SK海力士周四（29日）表示，該公司已開發出第六代10納米 (1c) 16Gb DDR5 DRAM。根據韓媒The Elec報道，該公司成為第一家做到這點的內存製造商，領先國內競爭對手三星。
報道稱，三星和SK海力士競爭進度不相上下，三星今年5月成為第一家開始製造第5代10納米 (1b) DDR5 DRAM廠商，比SK海力士早十天。
SK海力士表示，將於明年開始供應最新DRAM。該內存晶片是通過擴展先前的1b平台而開發的1c。
SK海力士指出，它為某些極紫外線（EUV）製程開發新材料，並將生產力比前一代提高30%。1c DDR5速度為8Gbps，比1b快11%，電源效率也提升9%。
（首圖來源：科技新報）