在美國矽谷工作近20年後，2004年，尹志堯選擇回國創業。19年來，中微公司在中外不對等的競爭中突出重圍，書寫了半導體設備的中國故事。
尹志堯認為，對半導體設備企業來說，單一的產品、單一的產業布局，面對行業發展周期的波動，很難保證持續穩定的發展，時刻有遭遇風險和危機的可能。
美國矽谷（SiliconValley）以「矽」命名，其傳奇也始於半導體鼻祖——仙童半導體（FairchildSemiconductor），從這裡誕生了應用材料、泛林半導體等多家知名半導體設備大廠，演繹了一個又一個傳奇故事。
而在大洋彼岸的中國，屬於中國半導體的故事也正在不斷上演，背後離不開一個又一個「開拓者」。
2000年後，隨著電子產品的迅速普及和國內支持政策落地，中國半導體行業迎來高速發展期。在這一大背景下，掀起了一波海外人才回國創業的高潮，其中就包括尹志堯等中國半導體行業的「開拓者」。中芯國際、華虹半導體以及中微公司等中國半導體頭部企業也相繼在這一時期成立。
2004年，成立僅4年的中芯國際登陸港交所。當時，尹志堯已是一位在矽谷工作近20年、擁有豐富的半導體設備研發經驗領域的資深專家。尹志堯意識到中國半導體產業的歷史機遇，毅然選擇回國並主導創立了中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱「中微公司」），從零開始自主研發刻蝕機設備。僅用3年時間，中微公司就研製成功中國第一台CCP（電容性耦合的等離子體源）刻蝕機，實現了零的突破，填補了國內的空白。
從2009年移動網際網路的開始興起到2018年之後新一代信息技術的頻頻湧現；從智能終端的普及到萬物互聯的融入人們生活，其中半導體晶片都占據了越來越重要的地位，逐漸成為數字化社會的重要基石，也激發了半導體製造工藝製程的進步。
在這股洪流中，半導體設備承擔了生產加工晶片的重任，同時必須時刻緊跟行業發展的脈絡。成立至今，中微公司的發展歷程始終緊扣半導體行業發展脈絡和周期。公司自研的刻蝕機產品逐步完成了從65納米到5納米工藝的全面覆蓋，與全球高精度光刻機的匹配，滿足行業和客戶對先進位程晶片不斷提升的需求，以此成功打入海外市場。如今，中微公司正向著更先進的工藝製程發起衝擊。尹志堯回國創業19年來，一直堅守在中微公司管理層一線，把控著重要的戰略管理和產品研發，帶領公司在半導體設備領域中取得了大量技術突破。如今，中微公司躋身全球刻蝕機設備行業的龍頭之列的同時，也締造了中國半導體製造裝備領域的「新範式」。
不能低估的刻蝕機設備
前不久，人們對中國光刻機等半導體設備自主研發的呼聲頗高，但與聚光燈下的光刻機截然相反的是，刻蝕機卻一直被低估，甚至被誤讀。
眾所周知，半導體晶片製造工藝的複雜程度極高，涉及數千道工序和大量專業設備。其中，刻蝕機很容易與光刻機混淆。SEMI 2021年數據顯示，總額達到875億美元規模的晶圓製造設備市場中，刻蝕機的占比約為20%。可以說，刻蝕機是僅次於光刻機的重要半導體設備，但刻蝕機的複雜難度絲毫不亞於光刻機。
從原理上來看，光刻機的用途是將晶片設計電路結構通過光線投射到半導體晶圓上，而刻蝕機則通過化學或物理方法去除晶圓表面不必要的部分，實現微觀雕刻。如果將光刻機比作木匠用墨線在木板上畫線，那刻蝕機就相當於在木板上按照墨線的痕跡雕花。
「5納米製造工藝的晶片，相當於人的頭髮絲直徑差不多一萬三千分之一那么小的尺度。刻蝕機就是在這樣的尺度上進行雕刻。」中微公司董事長、總經理尹志堯如此向福布斯中國形容刻蝕機的用途，也表達了其技術的難度和重要性。
堅持創新和差異化，應對不對等競爭
