靜態隨機存取存儲器 (SRAM)數據存儲在電晶體中，需要恆定的功率流。動態隨機存取存儲器 (DRAM)： 數據存儲在電容器中。它們都是集成電路RAM的模式，不過也有不同，例如 SRAM 比 DRAM 相對更快，因此 SRAM 用於高速緩存，而 DRAM 用於主存儲器。SRAM的存儲容量為1MB到16MB，而DRAM 的存儲容量為 1 GB 至 16 GB。
RAM（Random Access Memory）是一種需要持續供電才能將數據保存在其中的存儲器，一旦斷電，數據就會丟失，因此被稱為易失性存儲器。在 RAM 中的讀取和寫入既簡單又快速，並且通過電信號完成。
SRAM的定義
SRAM（靜態隨機存取存儲器）由CMOS 技術組成，使用六個電晶體。它的結構由兩個交叉耦合的反相器組成，用於存儲數據（二進位），類似於觸發器和額外的兩個電晶體用於訪問控制。它比 DRAM 等其他 RAM 類型相對更快。它消耗更少的電力。SRAM只要通電就可以保存數據。
DRAM的定義
DRAM（動態隨機存取存儲器）也是一種使用電容器和少量電晶體構成的 RAM。電容器用於存儲數據，其中位值 1 表示電容器已充電，位值 0 表示電容器已放電。電容器容易放電，導致電荷泄漏。
動態項表示即使在持續供電的情況下，電荷也會不斷泄漏，這就是它消耗更多電力的原因。要長時間保留數據，需要反覆刷新，這需要額外的刷新電路。由於泄漏電荷，即使打開電源，DRAM 也會丟失數據。DRAM 具有更高的容量並且更便宜。對於單個內存塊，它只需要一個電晶體。
SRAM 和 DRAM 之間的主要區別
- SRAM是訪問時間短的片上存儲器，DRAM是訪問時間長的片外存儲器。因此 SRAM 比 DRAM 快。
- DRAM 的存儲容量更大，而 SRAM 的尺寸更小。
- SRAM很貴，而 DRAM 很便宜。
- 高速緩衝存儲器是SRAM的一種應用。相反，DRAM用於主存儲器。
- DRAM高度密集。相反，SRAM 比較少見。
- 由於使用了大量的電晶體，SRAM的結構很複雜。相反，DRAM易於設計和實現。
7.在 SRAM 中，單個內存塊需要六個電晶體，而 DRAM 只需要一個電晶體用於單個內存塊。
8.DRAM之所以被命名為動態的，是因為它使用的電容器會產生泄漏電流，因為電容器內部用於分隔導電板的電介質不是完美的絕緣體，因此需要電源刷新電路。另一方面，SRAM中不存在電荷泄漏的問題。
9.DRAM 的功耗比 SRAM 高。SRAM 的工作原理是改變通過開關的電流方向，而 DRAM 的工作原理是保持電荷。
結論
DRAM是SRAM的後代。DRAM 旨在克服 SRAM 的缺點；設計人員減少了一位內存中使用的內存元件，從而顯著降低了 DRAM 成本並增加了存儲面積。但是，DRAM 速度慢且比 SRAM 消耗更多功率，它需要在幾毫秒內頻繁刷新以保留電荷。