新一輪NAND Flash漲價開啟,代理商提示「當心陷阱」

2019-08-02     國際電子商情

存儲晶片是強周期性的晶片類型之一。 根據中國快閃記憶體市場數據,NANDFlash綜合價格指數繼2018年產生60%的跌幅後2019年初至6月又下跌35%。過於慘烈的跌幅下,各大原廠的NANDFlash業務無一例外全都處於虧損一線。

而自6月起連續幾起大事件——東芝停電(約影響3%)和日韓貿易戰(約影響7%),對存儲晶片止跌反彈注入猛藥,價格開始上揚。

價格走勢,霧裡看花

據公開數據顯示,2019年Q1三星、SK海力士凈利潤同比大跌超過50%,西部數據和東芝存儲器(TMC)甚至出現虧損。而東芝停電和日韓貿易戰讓低迷了許久的存儲(DRAM、NANDFlash、NorFlash)市場出現供需大反轉。

6月15日,日本四日市發生13分鐘停電,對西數和TMC的晶圓和製造設備共造成3.39億美金損失。本次事故將使其Q3快閃記憶體晶圓供應量減少6EB,約占Q3供應量的50%。

在東芝停電事件發生後,對市場消息較為敏感的快閃記憶體卡和U盤市場價格出現了鬆動,6月底部分快閃記憶體卡價格已出現漲價趨勢。

同時,隨著7月傳統旺季的到來,美光數據中心客戶庫存大都恢復到正常水位,其也開始萌生漲價意願。

而形勢更為緊迫的是日韓貿易戰的僵持,先是日本對韓國半導體材料的禁供,緊接著8月2日上午,日本批准通過《出口貿易管理令》,決定將韓國剔除獲得貿易便利的「白名單」,並將於8月底實施。三星和SK海力士漲價趨勢明顯。

來自渠道的消息,自日韓貿易戰消息面擴散以來,8G、16G eMMC等部分型號NANDFlash價格已上漲20%以上。以32G晶圓為例,之前價格跌破1.8美金,目前價格已回衝到2.2-2.3美金。以前90天的庫存周轉期,現在已回落到60天。

某存儲代理商告訴《國際電子商情》分析師,日韓貿易戰之前,NANDFlash原廠幾乎都在虧本甩貨,降價幅度高達30%以上,個別型號晶圓價格下滑了60%。除東芝外,大多數原廠都依靠DRAM平衡NANDFlash的虧損空間。

本輪漲價的幅度和力度備受業界關注,但該代理商表示難以做判斷,因為此次漲價多是靠外部消息刺激而非真實的市場供需拉動,最終仍要看下半年需求和日韓貿易爭端的進展。

「撇開日韓事件,目前存儲嚴重供過於求,原廠的庫存量依然高企。若日本對韓國解禁,價格有可能再次跌回反彈前。」他補充說。

深圳佰維存儲科技股份有限公司(以下簡稱「佰維」)嵌入式事業部總監塗有奎認為,目前價格漲幅主要受東芝停電和日韓貿易糾紛的影響,若紛爭短時間內難以得到解決,以三星和海力士為代表的韓系原廠在短期內產能削減在所難免,缺貨效應將會逐漸放大,衝擊全球存儲市場。但當前形勢仍有轉機可能,對市場走向下定論還為時過早。

深圳佰維存儲科技股份有限公司嵌入式事業部總監塗有奎

代理商拋貨,慎跟漲價潮

據韓媒報道,三星、SK海力士被禁材料庫存僅1-3個月,而三星、SK海力士共占DRAM 65%、NANDFlash 46%的全球市場份額,若日對韓90天審核期內爭端尚未解決,那麼漲價效應會被無限放大。

事實上,在日韓事件之後的7月初,已有媒體放出消息稱台灣存儲巨頭威剛等企業正在收緊庫存,試圖藉助日韓貿易戰改變頹勢,但該代理商表示「不會跟進這個遊戲」,相反會把以前的庫存再拋掉一些,因為靠消息面囤貨的風險太大,一不小心可能會是幾十個點到100%的虧損。

「這周漲幅高達20%-30%,但從這兩天的數據來看,上升後勁已經不夠了。資金實力不足的代理商在『假需求』時跳進去很難再出來。」某代理表示更看好5G成熟之後的市場需求。