面對體量和研發投入都相差甚遠的海外巨頭，中微公司如何應對如此不對等的競爭局面？尹志堯多次提到「創新」和「差異化」。他強調，中微公司不會走海外巨頭的老路，而是選擇全新的技術路徑和方向，從零開始實現技術突破，走上一條獨立自主發展道路。例如，電容性等離子體刻蝕設備的研發過程中，在海外廠商還未意識到之前，公司就開創性地推出了甚高頻去耦合等離子體刻蝕技術，從而快速在全球市場站穩了腳跟。
在2022年全球刻蝕設備市場排名中，中微公司的市場份額排名第四位，前三位為泛林半導體（LamResearch）、日本東京電子（TokyoElectron）和美國應用材料（AppliedMaterials）三家老牌海外巨頭。由於刻蝕機門檻高、技術難度大，作為後起之秀的中微公司已實屬不易。
年報顯示，中微公司從2012年到2022年十年的平均年營業收入一直保持高於35%的增長率。即使行業處於周期低谷中，中微公司業績仍保持高速增長。以2023年上半年為例，儘管中國市場集成電路設備同比下降約33%，公司依然實現了營收25.27億元，同比增長28.13%，歸母凈利潤10.03億元，同比增長約114.4%。
以多品類的戰略布局，抵禦行業周期
對於半導體行業的周期性特徵，尹志堯有著深刻的理解。在他看來，對半導體設備企業來說，單一的產品、單一的產業布局，面對行業發展周期的波動，很難保證持續穩定的發展，時刻有遭遇風險和危機的可能。
為了儘可能規避行業不景氣和國際局勢的影響，中微公司在產品布局上另闢蹊徑，制定了多品類的戰略布局。除了主營的刻蝕機產品外，中微公司還布局了薄膜機、檢測機等半導體設備，同時大膽向LED顯示和照明、太陽能電池、傳感器等泛半導體設備關鍵領域進行拓展，並積極探索環境保護、大健康、企業網絡等戰略新興領域的發展機會。
一個典型的例子是，2010年，尹志堯敏銳地發現，原本用來加工LED照明晶片的MOCVD設備，將成為半導體化合物材料製備的關鍵技術之一。經過提前地分析研判，中微公司在完成該領域布局短短一年的時間內，就將MOCVD設備的全球市場占有率從5%提升至70%，一舉成為全球市占率第一的MOCVD設備供應商，從而大大提升了公司營運抗風險周期波動的能力。
半導體始終是一個全球化的產業，任何一個國家或地區都無法實現半導體供應鏈的自給自足，必須依靠全球化的協同合作。然而，在逆全球化思潮及供應鏈重構等趨勢下，原本半導體行業全球化格局已經被打破。同時，在中國半導體國產替代加速的當下，如何從參與者轉向貢獻者、引領者，已成為中國半導體廠商無法迴避的課題。
不可否認的是，目前包括高精度光刻機在內，中國半導體產業鏈中的多個關鍵技術環節仍落後並受制于海外巨頭，但從中微公司近20年的發展歷程來看，堅持自主研發、技術創新，依靠差異化的思維及另闢蹊徑的技術路徑，已然成為中國半導體及科技公司突出重圍並走向全球市場的「殺手鐧」。當然，這也或將為中國光刻機等半導體關鍵技術的突破帶來啟發。
以下是福布斯中國對話尹志堯的內容節選：
福布斯中國：中微公司的成立、壯大與大多數中國半導體公司所經歷的環境相似，Day1就面臨競爭對手的圍追堵截，中微公司是如何一步一步不斷創新，取得今天的成績？
尹志堯：中微自2004年成立以來，一直致力於開發和提供微觀加工所需的高端關鍵設備，根據先進位程工藝最前沿的發展，並與國際領先的客戶攜手前行。目前，公司取得成績主要歸功於對產品的合理布局以及一直堅持的「創新」和「差異化」的理念。
首先，通過產品的合理布局，公司主要聚焦在半導體晶片製造設備行業中最關鍵的設備上。我們所從事的等離子體刻蝕設備和化學薄膜設備是集成電路前道設備市場最大的兩種設備。特別是等離子體刻蝕設備是製程步驟最多、工藝過程開發難度最高、市場增長最快的設備，占半導體前道設備總市場的約22%。
