12月12日消息，据中建钢构消息显示，三星（中国）半导体 12 英寸闪存芯片 M-FAB 项目模块已完成首吊，这也标志着该项目正式进入主体施工阶段。
据介绍，三星（中国）半导体公司二期项目位于西安市长安区西太路综合保税区，由三星(中国)半导体有限公司投资建设，总建筑面积约10.7万平方米。该项目建成投产后，将成为全球规模最大的闪存芯片生产基地。
根据公开信息显示，三星（中国）半导体有限公司在2012年正是落脚中国西安高新区。三星中国西安工厂的第一期工程投资108.7亿美元，2014年5月建成投产，主要制造3D NAND闪存芯片。2017年8月30日， 三星半导体宣布投资70亿美元建设12英寸闪存芯片二期项目，新建一条闪存生产线。2019年12月，该公司决定追加投资80亿美元进一步扩 大二期项目规模。
2022年10月，三星（中国）半导体公司12英寸闪存芯片M-Fab项目审核通过，于今年年7月开工，计划于2025年底竣工投产。公开消息显示，该扩建项目总投资30亿美元，投产后，届时将增产2.8万片/月，二期项目产能可达16.9万片/月。
目前，三星西安工厂月产能将达到26.5万张12英寸晶圆，占三星全球NAND闪存芯片总产量的42%。2022年，三星半导体西安工厂产值将突破1000亿元人民币。
需要指出的是，三星在今年10月获得美国政府对其在中国的工厂的“无限期豁免”之后，使得三星在中国的存储芯片工厂将无需特别许可申请，就可进口美国芯片设备来进行升级或扩产的动作。
此前的报道显示，三星在取得豁免后，就决定将其为在中国西安NAND Flash闪存工厂升级到236层堆叠的技术，并准备开始大规模扩产动作。预计新设备将在2023年底交货，并在2024年于西安工厂陆续引进可生产三星第8代V-NAND的技术，堆叠层数将达到236层。
编辑：芯智讯-林子
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