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三星近日宣布，他们开始在已经在韩国平泽工厂的第二条生产线批量生产 16GB LPDDR5 闪存，这是业界第一款用于移动设备的 16GB LPDDR5 闪存产品。据悉，这些芯片使用三星第三代 10nm 级 EUV 技术（1z）制造的。
作为全球闪存市场的领导者，三星声称这款全新的 LPDDR5 DRAM 芯片拥有业界最高的移动存储容量和性能。据悉，它的数据传输速率可达到 6400Mbps，比上一代 12GB LPDDR5 DRAM 芯片快 16 ％，封装后可以在一秒钟传输 51.2GB 数据。
此外，由于采用了 1z 工艺，单芯片比前代产品薄 30 ％，10 片就能凑成 16GB 容量，而上一代则需要 12 片。升级的工艺可让 5G 手机的潜力再次加大，为更大的电池，更密集的天线布局留下空间，而制造可折叠屏幕的手机产品也将变得更容易。
三星还计划推出用于汽车应用的 LPDDR5 DRAM 芯片，为汽车提供更宽广的温度范围和可靠性标准。据悉，生产 10 纳米 EUV LPDDR5 DRAM 芯片的工厂面积超过 12.9 万平方米，这也是三星迄今为止最大的半导体生产线。
三星闪存产品与技术执行副总裁表示，基于 1z 的 16GB LPDDR5 闪存将行业标准提升到一个新的门槛，克服了高阶 DRAM 产品的发展障碍。 我们引领着整个闪存市场，并会继续扩大我们的高级 DRAM 产品阵容，并超越客户的需求。”
三星预估，第一批搭载 16GB LPDDR5 封装内存的旗舰产品将在 2021 年批量上市，有望在明年的三星 Galaxy S21 上就能见到。