晶片製造工藝流程：IC封裝工藝簡介
指晶片（Die）和不同類型的框架（L/F）和塑封料（EMC）形成的不同外形的封裝體。
IC Package種類很多，可以按以下標準分類：
按封裝材料劃分為：
金屬封裝、陶瓷封裝、塑料封裝
金屬封裝主要用于軍工或航天技術，無商業化產品；
陶瓷封裝優於金屬封裝，也用于軍事產品，占少量商業化市場；
塑料封裝用於消費電子，因為其成本低，工藝簡單，可靠性高而占有絕大部分的市場份額；
按照和PCB板連接方式分為：
PTH封裝和SMT封裝
PTH-Pin Through Hole, 通孔式；
SMT-Surface Mount Technology，表面貼裝式。
目前市面上大部分IC均採為SMT式的
按照封裝外型可分為：
SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；
決定封裝形式的兩個關鍵因素:
封裝效率。晶片面積/封裝面積，儘量接近1:1；
引腳數。引腳數越多，越高級，但是工藝難度也相應增加；
其中，CSP由於採用了Flip Chip技術和裸片封裝，達到了 晶片面積/封裝面積=1:1，為目前最高級的技術；
QFN—Quad Flat No-lead Package 四方無引腳扁平封裝
SOIC—Small Outline IC 小外形IC封裝
TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封裝
QFP—Quad Flat Package 四方引腳扁平式封裝
BGA—Ball Grid Array Package 球柵陣列式封裝
CSP—Chip Scale Package 晶片尺寸級封裝
提供電路連接和Die的固定作用；
主要材料為銅，會在上面進行鍍銀、 NiPdAu等材料；
L/F的製程有Etch和Stamp兩種；
易氧化，存放於氮氣櫃中，濕度小 於40%RH;
除了BGA和CSP外，其他Package都會採用Lead Frame， BGA採用的是Substrate；
實現晶片和外部引線框架的電性和物 理連接；
金線採用的是99.99%的高純度金；
同時，出於成本考慮，目前有採用銅 線和鋁線工藝的。優點是成本降低， 同時工藝難度加大，良率降低；
線徑決定可傳導的電流；0.8mil， 1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；
主要成分為：環氧樹脂及各種添加劑（固化劑，改性劑，脫 模劑，染色劑，阻燃劑等）；
主要功能為：在熔融狀態下將Die和Lead Frame包裹起來， 提供物理和電氣保護，防止外界干擾；
存放條件：零下5°保存，常溫下需回溫24小時；
有三個作用：將Die固定在Die Pad上； 散熱作用，導電作用；
-50°以下存放，使用之前回溫24小時；
將從晶圓廠出來的Wafer進行背面研磨，來減薄晶圓達到 封裝需要的厚度（8mils~10mils）；
磨片時，需要在正面（Active Area）貼膠帶保護電路區域 同時研磨背面。研磨之後，去除膠帶，測量厚度；
將晶圓粘貼在藍膜（Mylar）上，使得即使被切割開後，不會散落；
通過Saw Blade將整片Wafer切割成一個個獨立的Dice，方便後面的 Die Attach等工序；
Wafer Wash主要清洗Saw時候產生的各種粉塵，清潔Wafer；
主要是針對Wafer Saw之後在顯微鏡下進行Wafer的外觀檢查，是否有出現廢品。
晶片拾取過程：1、Ejector Pin從wafer下方的Mylar頂起晶片，使之便於 脫離藍膜；2、Collect/Pick up head從上方吸起晶片，完成從Wafer 到L/F的運輸過程；3、Collect以一定的力將晶片Bond在點有銀漿的L/F 的Pad上，具體位置可控；4、Bond Head Resolution： X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um；5、Bond Head Speed：1.3m/s；
銀漿固化：
175°C，1個小時；N2環境，防止氧化：
Die Attach質量檢查：
Die Shear（晶片剪切力）
利用高純度的金線（Au） 、銅線（Cu）或鋁線（Al）把 Pad 和 Lead通過焊接的方法連接起來。Pad是晶片上電路的外接 點，Lead是 Lead Frame上的 連接點。
W/B是封裝工藝中最為關鍵的一部工藝。
EOL– Molding（注塑）
在產品（Package）的正面或者背面雷射刻字。內容有：產品名稱，生產日期，生產批次等；
用於Molding後塑封料的固化，保護IC內部結構，消除內部應力。Cure Temp：175+/-5°C；Cure Time：8Hrs
目的：De-flash的目的在於去除Molding後在管體周圍Lead之間 多餘的溢料；方法：弱酸浸泡，高壓水沖洗；
利用金屬和化學的方法，在Leadframe的表面 鍍上一層鍍層，以防止外界環境的影響（潮濕 和熱）。並且使元器件在PCB板上容易焊接及 提高導電性。
電鍍一般有兩種類型：
Pb-Free：無鉛電鍍，採用的是>99.95%的高純 度的錫（Tin），為目前普遍採用的技術，符合 Rohs的要求；
Tin-Lead：鉛錫合金。Tin占85%，Lead占 15%，由於不符合Rohs，目前基本被淘汰；
目的： 讓無鉛電鍍後的產品在高溫下烘烤一段時間，目的在於 消除電鍍層潛在的晶鬚生長（Whisker Growth）的問題;條件： 150+/-5C; 2Hrs；
Trim：將一條片的Lead Frame切割成單獨的Unit（IC）的過程； Form：對Trim後的IC產品進行引腳成型，達到工藝需要求的形狀， 並放置進Tube或者Tray盤中；
在低倍放大鏡下，對產品外觀進行檢查。主要針對EOL工藝可能產生的廢品：例如Molding缺陷，電鍍缺陷和Trim/Form缺陷等；