地彈的形成：

晶片內部的地和晶片外的PCB地平面之間不可避免的會有一個小電感。這個小電感正是地彈產生的根源，同時，地彈又是與晶片的負載情況密切相關的。下面結合圖介紹一下地彈現象的形成。

簡單的構造如上圖的一個小「場景」，晶片A為輸出晶片，晶片B為接收晶片，輸出端和輸入端很近。輸出晶片內部的CMOS等輸入單元簡單的等效為一個單刀雙擲開關，RH和RL分別為高電平輸出阻抗和低電平輸出阻抗，均設為20歐。GNDA為晶片A內部的地。GNDPCB為晶片外PCB地平面。由於晶片內部的地要通過晶片內的引線和管腳才能接到GNDPCB，所以就會引入一個小電感LG，假設這個值為1nH。CR為接收端管腳電容，這個值取6pF。這個信號的頻率取200MHz。雖然這個LG和CR都是很小的值，不過，通過後面的計算我們可以看到它們對信號的影響。

先假設A晶片只有一個輸出腳，現在Q輸出高電平，接收端的CR上積累電荷。當Q輸出變為低電平的時候。CR、RL、LG形成一個放電迴路。自諧振周期約為490ps，頻率為2GHz，Q值約為0.0065。

使用EWB建一個仿真電路。(很老的一個軟體，很多人已經不懈於使用了。不過我個人比較依賴它，關鍵是建模，模型參數建立正確的話仿真結果還是很可靠的，這個小軟體幫我發現和解決過很多實際模擬電路中遇到的問題。這個軟體比較小，有比較長的歷史，也比較成熟，很容易上手。建議電子初入門的同學還是熟悉一下。)因為只關注下降沿，所以簡單的構建下面一個電路。起初輸出高電平，10納秒後輸出低電平。為方便起見，高電平輸出設為3.3V，低電平是0V。(實際200M以上晶片IO電壓會比較低，多採用1.5-2.5V。)

電感兩端波形如下所示。電壓為2V/格，可以看到下沖可以到-600mV。

於是輸出低電平信號如下圖所示：

我們看到實際上由於RL的作用，接收端下沖只到71mV。

這個RL的作用很大。如果這個值是2歐的話，Q值增大10倍。(這是假設，只為更形象的說明其作用，實際不會做到這麼小的。)可以看到下沖可以到-2.6V。

而晶片B接收端信號也惡化很多。信號下沖已經到了-2.5V。

前面我們只分析了一個輸出變化引起內部地彈的情況。當出現一組數據線同時由高電平翻轉為低電平時(假設為10根)，則等效模型為RL為2歐，CR為60pF。電感兩端波形如下圖所示：(晶片內部地最低到-1.69V，信號端下沖也達到-1.48V)

晶片加工過程中會採用各用工藝儘可能的縮小LG的值，並且通過增加地引線的方式減小LG的值(等效為並聯)。比如一片1000腳左右的BGA封裝晶片。有一組輸出總線寬度為72bit，而晶片引出地引腳為200根。那麼這個電路可以等效為下面的形式：

晶片內部地的波形如下圖所示：(下沖只有320mV)

可以看到，一方面通過增加地引線數目，地彈現象得到了很大的改善;另一方面，72根數據線同時翻轉的幾率也很低，所以地彈得到了很有效的控制。然而，不是所有的晶片都能提供足夠多的地，除了BGA封裝，其它封裝地引線還是比較少的。如果一個晶片有18個輸出，只有4個地引腳。那麼RL變為1.25歐，CR為96pF，LG為0.25nH，晶片地上的地彈情況就會比起初假設的情況更糟了。可以看到下沖已經到了-1.23V。

地彈的影響：

看到了上面地彈分析和相關波形，我們第一感覺總會認為地彈最大的危害是給輸出信號增加了下沖。其實不然，地彈最大的危害其實在於對輸入的影響――會形成二次觸發。下面結合圖分析一下二次觸發是怎麼形成的。

再構造一個簡單模型。在前面的模型基礎上給晶片A加入了一個輸入端――構造一個觸發時鐘的上升沿。模擬場景為：在9.8ns的時候這個上升沿產生，上升時間大概為660ps。在10ns的時候時鐘信號達到高電平並觸發了所有輸出由高電平翻轉為低電平。

真實情況下，時鐘輸入端的6pF電容(管腳電容)下邊應該接到晶片地的，但那樣波形會比較複雜(不是一個單調的上升沿)，為獲得一個單調的上升沿，以更直觀的說明問題，暫把電容模型直接並在時鐘輸入與PCB的地之間。

可以看到下面的波形情況：

而對晶片來說，接收端的信號是相對內部地的。也就是說對於晶片A來說，它認為輸入時鐘是信號與內部地的差。即晶片理解的波形是下面的樣子：

可以看到晶片內會認為時鐘上有一個回溝，從而造成觸發器的二次觸發。如果是一個計數器時鐘輸入的話一個上升沿就會被計為兩個上升沿;如果是鎖存器的話，就會重新鎖存一下數據，這裡需要注意，這個回溝會疊加到每一個輸入信號端。也就是說二次觸發時鎖存到的數據可能是錯誤的數據!

