存儲晶片是嵌入式系統晶片的概念在存儲行業的具體應用。主要集中於企業級存儲系統的應用，為訪問性能、存儲協議、管理平台、存儲介質，以及多種應用提供高質量的支持。隨著數據的快速增長，數據對業務重要性的日益提升，數據存儲市場的需求日益增加。
存儲晶片的種類很多，按用途可分為主存儲晶片和輔助存儲晶片。前者又稱內存儲晶片（內存），可以與CPU直接交換數據，速度快、容量小、價格高。後者為外存儲晶片（外存），指除內存及緩存以外的儲存晶片。此類儲存晶片一般斷電後仍然能保存數據，速度慢、容量大、價格低。
按照斷電後數據是否丟失，可分為易失性存儲晶片和非易失性存儲晶片。易失性存儲晶片常見的有DRAM和SRAM。非易失性存儲晶片常見的是NAND快閃記憶體晶片和NOR快閃記憶體晶片。
其中DRAM和NAND flash是中國進口存儲晶片中最為重要的兩類，DRAM 你可以把它簡單叫做內存 ，然後NAND Flash 叫做快閃記憶體。2018年，中國進口了3120億美元的晶片，其中存儲晶片高達1150億美元，這1150億美元的存儲晶片中，高達97%的是DRAM和FLASH。
在這裡指出一下，中國進口物品占比最高的四項，分別是集成電路（簡單理解為半導體晶片）、石油、鐵礦石和液晶面板，目前，中國在集成電路上，和歐美還存在很大的差距。
存儲晶片領域以DRAM來說，三星、美光以及海力士總共占據全球DRAM晶片市場份額的96% ，而 NAND flash 上則三星、東芝、美光、海力士、英特爾五家壟斷。總結來說，日韓美三國壟斷了存儲晶片市場。
在2016年前，中國在存儲晶片市場為0，所以極易被國外卡脖子，而是非常被動。這個時候，紫光集團成立了長江存儲，來攻克存儲晶片市場。
紫光集團前身是清華大學科技開發總公司，1988年清華大學成立了清華大學科技開發總公司，這是
清華大學第一家綜合型科技企業，1993年改名為清華紫光集團。
紫光前些年一直在努力發展集成電路，他先後收購了展訊和銳迪科，將他們合併為紫光展銳，展訊大家可能並不了解，展訊可以說是全球低端晶片的輸出大廠，晶片銷量堪比高通，展訊、海思、聯發科是中國三大IC設計廠商。
2015年6月份的時候，就有近50%的印度本土手機品牌使用的都是展訊的手機晶片，其在Micromax、Intex、Lava等印度本土手機品牌產品當中所占據的份額分別高達47%、63%、24%。
後來，與全球最大硬碟供應商西部數據合資，成立「紫光西數」，紫光占股51%;這些大併購、大結盟，令紫光迅速完成集成電路產業鏈的大布局。紫光集團也被譽為中國版「三星」。
而紫光成立長江存儲，集中精力攻堅的就是 NAND flash ，從2016年開始努力，到2017年11月，紫光集團花費了10億美元，整整1000人的研發團隊花費2年時間研發成功首款國產32層3D NAND存儲晶片。這標誌著中國存儲晶片實現了0的起步。
但是這明顯還不夠，在技術方面，為了儘快縮短與國外廠商的差距，長江存儲在快閃記憶體技術上採取了跳躍式發展，32層堆棧的只是小量生產，2019年5月，紫光成功研發了64層堆棧3D NAND存儲晶片，與三星的96層堆棧只有1代的差距，要知道，2018年64層堆棧3D NAND快閃記憶體的大規模量產，全球6大NAND快閃記憶體廠商在年底才開始轉向96層堆棧的新一代3D NAND。
而紫光將直接跳過96層堆棧直接進入128層堆棧，這幾家公司預計也會在2020年才會推出128層堆棧的快閃記憶體，到時候紫光的存儲晶片將與國際晶片大廠站在統一水平線上。
雖然，長江存儲到年底擴張達至少60K/m的投片量，與其他競爭者動輒200K/m以上的產能並不算大，但NAND Flash市場價格仍受到一定衝擊，導致跌價趨勢持續，而這樣也縮減了中國在存儲晶片上的進口費用。
紫光集團存儲晶片的研發讓中國在存儲晶片市場擁有了議價權，不需要再擔心被別人卡脖子，每年將幫中國節省上千億的費用。
而且長江存儲還研發了一種創新性技術，2018年長江存儲推出了Xtacking結構的3D NAND快閃記憶體技術，該技術將為3D NAND快閃記憶體帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。
採用Xtacking，可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利於選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工後，創新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。
根據長江存儲此前公布的數據顯示，在傳統3D NAND架構中，外圍電路約占晶片面積的20~30%，這也使得晶片的存儲密度大幅降低。而隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路所占據的晶片面積或將達到50%以上。而Xtacking技術則可將外圍電路置於存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。
長江存儲表示：
「目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標值是1.4Gbps，而大多數NAND供應商僅能供應1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技術我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當。這對NAND行業來講將是顛覆性的。」
2019年，長江存儲再次升級了Xtacking技術，發布了Xtacking2.0，將進一步提升進一步提升NAND吞吐速率、提升系統級存儲的綜合性能。
而在DRAM領域，合肥長鑫也在艱難攻堅，目前已累積有1萬6千個專利申請，已持續投入晶圓量超過15000片。
目前，長鑫與國際主流DRAM產品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產能每月12萬片晶圓。和最先進的是三星的第2代10納米等級製程的新款12Gb LPDDR5 DRAM相比。合肥長鑫和三星之間的差距並沒有很大，
而且合肥長鑫為了減少美國制裁威脅，它們重新設計了DRAM晶片，以儘量減少對美國原產技術的使用。
這也標誌我國在內存晶片領域實現量產技術突破，擁有了這一關鍵戰略性元器件的自主產能。
合肥長鑫在合肥召開的2019世界製造業大會上，宣布總投資約1500億元的存儲內存晶片自主製造項目投產。
可以說隨著紫光集團和合肥長鑫的雙拳齊出，中國在也不需要在存儲晶片領域看西方的眼色了。在半導體領域，中國會慢慢發展，從而構建屬於我們的半導體生態。