而我們開發的導體化學薄膜沉積設備LPCVD（低壓化學氣相沉積）和外延設備EPI是最關鍵的設備品類。此外，公司還通過投資布局了集成電路第四大設備市場——光學檢測設備。
中微公司南昌生產研發基地
另一類主打產品MOCVD設備，是三五族化合物半導體製造的最關鍵的核心設備，該高端外延設備的應用從照明，向大面積顯示屏、功率器件、微顯示等新興領域迅速擴展，市場領域擴展迅猛。
其次，在產品開發、設計和製造過程中，我們堅持「創新」和「差異化」。在CCP電容性高能等離子體刻蝕設備的研發過程中，開創性地推出了甚高頻去耦合等離子體刻蝕技術；在ICP電感性低能等離子體源的開發過程中，設計了新型電感線圈架構，以減少電容性耦合引起的不良作用；在MOCVD（金屬有機化合物化學氣相沉積）設備的開發過程中，公司設計了精確定位的托盤鎖定機制。為了增加產能輸出、有效降低客戶成本，公司在等離子體刻蝕設備中採用了雙反應台技術，即一個反應腔中配置兩個反應台，同時加工兩片晶圓。
福布斯中國：此前三年，受到地緣政治、新冠疫情等影響，逆全球化、供應鏈重構等不確定性因素深刻影響了全球格局，公司如何在逆境下實現增長？
尹志堯：過去的2022年和今年上半年，外部形勢依然嚴峻，國際集成電路產業在經歷了短暫的高速發展後進入了調整期，國際政治環境給國內集成電路行業發展，特別是高端設備市場造成了相當的負面影響。
中微積極應對複雜環境的考驗，上下一心，與客戶和供應廠商密切合作，取得了超出預期的成績。其中，公司的綜合競爭優勢繼續得到強化和提升，各項營運的KPI指標達到國際最先進半導體設備企業的水平。同時，公司特別重視團隊總能量的最大化和在市場上競爭的凈能量最大化，勞動生產率不斷提高，2023年上半年人均年化營業收入達到約350萬元。
雖然目前全球有能力參與微觀加工高端設備主流市場競爭的企業非常有限，我們在這些高端設備領域已有領先的布局和影響力。公司累計已有約3,700個等離子體刻蝕和化學薄膜的反應台，在國內、亞洲和歐洲的100多條生產線，全面實現了量產和大量重複性銷售，在過去的十年中在線總台數的年平均增長超過35%，贏得了眾多客戶和供應廠商的信任和支持。
福布斯中國：在晶片生產設備中，刻蝕機是最難的設備之一，最初為什麼選擇這一高端領域？又是如何攻克難關的？公司開發的刻蝕設備和MOCVD設備等已經進入國際領先行列，背後有做了哪些努力和創新？
尹志堯：2004年，我與十幾位矽谷半導體設備專家一起回國創立中微，同時一直緊跟先進位程工藝最前沿的發展，與國際最強的半導體設備公司同步前行。此前，我在半導體晶片和設備產業已有近20年的行業經驗，專攻的就是刻蝕機設備，所以創業也選擇了這一領域。
經過多年努力，公司已經開發出有技術創新、差異化和自主智慧財產權保護的完整系列等離子體刻蝕設備。大量客戶的驗證數據證明，中微的刻蝕設備系列產品，可以覆蓋90%以上絕大多數的刻蝕應用，已達到並在某些方面超過了國際競爭產品的性能，為客戶提供高性價比的解決方案。
工欲善其事，必先利其器。攻克高端設備的難關，有利於形成技術壁壘。例如，2004年，中微公司就首創了甚高頻去耦合的離子反應刻蝕的等離子體源（Decoupled RIE），後來成為國際領先的半導體設備公司的刻蝕機廣泛效仿採用的等離子體源，為介質刻蝕特別是極高深寬比刻蝕提供了根本的解決方案。此外，單台和雙台刻蝕反應器的獨特設計、大馬士革一體化刻蝕機以及極高深寬比刻蝕等技術都突破了瓶頸，獲得眾多客戶的批量訂單，市場占有率不斷提升。
