三星電子（Samsung Electronics Co.）打算跟晶片代工競爭對手台積電合作，一同開發次世代AI用高帶寬內存「HBM4」。
韓國經濟日報、BusinessKorea 5日報道，台積電生態與聯盟管理負責人Dan Kochpatcharin 5日在《SEMICON Taiwan 2024》表示，兩家企業正在共同研發一款無緩衝（bufferless）的HBM4晶片。他說，內存製程越來越複雜，跟夥伴的合作從未像現在如此重要。
高帶寬內存（HBM）是一種先進DRAM，處理速度比傳統內存更快，對AI發展至關重要。HBM4為第六代HBM，三星、SK海力士（SK Hynix Inc.）、美光（Micron Technology Inc.）等內存大廠最快明（2025）年就可量產，供應英偉達（Nvidia Corp.）等AI晶片設計商。
分析人士表示，若三星、台積電決定共同研發無緩衝HBM4，將是兩家企業在AI晶片領域首次結盟。
消息指出，三星、台積電會先從第六代HBM4開始合作。三星計劃明年下半量產HBM4，並打算藉由雙方合作，為英偉達、Google等客戶供應定製化晶片與服務。
消息顯示，三星打算提供一站式服務，從DRAM生產到邏輯晶粒（logic die）製造、先進封裝服務一氣呵成。不過，三星也考慮使用台積電的技術，因為有客戶偏好台積電生產的邏輯晶粒。
三星正在努力追趕HBM領導大廠SK海力士。根據集邦科技（TrendForce）統計，SK海力士的HBM市場占有率多達53%，三星則有35%。SK海力士早在4月就宣布要跟台積電合作生產HBM4晶片，預定2026年量產。
三星總裁暨內存業務部負責人Jung-bae Lee 4日在Semicon Taiwan 2024發布主題演說時曾表示，為了將AI晶片性能最大化，定製HBM是最佳選擇。他說，三星正在跟其他晶片代工商合作，提供超過20個定製化解決方案。
Lee並在論壇的執行長峰會指出，三星的系統LSI與內存部門雖會負責晶片設計與製造，但該公司也會運用其他晶片代工商的產能，將HBM性能拉高到極致。他指出，光靠傳統內存製程，對HBM性能的提升程度有限。
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