该购买 Snapdragon 8 Plus Gen 1 手机而不是使用非 Plus 芯片的手机？这显然取决于您需要从包的其余部分中获得什么。如果说已经搭载 Snapdragon 8 Gen 1 的手机完全糟糕或性能不佳，那是错误的。这当然不是真的。这些手机不仅可以胜任日常任务，而且大多数手机也可以处理适度的游戏会话。
但是，如果您追求峰值爆发和可持续性能的最佳芯片、更长的电池寿命和更酷的手机，那么毫无疑问 8 Plus Gen 1 比其前身做得更好。当谈到极限游戏时，毫无疑问，新型号是要选择的芯片。