同步整流管的损耗计算一般也是包括以下几方面：
导通损耗
开关损耗
驱动损耗
反向恢复损耗
死区时间二极管损耗
同步整流的损耗—Rds_on vs Qg
导通损耗一般由功率拓扑和选用MOS的Rdson决定，值得指出的 是，导通损耗，开关损耗和驱动损耗Pgate存在一定的权衡关系，由于 MOS的Qg和Rdson成反比，而Qg大小一定程度上又与开关损耗成反 比。所以，需要选择合适而不是最小Rdson的MOS。
另外，值得指出的是在一些自驱动线路中，驱动电平Ug在高压较 高会带来额外的损耗也需要考虑其中。
同步整流的关断损耗
关于开关损耗，值得指出的是很多同步整流开通是零电压 开通的，而关断损耗占据了主导。下图是关于关断损耗的 一个图，分别包含了Qoss损耗（容性损耗），开关损耗和反 向恢复损耗。
如何减少同步整流的反向恢复损耗
反向恢复损耗，在高压MOS上，占据非常大的比例，消除反向恢复损耗 的常见方法如下:
1）尽量减小死区时间，如下图所示，二极管的反向时间决定了Qrr,减小体二极管工作的时间，这不光减小了反向恢复损耗，也同时减小了二极 管的死区导通损耗
2）采用内部并联肖特基二极管的MOS.
同步整流的关机
同步整流驱动关机，经常会遇到的问题是关机波形不单调，有负电 流折向原边，大多是以下原因：
1）自驱动同步整流关机时候在前一阶段为同步整流模式，电压掉到一 定程度，变为二极管模式，从而带来不同的输出电压下降斜率。
2）外驱动同步整流原边关机后，副边未正确的及时关断。
解决思路：
1）采用一定的控制方法控制副边同步整流管在原边关断后快速关断， 变为二极管模式关机。
2）采用一定的方法控制副边同步整流软关断。
同步整流—更好的动态响应
值得指出的一点是，同步整流线路不仅仅能带来效率的提升，在提 高电路的动态响应方面，如果采用CCM模式的同步整流，会带来动态响应的提升。二极管在低载情况下，环路特性会非常难以补偿从而带来较差的动态响应，而CCM的同步整流，在空满载情况下是接近的