據《國際電子商情》了解,Q3是傳統旺季,部分代理商都在等待8月初價格上漲的力度,如果8月終端廠商的需求面拉大,這波漲勢有可能衝到年底。屆時,代理商再跟進則更為明智。

總的來說,大多數業界人士預計本輪漲價持續力度有限。正如某分析機構的預測,隨著原廠下半年開始出貨96層3D NAND,以及長江存儲64層TLC的進度加快,屆時NANDFlash產能將大量開出,恐怕還會抑制價格漲幅,正準備大量囤貨的渠道商,仍需慎重對待真實市場行情。

原廠迂迴掃貨,格局或生變

日本自7月4日開始對韓國限制光刻膠、高純度氟化氫和氟聚醯亞胺三大半導體核心材料。因這些材料存在保質期限,導致原廠難大量囤積庫存。

「韓國自己也有氟化氫,只是濃度達不到日本的水平,生產出來的不良品會增加,但斷供後也不可能停止運轉,它們目前庫存為1-3個月,短期內有減產的計劃,但絕對不會致命。」某受訪者分析稱。

據《國際電子商情》了解,目前三星、海力士都在嘗試其他的渠道掃貨,如尋求其他供應商(中國)或日本供應商海外分支、合資公司、第三方迂迴進口等方式來保證基本穩定供應,不過替代供應商在驗證周期上至少需要 2-3 個季度。

日韓貿易戰重創韓國存儲業,市場點名台灣華邦可能因此得到轉單效益。華邦對外表態稱是自身一家業界相當特殊的公司,不做用於「大容量資料儲存」的產品,而是專注在代碼儲存的應用,獲取客戶的訂單生產。

華邦電子股份有限公司(以下簡稱「華邦電子」)快閃記憶體產品企劃一部技術副理於緯良在「2019深圳物聯網技術論壇」上接受《國際電子商情》採訪時表示,華邦電子對DRAM、NANDFlash和NORFlash三種存儲產品都有布局。未來華邦仍將聚焦於SLC NANDFlash和中高容量NOR Flash產品在代碼儲存市場應用。

華邦電子股份有限公司快閃記憶體產品企劃一部技術副理於緯良

從全球競爭格局來看,三星和SK海力士兩家DRAM全球市場份額達到了七成,NANDFlash達到了五成,但受到日韓貿易爭端的影響,三星和SK海力士短期內將元氣大傷。目前SK海力士宣布減產15%,甚至傳其欲收購英特爾大連廠來緩解材料供應壓力。

日系企業情況也不樂觀。「只有NANDFlash而沒有DRAM業務來平衡虧損的東芝狀況不佳,這好比之前的爾必達,也僅有NANDFlash單項業務,在對手的聯合虧本跌價潮中喪失了抵抗力。」某受訪者分析稱。

從技術層面來看,隨著幾大原廠96層3D NAND開始量產,下半將開始新一輪技術軍備競爭,三星不僅將量產第六代3D V-NAND(即120/128層)快閃記憶體,旗下Z-NAND SSD還將與東芝XL-Flash、英特爾及美光的3D XPoint搶攻數據中心市場份額。

制表:國際電子商情 來源:公開資料

可以預見,自2020年開始,各大原廠為進一步降低生產成本、提升競爭力,將加快推進96層3D NAND向128層邁進,同時搶攻數據中心及高端市場份額,新的對決將正式開啟。

從應用端來看,利潤更高的車載、工控、大數據中心主要被幾大巨頭直接壟斷,而代理商主要業務仍集中在消費類市場。相對而言,消費市場門檻低,技術支持難度小,但利潤也低;車規、工業類市場利潤高,但伴隨的是技術難度高、驗證時間長,需要更多的耐心與堅持。

國產存儲崛起時機已到

隨著半導體產業重心朝著亞太和中國轉移,中國已發展成為全球最大的電子消費市場。這幾年國內客戶迅速成長,國產IC也日漸成熟,在貿易戰的刺激下,以長江存儲為代表的本土存儲廠商成長迅速。

目前,長江存儲32層NANDFlash已開始用於消費類領域,代理商有路必康、中電等。長江存儲選擇代理商的標準有三:一是有豐富的存儲代理經驗;二是有華為、OV、小米等大客戶群體;三是有廣泛的終端客戶資源。

