10月13日,存储芯片概念股盘中拉升,好上好涨停,万润科技、雅创电子涨超5%,德明利、华海诚科、香农芯创、江波龙、佰维存储等跟涨。消息面上,受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响,国内有存储器下游龙头闪存采购成本已上涨近20%,内存采购成本上涨约30%。
据新浪财经报道,从供应链上下游龙头公司独家获悉,受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响,内存和闪存元器件采购成本逐步上涨。相较低位,国内有存储器下游龙头闪存采购成本已上涨近20%,内存采购成本上涨约30%。从今年四季度开始,存储元器件成本上涨所带来的影响将逐渐传导至消费端,笔记本电脑、手机等终端产品可能面临涨价局面。
此前,媒体报道称,三星电子将下调平泽三厂(P3)投资规模,并大砍DRAM、NAND Flash扩产规模,其中NAND增设规模或降至原定三分之一水准,加上随着三星持续转换先进制程,设备更换期间带来的自然减产效果预计也将扩大。
此外,三星计划在今年第四季度将NAND Flash芯片价格调涨10%以上,且最快自10月开始涨价。
东海证券在研报《消费电子产业链需求提振,存储芯片有望进入新一轮涨价周期》中指出,随着主要存储制造商的持续减产,市场去库存效果已经显现,原厂强势拉涨的决心强烈,上游资源供应明显趋紧,NAND闪存价格将持续保持上涨态势,而DRAM的复苏要稍微晚一些,预估将于今年Q4开始上涨,标志着新一轮增长周期的开始。从Q4起存储芯片市场或将迎来供不应求的局面,作为半导体产业应用面最广、标准化程度最高的产品,有望推动半导体产业复苏。
政策方面,10月9日,工信部等六部门近日联合印发《算力基础设施高质量发展行动计划》,计划提出,到2025年,算力规模超过300 EFLOPS,智能算力占比达到35%,东西部算力平衡协调发展;鼓励先进存储技术的部署应用,实现存储闪存化升级,进一步提升我国全闪存技术竞争力。
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