硬體工程師招聘應屆生一般會考察什麼，有什麼要求，全面解析

解析：

本題考察了齊納二極體（穩壓管）的用法以及相關的簡單計算。首先從第二問開始解析，齊納二極體一般反並聯在負載兩端，當負載電壓超過齊納二極體的反向擊穿電壓時，齊納二極體擊穿，此時進入反向擊穿區。利用其在反向擊穿區「電流增加時電壓基本不變」的特性，將負載電壓穩定在其擊穿電壓處。

結合原理圖和齊納二極體伏安特性曲線分析來看，當RL電壓增加到5V以上時，齊納二極體反向擊穿，使得負載電壓穩定在5V。

再來看第一問。第一問只要求理想輸出電壓，那麼可以將噪聲電壓直接變為0V來分析（電路課本中的疊加定理）。當RL=2kohm時，先將齊納二極體從電路中去掉，根據下面的電阻分壓公式可以計算出VO：

VO = 10 x 2k/2k+1k = 6.67V

6.67V大於5V，因此齊納二極體反向擊穿，負載電壓穩定在5V, VO = 5V。

同樣的原理，先計算出RL=4kohm時無齊納二極體的VO：

VO = 10 x 4k/4k+1k = 8V，8V > 5V,所以此時VO = 5V

根據上面的計算和分析，可以知道這個關係式其實有兩部分：齊納二極體沒有反向擊穿時、齊納二極體反向擊穿時。關係式的確立需要找到臨界條件，即VO = 5V。根據電阻分壓定理可以知道，在RL = 1kohm時，VO = 5V，所以關係式如下面所示：

VO = 10V x RL/(RL+RIN), RL

VO = 5V, RL > 1kohm

以上就是CVTE的整套題目的解析了。接下來，我們繼續解析紫光展銳硬體筆試題。大家會發現，CVTE筆試的很多知識點會在紫光展銳的這一套題中再次出現，說明這些反覆出現的考點就是需要求職者必須掌握的最基礎的知識。

1.穩壓管通常工作在：（單選）

A．正嚮導通狀態

B．反嚮導通狀態

解析：本題答案為B。具體原因已經在上面的簡答題中進行過分析了，同時達爾聞此前解析的題目中也有關於穩壓管的題目，對穩壓管的使用仍有疑惑的同學可以翻閱之前的題目進行練習。

2. BJT在工作時，Vbe = 0.7V和Vbc < 0V,該電晶體工作在_狀態（單選）

A．截止

B．放大

C．臨界飽和

D．飽和

解析：由於沒有說是什麼類型的BJT，先用NPN來分析。BJT進入放大區的條件有兩個：發射結正偏，集電結反偏。對NPN管來說，就是Vbe > 0.7V,Vbc < 0V。題目中的條件是Vbe = 0.7V,處於臨界狀態，因此選C臨界飽和。

再用PNP來分析。如果是PNP管，一般是Ve電壓大於Vb電壓，Vb電壓大於Vc電壓，即Vbe < 0, Vbc > 0,題目中的這種情況一般不會出現，又因為這是道單選題，所以不予考慮。

3.三極體與MOS管的描述正確的是（單選）

A．三極體是電流控制型，MOS管是電壓控制型

B．三極體是電壓控制型，MOS管是電流控制型

C．三極體是電壓控制型，MOS管是電壓控制型

D．三極體是電流控制型，MOS管是電流控制型

解析：本題答案為A

又是熟悉的三極體與MOS管對比，在上一套題里已經有所解析，這裡再次複習一下。三極體最核心的公式是 Ic = (beta)* Ib，其中beta指三極體本身的電流放大係數，這也就說明了三極體的工作是通過控制基極電流Ib從而控制流過集電極的電流Ic，所以三極體是電流控制型。

MOS管的導通控制主要依靠gs電壓，以NMOS為例，當gs兩端電壓大於門檻電壓，即Vgs>Vgs(th)時，ds導通溝道開始形成。在不損壞MOS的前提下，Vgs越高，導通溝道越寬，導通電阻越小。因此MOS管是電壓控制型。答案選A。

這類關於三極體和MOS管對比的題目在各個廠家的筆試中已經算是必考了，所以對於這兩種器件的特性要有一個清晰的認識。