据Business Korea报道，三星1月公布的上季(19Q4)财报显示，2019年在设备的投资为26.9万亿韩元（合1585.3亿元人民币），比2019年10月宣布的投资计划减少约2.1万亿韩元。
不过，三星在去年10月底发布的第3季度收益公告显示，该公司原定的全年半导体设施投资计划为29万亿韩元，截至第3季已投资16.8万亿韩元，在第4季度须投资12.2万亿韩元。三星电子计划在显示器方面投资1.6万亿韩元，用以研发下一代战略产品——QD量子点显示器；另一方面，三星电子还计划在半导体晶圆方面投入9.9万亿韩元，通过引入极紫外（EUV）光刻技术增强自身的行业竞争力。
但是，在第4季度的全球性经济衰退仍在继续，且大型IT客户对存储器半导体的需求并未像三星电子预期的那样复苏。这些情况让迫使三星电子对原定投资计划做出调整：包括韩国的华城的极紫外光（EUV）专用产线，平泽的Memory 2工厂，还有中国大陆西安NAND 2厂都受到影响。（相关阅读：加大生产计划，三星电子考虑对西安工厂追加投资）
在这种情况下，有行业分析师预测，今年三星电子在半导体设施上的投资情况可能与2019年类似。“三星在半导体领域的投资在2017年达到顶峰。” 一位行业分析师说，“考虑到存储器半导体市场在2018年进入低迷状态，三星电子今年不太可能投资超过30万亿韩元（合1768亿元人民币）。”