12月22日上午，國產CMOS圖像傳感器廠商格科微在上海臨港成功舉辦以「Fab-Lite新模式·引領中國芯未來」為主題的20周年慶典暨臨港工廠投產儀式及2023年產品推介會暨CEO交流會。這也標誌著格科微完成了從Fabless (無晶圓廠)向Fab-Lite(輕晶圓廠) 的轉型。
所謂的Fab-Lite模式，即介於Fabless模式與IDM（垂直整合製造）模式之間的經營模式，在晶圓製造、封裝及測試環節採用自行建廠和委外加工相結合的方式。
格科微董事長兼執行長趙立新表示，公司自2003年創立以來，一直致力於在中國這片熱土上推動改變世界的創新，為了突破高端圖像傳感器工藝的智慧財產權壟斷和製造壁壘，公司決定自建工廠。歷經三年，在政府領導的大力支持和協助下，臨港工廠終於成功落地，12英寸CIS集成電路特色工藝產線順利開通，公司成功轉型為Fab-lite模式。未來，臨港工廠將聚焦前瞻性和突破性的創新，專注創新工藝的研發和生產具有特色的定製化產品，致力於更好地滿足客戶需求。同時，公司將以上海為基礎，輻射長三角地區，積極參與半導體產業建設和投資，與上下游合作夥伴攜手精誠合作，共同進步。
資料顯示，2020年3月，格科微就與上海自貿區臨港新片區管委會簽訂合作協議，擬在新片區投資建設「12英寸CIS集成電路特色工藝研發與產業化項目」。該項目總投資預計達22億美元，已於2020年中啟動。2021年8月16日，格科微12英寸CIS集成電路特色工藝研發與產業化項目正式封頂。2022年3月24日，格科微臨港工廠舉辦ASML先進ArF光刻機搬入儀式；2022年9月，格科微12英寸CIS投片成功，首個晶圓工程批取得超過95%的良率；2023年第二季度，格科微12英寸CIS首批產能正式量產，一期規劃月產能2萬片。
根據規劃，臨港項目新增產能主要用於生產中高階CIS產品，是在現有業務的基礎上對產品線的完善與補充。同時，臨港項目還有助於實現格科微在晶片設計端和製造端的資源整合，提升在背照式圖像傳感器領域的設計和工藝水平，加快研發成果產業化的速度，增強企業的核心競爭力，為格科微提高市場份額、擴大領先優勢奠定發展基礎。
在當天下午的產品分享會上，格科微各業務線領導分別介紹了公司手機CIS產品線、數碼CIS產品線以及顯示驅動產品線的最新動態，帶來了三款全新高像素產品——GC32E2、GC50E0和GC50B2。
其中，GC32E2是公司此前發布的GC32E1「升級版」，在單晶片高像素技術平台上搭載DAG HDR技術和AON低功耗技術，支持前攝相位自動對焦，也定位於主流旗艦手機前後攝；GC50E0，是公司推出的第一顆5000萬像素產品，也是市場上首顆單晶片5000萬像素產品；在推出0.7 μm的GC50E0的同時，格科微重磅推出1.0 μm大底的5000萬像素產品—GC50B2，同樣在單晶片基礎上搭載專利DAG HDR技術，適用於中高端智慧型手機主攝。這三款產品的發布體現了公司研發的能力與效率，極大拓寬公司在高像素產品領域的市場空間。
趙立新在產品分享會上表示，公司在16M像素以下產品領域已經具有市場領先地位，並且此前推出的單晶片高像素產品 GC32E1贏得了客戶的高度認可，而此次推出的三款單晶片高像素產品將助力公司進一步拓展中高端市場。
趙立新還表示，當前公司正迎來成立二十年來的最佳經營局面，Fabless向Fab-lite轉型的戰略目標已成功實現，未來格科微將以此為基礎，努力實現新戰略，暨緊扣客戶需求，推動核心技術產品化，跨越30億美元收入台階。
編輯：芯智訊-林子