SiC、GaN乘风起势！2022第三代半导体功率应用市场报告全新出刊

原标题：SiC、GaN乘风起势！2022第三代半导体功率应用市场报告全新出刊

根据 TrendForce集邦咨询最新报告 《2022第三代半导体功率应用市场报告》 显示，虽受俄乌冲突与疫情反复影响，消费电子等终端市场需求有所下滑，但应用于功率元件的第三代半导体在各领域的渗透率仍然呈现持续攀升之势，800V汽车电驱系统、高压快充桩、消费电子适配器、数据中心及通讯基站电源等领域的快速发展，推升了2022年SiC/GaN功率半导体市场需求。

TrendForce集邦咨询聚焦SiC/GaN功率半导体市场，以终端应用需求探讨与分析市场规模、机会与挑战、供应链，提供读者对于第三代半导体功率电力电子市场更全面的了解。

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SiC功率半导体

成本是限制SiC功率元件大规模应用的核心因素，Wolfspeed全球首座8英寸SiC晶圆厂的启动，无疑为整个产业传递了极为重要的讯号，而Soitec、烁科晶体以及中科院物理研究所亦在今年取得了8英寸衬底突破。由此可见，被市场寄予厚望的扩径降本举措已初见成果。

另一方面，业界正从最原始的晶体生长以及衬底加工环节来进一步降低成本，这包括TSSG晶体生长法、激光切割技术等。

目前SiC功率元件市场主要由欧美日IDM大厂掌控，关键供货商STM、ON Semi、Wolfspeed、Infineon以及ROHM在此领域深耕已久，并开始在关键汽车市场展开激烈竞争。

根据TrendForce集邦咨询调查与分析，随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术， 预估2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4亿美元。

另一方面，随着SiC需求进入爆发期，Foundry也逐渐兴起。除却X-FAB与汉磊两大成熟厂商，中国大陆已出现积塔半导体、长飞先进、百识电子&宽能半导体、芯粤能等专属代工厂，而韩国硅晶圆代工业者DB HiTek亦决心挑战8英寸SiC晶圆代工，服务于车用MOSFET。

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GaN功率半导体

基于Si衬底构建的GaN功率元件已成为业界主流，但至今仍受限于中、低压应用场景，因此业界持续尝试以GaN-on-Sapphire、GaN-on-GaN以及GaN-on-QST等其他结构来解决这一问题。

GaN-on-Si功率元件具备极佳的成本优势，已率先在消费电子市场放量，Navitas和GaN Systems产品在今年进入了Samsung旗舰手机快速充电器，而英诺赛科则创造性的将GaN技术引入手机内部充电保护，亦为市场注入了新的活力。

当然，Transphorm等厂商早已将目光转向数据中心、通讯基站等工业及汽车市场，这些领域蕴含着巨大的渗透机会，是未来GaN功率元件的重点应用方向。

相对SiC，GaN产业的垂直分工趋势则比较明显，初创Fabless正不断涌入市场，代工厂迎来了巨大的发展机会。凭借领先的GaN-on-Si制程能力和多年积累的客户信任度，台积电掌握了绝大部分客户资源，其产能也持续满载。而为了迎接未来庞大的市场需求，各大厂商也开始寻求多元化的代工策略，但从目前来看，这十分困难。