12月12日消息，據中建鋼構消息顯示，三星（中國）半導體 12 英寸快閃記憶體晶片 M-FAB 項目模塊已完成首吊，這也標誌著該項目正式進入主體施工階段。
據介紹，三星（中國）半導體公司二期項目位於西安市長安區西太路綜合保稅區，由三星(中國)半導體有限公司投資建設，總建築面積約10.7萬平方米。該項目建成投產後，將成為全球規模最大的快閃記憶體晶片生產基地。
根據公開信息顯示，三星（中國）半導體有限公司在2012年正是落腳中國西安高新區。三星中國西安工廠的第一期工程投資108.7億美元，2014年5月建成投產，主要製造3D NAND快閃記憶體晶片。2017年8月30日， 三星半導體宣布投資70億美元建設12英寸快閃記憶體晶片二期項目，新建一條快閃記憶體生產線。2019年12月，該公司決定追加投資80億美元進一步擴 大二期項目規模。
2022年10月，三星（中國）半導體公司12英寸快閃記憶體晶片M-Fab項目審核通過，於今年年7月開工，計劃於2025年底竣工投產。公開消息顯示，該擴建項目總投資30億美元，投產後，屆時將增產2.8萬片/月，二期項目產能可達16.9萬片/月。
目前，三星西安工廠月產能將達到26.5萬張12英寸晶圓，占三星全球NAND快閃記憶體晶片總產量的42%。2022年，三星半導體西安工廠產值將突破1000億元人民幣。
需要指出的是，三星在今年10月獲得美國政府對其在中國的工廠的「無限期豁免」之後，使得三星在中國的存儲晶片工廠將無需特別許可申請，就可進口美國晶片設備來進行升級或擴產的動作。
此前的報道顯示，三星在取得豁免後，就決定將其為在中國西安NAND Flash快閃記憶體工廠升級到236層堆疊的技術，並準備開始大規模擴產動作。預計新設備將在2023年底交貨，並在2024年於西安工廠陸續引進可生產三星第8代V-NAND的技術，堆疊層數將達到236層。
編輯：芯智訊-林子