集微網消息（文/holly），據台媒經濟日報報道，內存大廠南亞科董事會今天決議追加65.6億元新台幣資本支出預算，用來建造10納米製程試產線。
據此前集微網報道，南亞科總經理李培瑛今年1月份宣布，已完成自主研發10納米級DRAM技術，將在今年下半年試產。
李培瑛表示，南亞科已成功開發出10納米DRAM新型存儲器生產技術，使DRAM產品可持續微縮至少三個時代。第一代的10納米前導產品8GB DDR4、LPDDR4及DDR5將建構在自主製程技術及產品技術平台，2020下半年後將進入產品試產。
第二代10納米製程技術已開始研發階段，預計2022年前導入試產，後續會開發第三代10納米製程技術。他強調，南亞科進入10納米製程之後，會以自行研發的技術為主，降低授權費用支出，能大幅提升效能。
據悉，全球DRAM內存晶片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他們的份額高達95%以上，關鍵原因就在於這三家的技術專利形成了極高的門檻，其他公司突圍起來很難。
南亞科現在以20納米技術為主力，技術來源為美光。隨著南亞科10納米製程導入自主技術，意味未來不再仰賴美光授權，每一顆產品都是公司自行開發，擺脫數十年來技術長期依賴國際大廠的狀況，免除動輒上百億元的授權費用，包袱大減。
（校對/ Jurnan ）