羊城晚報全媒體記者 胡彥
10月21日，廣東省人民政府辦公廳印發《廣東省加快推動光晶片產業創新發展行動方案（2024—2030年）》（以下簡稱《行動方案》），明確力爭到2030年，廣東取得10項以上光晶片領域關鍵核心技術突破，打造10個以上「拳頭」產品，培育10家以上具有國際競爭力的一流領軍企業，建設10個左右國家和省級創新平台。
《行動方案》從六大方面提出了18項重點任務，並提出關鍵材料裝備攻關工程、產業強鏈補鏈建設工程、核心產品示範應用工程和前沿技術產業培育工程等重點工程方面的8項任務，以加快培育發展光晶片產業。
突破產業關鍵技術，加快中試轉化進程
《行動方案》提出，強化光晶片基礎研究和原始創新能力。鼓勵有條件的企業、高校、科研院所等圍繞單片集成、光子計算等未來前沿科學問題開展基礎研究。支持科技領軍企業、高校、科研院所積極承擔國家級光晶片相關重大攻關任務，形成一批硬核成果。
同時，省重點領域研發計劃支持光晶片技術攻關。加大對高速光通信晶片、高性能光傳感晶片等方向的研發投入力度，著力解決產業鏈供應鏈的「卡點」「堵點」問題。
加大「強芯」工程對光晶片的支持力度。擴大省級科技創新戰略專項、製造業當家重點任務保障專項等支持範圍，將面向集成電路產業底層算法和架構技術的研發補貼、量產前首輪流片獎補等產業政策，擴展至光晶片設計自動化軟體（PDA工具）、矽光MPW流片等領域，強化光晶片領域產品研發和產業化應用。
按照《行動方案》，加快建設一批概念驗證中心、研發先導線和中試線。支持企業、高校、科研院所等圍繞高速光通信晶片、高性能光傳感晶片等領域，建設概念驗證中心、研發先導線和中試線，加快科技成果轉化進程。
鼓勵中試平台孵化更多創新企業。鼓勵中試平台搭建眾創空間、孵化器、加速器等各類孵化載體，並通過許可、出售等方式將成熟技術成果轉讓給企業，或將部分成果通過設立子公司的方式實現商業化，孵化培養更多光晶片領域新物種企業。
建設創新平台體系，推動產業集聚發展
《行動方案》要求，聚焦前沿技術領域建設一批戰略性平台。依託企業、高校、科研院所、新型研發機構等各類創新主體，布局建設一批光晶片領域共性技術研發平台，主要聚焦基礎理論研究和新興技術、顛覆性技術攻關，加快形成前沿性、交叉性、顛覆性技術原創成果，實現更多「從0到1」的突破。
同時，聚焦產業創新領域培育一批專業化平台。引進國內外戰略科技力量，培育一批產業創新中心、技術創新中心、製造業創新中心、企業技術中心、工程研究中心、重點實驗室等創新平台，主要聚焦光晶片關鍵細分環節，加快技術創新和產業孵化，不斷提升細分領域產業優勢。
聚焦特色優勢領域打造產業集群。支持廣州、深圳、珠海、東莞等地發揮半導體及集成電路產業鏈基礎優勢，結合本地區當前發展人工智慧、大模型、新一代網絡通信、智能網聯汽車、數據中心等產業科技的需要，加快培育光通信晶片、光傳感晶片等產業集群，打造涵蓋設計、製造、封測等環節的光晶片全產業鏈，積極培育光計算晶片等未來產業。
支持各地規劃建設光晶片專業園區。支持廣州、深圳、珠海、東莞等地依託半導體及集成電路產業集聚區，規劃建設各具特色的光晶片專業園區。
大力培育領軍企業，加強合作協同創新
《行動方案》提出，支持引進和培育一批領軍企業。圍繞光晶片關鍵細分領域和產業鏈重點環節，引進一批匯聚全球資源、在細分領域占據引領地位的領軍企業和新物種企業。支持有條件的光晶片企業圍繞產業鏈重點環節進行併購整合，加快提升業務規模。
支持孵化和培育一批科技型初創企業。支持龍頭企業與國內外企業、高等院校、研究機構聯合搭建未來產業創新聯合體，探索產學研協同攻關和產業鏈上下游聯合攻關，孵化和培育一批科技型初創企業。鼓勵半導體及集成電路頭部企業發揮產業基礎優勢，延伸布局光晶片相關領域。
《行動方案》提到，積極爭取國家級項目。積極對接國家集成電路戰略布局，爭取一批國家級光晶片項目落地廣東。
積極對接港澳創新資源。加強與香港、澳門高等院校、科研院所的協同創新，對接優質科技成果、創新人才和金融資本，加快導入並形成一批技術創新和產業創新成果。
積極對接國內外其他區域創新資源。加強與京津冀、長三角等國內先進地區企業、機構交流合作，探索開展跨區域協同合作，加強導入優質研發資源和產業資源。建立與國際知名高校、研發機構、技術轉移機構等各類創新主體的交流合作機制，加強技術和人員交流。
推動產業強鏈補鏈，加強光晶片設計研發
在關鍵材料裝備攻關工程方面，《行動方案》提出，大力支持矽光材料、化合物半導體等光晶片關鍵材料研發製造。同時，大力推動刻蝕機、鍵合機、外延生長設備及光矢量參數網絡測試儀等光晶片關鍵裝備研發和國產化替代；落實工業設備更新改造政策，加快光晶片關鍵設備更新升級。此外，大力支持收發模塊、調製器、可重構光神經網絡推理器、PLC分路器、AWG光柵等光器件及光模塊核心部件的研發和產業化；支持矽光集成、異質集成、磊晶生長和外延工藝、製造工藝等光晶片相關製造工藝研發和持續優化。
在產業強鏈補鏈建設工程方面，《行動方案》提到，鼓勵有條件的機構對標國際一流水平；支持光晶片設計企業圍繞光通信互連收發晶片、FP/DFB/EML/VCSEL雷射晶片、PIN/APD探測晶片、短波紅外有機成像晶片、TOF/FMCW雷射雷達晶片、3D視覺感知晶片等領域加強研發和產業化布局。同時，在符合國家產業政策基礎上，大力支持技術先進的光晶片IDM（設計、製造、封測一體化）、Foundry（晶圓代工）企業，加大基於矽基、鍺基、化合物半導體、薄膜鈮酸鋰等平台材料，以及各類材料異質異構集成、多種功能光電融合的光晶片、光模塊及光器件的產線和產能布局。另外，緊貼市場需求，大力發展片上集成、3D堆疊、光波器件與光晶片的共封裝（CPO）以及光I/O接口等先進封裝技術。
在核心產品示範應用工程方面，《行動方案》提出，大力支持光晶片在新一代信息通信、數據中心、智算中心、生物醫藥、智能網聯汽車等產業的場景示範和產品應用。