2019年存儲價格波動劇烈,但仍有本土公司逆勢增長,佰維就是其中之一。佰維塗有奎表示原因有二:一是客戶結構的調整,隨著佰維產品的口碑與品牌影響力不斷強化,很多頭部企業開始將業務向佰維傾斜;二是佰維業務取得了突破性進展,尤其是工控和消費類存儲方面。

塗有奎認為,中國作為最大的存儲需求地,本土企業的主場優勢明顯。在這樣的背景下,佰維致力於打造自身的核心競爭力,為客戶提供有高品質、高可靠性的存儲產品和解決方案。自成立24周年以來,佰維積累了大量的存儲核心專利,擁有業內領先的存儲算法及固件開發能力、突出的硬體設計能力、全方位的測試能力以及以SiP為核心的先進封裝製造能力,是業內少數兼具晶片設計與封測製造能力的存儲企業。另外,近百人的技術支持團隊,可快速響應客戶需求,充分發揮本土企業的服務優勢。

塗有奎指出,在當前形勢下本土存儲企業若要在行業內穩健發展,首先需要凝聚自身的競爭優勢,並與原廠形成錯位互補,是謂「積跬步」;然後在細分市場不斷深耕,為客戶提供「客制化」和更具競爭力的產品和服務,不斷占領行業市場份額,是謂「致千里」。

除了佰維,江波龍也是本土較有實力的存儲品牌之一,三星、海力士和美光都是其戰略合作夥伴,2017年江波龍從存儲大廠美光手上買下Lexar品牌,開始加大海外市場布局,更展露經營自有品牌的決心。

有受訪者告訴《國際電子商情》,國產化替代最大的挑戰是時間,且一定要獲得展銳、海思、MTK等主控晶片廠商的支持。目前長江存儲NANDFlash將優先用在國產手機上面。而傳音作為紫光入股的公司,前期或將對長江存儲進入手機應用做出較大貢獻。

國產存儲品牌與長江存儲的合作,也將促進國產存儲快速崛起。日前江波龍已採用長江存儲的3D NAND晶片生產U盤,期待新一代的64層3D NAND晶片技術量產後,江波龍與長江存儲將進一步推動國內自研存儲晶片大規模商用。

5G將成為全新拉動力

數據調研公司WSTS預測今年所有類型的半導體產業都會有所下降,其中存儲跌幅預計高達30.6%,不過到2020年,半導體市場會轉向增長,預計增幅為5.4%。

佰維塗有奎認為,日韓貿易戰並不是死局,行業格局將面臨洗牌,但向好的大勢不可逆轉。即將到來的5G開始撬動巨大的市場需求,真實的市場供需會逐步達到平衡,觸底反彈已可預見。

他表示,2019年下半年5G商用將全面鋪開,數據基礎設備、IoT、智慧城市建設等需求旺盛,數據存儲需求必然以幾何級的速度爆炸式增長,現有的存儲設備也將迎來大規模升級換代,這些都會對存儲市場產生強勁拉力。

某代理商也表示5G是全新的機會,隨著數據交換的力度和密度增加,智慧城市、智能家居、IOT等,對存儲速度、容量提升的要求越來越高,DDR4、DDR4X及更快速率的產品會出來,沉默的AR/VR也會隨著5G的到來快速起量。

華邦於緯良也認為5G基站對NANDFlash的需求機遇大顯,目前少數廠商已在布局,IoT的需求也一直在成長,同時,智能音箱、TWS真無線耳機、早教機器人等對高容量Flash的需求大增,而華邦的機遇在於512M-2Gb大容量代碼儲存的NOR和NAND Flash,目前技術儲備很充分。

據了解,去年華邦在高雄新建了一座12寸的晶圓廠,用於擴大產能。於緯良表示,目前看好未來市場對Flash的需求會一直增長,特別是IoT、車聯網、AI應用與消費終端對大容量Flash的需求增長迅猛。

整體而言,今年Q3是存儲市場傳統旺季,隨著下半年英特爾中央處理器(CPU)的供貨順暢,以及智慧型手機展開晶片出貨拉力,DRAM及NAND Flash的出貨量將走向樂觀面,而5G、AI、IoT等新興應用也正蓄勢待發,時刻準備著承接刺激存儲穩健發展的「接力棒」!

文章來源: https://twgreatdaily.com/zh-my/pf-uV2wBUcHTFCnf0v_C.html