除刻蝕設備外，中微公司製造的用於氮化鎵基LED生產的關鍵設備——MOCVD設備，在新一代Mini-LED產業化中，在藍綠光LED生產線上取得了領先的地位。其中，用於氮化鎵功率器件的MOCVD設備PrismoPD5也已經在客戶生產線上驗證通過並獲得重複訂單，下一代用於氮化鎵功率器件製造的MOCVD設備正在按計劃順利推進。目前，公司正在開發用於碳化矽功率器件的外延設備，以及製造Micro-LED的MOCVD專用設備，也將推向市場。如今，中微推出的一系列微觀加工的設備產品已在性能和性價比上都進入國際三強行列，部分產品甚至進入二強和一強地位。
中微公司12英寸低壓化學氣相沉積產品
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福布斯中國：公司已經向太陽能電池、LED顯示和照明、傳感器等泛半導體領域拓展，是基於怎樣的考慮和契機？
尹志堯：半導體設備產業，包括集成電路關鍵設備和泛半導體設備的產業和市場，是高科技領域增速最快的產業之一，但受下游市場及終端消費市場需求波動的影響，發展往往呈現一定的周期性。對設備企業來說，單一的產品、單一的產業布局，面對行業發展周期的波動，很難保證持續穩定的發展。
對此，中微提出了「三維發展」戰略：深耕集成電路關鍵設備領域；拓展泛半導體關鍵設備領域；且不斷利用公司的核心競爭力，探索在新興科技領域的市場機會。
具體來說，在集成電路設備領域，擴大在刻蝕設備領域的競爭優勢，延伸到薄膜、檢測等其他關鍵設備領域；擴展在泛半導體領域設備的應用，布局顯示、MEMS、功率器件、太陽能領域的關鍵設備；探索更多集成電路及泛半導體設備生產線相關環保設備及醫療健康智能設備等領域的市場機會。
中微公司潔凈室內景圖
在高度競爭的產業形勢下，公司還通過投資、併購國內外高端的半導體設備及關鍵零部件廠商或與海內知名設備廠商進行合作開發，使公司能夠覆蓋更多的產品品類、占領更多細分市場，為公司的長期可持續成長奠定基礎。
福布斯中國：在當今的大背景下，您認為中微公司應如何適應這樣一個不確定的市場環境，並實現持續創新？
尹志堯：無論市場環境的變化和各種不確定因素的影響，展望未來發展，中微公司將持續通過創新發展進一步提高公司產品的競爭力和知名度，早日成為國際一流的半導體設備和高科技領先企業。
首先，持續高水平研發投入，提前布局產業發展。公司將繼續面向世界先進技術前沿，以國際先進的研發理念為依託，持續進行高水平的研發投入，從而保持並提高公司的核心競爭力。在持續改善現有設備的性能的同時，根據客戶的市場需求，定義下一代產品的技術指標和技術路線，研發能滿足新需求的新產品。公司將致力於通過堅持不懈的自主創新，開展產品研發的提前布局，繼續保持高端設備產品和技術的世界先進水平。
其次，中微將立足現有技術和產品競爭優勢，進一步加強以共性技術為基礎，深耕集成電路關鍵設備領域（刻蝕設備、薄膜設備、檢測設備等）、擴展在泛半導體設備關鍵設備領域（MOCVD、MEMS、顯示和太陽能設備等），並探索其他新興領域（環保設備、工業網際網路平台、大健康設備等）的機會，早日在規模和競爭力上成為全球一流的微觀加工設備企業。
最後，秉承「攀登勇者，志在巔峰」的企業精神，深入貫徹「四個十大」企業文化，根據業務發展需求，制定短期、中期和長期相結合的人力資源規劃及具體實施辦法，建立健全公司科學化、規範化的人力資源管理系統，持續引進國內外高端專業人才，並通過系統性培訓等措施持續提升員工專業能力，不斷攀登新的發展高峰。
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圖片來源：中微半導體
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