這裡仿真的回溝幅度比較大，主要是一次觸發後的那個下降沿(對應電感兩端的上升沿)。如果情況真的如我們上面看到的波形一樣，那晶片怎麼還能正常工作呢??下面來解釋一下：

其實，上面為了更好的理解對輸入的影響，對大家做了一個誤導。(今天愚人節，說謊有理^_^)關鍵就在那個輸入端的6pF電容!把這個小電容按實際情況接到晶片內部地上的話，情況就大不一樣了。

下面看一下相對PCB地平面輸入時鐘波形和晶片內部地的電平變化：(高的一條線為輸入時鐘信號，低的一條為晶片內部地。在9.8ns和10ns分別有一次正向跳變。)

怎麼會這樣?回溝完全沒有了!?只是在10ns後出現了一個小台階…下面我們分析一下原因^_^

小台階的出現是因為晶片B的輸入端積累的正電荷反灌了回來，而又不能馬上通過電感(電感的電流不能瞬間變化)，於是在電感兩端產生了一個與輸出電壓相等的電勢。而在9.8ns的時候由於時鐘信號的高電平，已經有電流通過輸入端小電容，然後又通過電感了。於是電感中已經允許有電流通過，在10ns的時候電流再回灌的話就可以通過電感了，(這個時候前邊時鐘輸入端的小電容基本不過電容了，所以看到前一個波形里時鐘會有兩個跳變)於是回溝就看不到了(但並不是沒有了，圖上看不到回溝主要是因為10ns的時候時鐘信號在中心電平附近，還和很多條件相關，比如：把輸入時鐘端的電容設為4pF的話，就又有了一個小回溝，就不細說了，要不今天就甭吃晚飯了^_^)。

下面再做一點很小的修改(在時鐘信號線或晶片管腳與PCB的地之間有一個小電容1.5pF)：

呵呵，是不是有想吐的感覺?它又出來了…

地彈的測量：

地彈要測量晶片內部的地電平變化，總不能割開晶片去測吧?確實是沒有辦法直接測到，不過，對CPLD或FPGA可以大致的測量內部地彈情況的。可以把某一個管腳設為低電平輸出。大多晶片內部地與輸出低電平之間的壓差是基本不變的。測量這個低電平輸出的電壓波形就能反應出內部地彈情況了。示波器帶寬要夠啊!對測試技巧要求也比較高^_^

地彈的規避：

通過上面的分析，我們了解了地彈的機理，可以採取一些措施來規避(暫時只能想到這些了)：

1、 設計CPLD或FPGA等邏輯器件的時候儘可能不要同時對大量的輸出進行翻轉。

2、 輸出不要帶太多負載。

3、 加始端串阻匹配。相當於增大了開始建的模型里的RL。

4、 終端並聯匹配也能起到很好的效果。(電流可以不單走電感了)

5、 對晶片前邊的輸入也不容忽視，可以看到例中1.5pF小電容的作用^_^(一個小過孔焊盤與地之間的電容也近0.3pF呢。)

晶片製造商也可以：

1、 引比較多的地線，減小LG。

2、 改進位造工藝，減小LG。(幾乎是到頭了…)

3、 晶片內部將輸入和輸出地分開，這樣輸出引起的地彈就不會影響到輸入端了。也就避免了二次觸發。

4、 採用差分結構。差分結構里也有電感，但是對差分結構進行分析的話，不難發現電感中的電流在0和1的邏輯狀態是方向和大小都不變的。不會有電平翻轉後電荷不能通過電感的現象。

和地彈機理相同，還有電源彈射呢^_^機理相同，就不再重複了。

本想花一上午搞定的，沒想到整整花了一天時間…有點奢侈了。當過節了，希望對大家有用。水平有限，有理解錯誤的地方還望提醒。

下面附上一些常見封裝的引腳電感LG。

14腳DIP：8nH。

68腳DIP：35nH。

68腳PLCC：7nH。

絲焊：1nH。(將一個未密封的管芯背向放在PCB板上，把晶片上的小焊盤和PCB之間的小焊盤用細線焊接起來，很少用)

BGA：0.1nH。

內容整理自網絡

臥龍會，臥虎藏龍，IT，電子行業高手匯聚！歡迎關注