【ITBEAR】近期，中國在半導體產業的多個領域正加速推進自給自足的步伐，力求減少對外部供應鏈的依賴。這一戰略涵蓋了邏輯晶片製造、DRAM內存、HBM內存、NAND快閃記憶體，以及半導體設備和材料的研發與生產。
在邏輯晶片製造領域，儘管有觀點認為中國與全球領先水平存在約十年的差距，但更多分析傾向於這一差距在3-5年左右。這一評估部分基於華為最新款手機的晶片性能。
DRAM內存方面，中國廠商長鑫已實現LPDDR5技術，相當於全球第六代水平，僅落後一代。然而，在更先進的HBM內存領域，中國據估計落後全球約十年，主要歸因於起步較晚。
NAND快閃記憶體方面，長存曾推出全球首款200+層3D NAND快閃記憶體，技術領先。但因設備受限，目前國產化水平約為160層，與競爭對手存在兩代差距。儘管如此，外媒指出，長存的技術基礎並未落後，只是受限於設備。
半導體設備方面，中國落後全球約3-5年，而在光刻機技術上，差距被評估為至少15年以上，因為中國尚未掌握浸潤式光刻機技術，而ASML已擁有超過20年的相關經驗。
外媒總結認為，半導體產業極為複雜，全球尚無國家能實現完全自給。中國雖因外部壓力刺激了創新，但在如此複雜的技術生態中，單打獨鬥的戰略面臨巨大挑戰。中國要實現全產業鏈自給，仍有漫長道路要走。
來源：http://www.itbear.com.cn/html/2024-10/534512.html