三星电子（Samsung Electronics Co.）打算跟芯片代工竞争对手台积电合作，一同开发次世代AI用高带宽内存“HBM4”。
韩国经济日报、BusinessKorea 5日报道，台积电生态与联盟管理负责人Dan Kochpatcharin 5日在《SEMICON Taiwan 2024》表示，两家企业正在共同研发一款无缓冲（bufferless）的HBM4芯片。他说，内存制程越来越复杂，跟伙伴的合作从未像现在如此重要。
高带宽内存（HBM）是一种先进DRAM，处理速度比传统内存更快，对AI发展至关重要。HBM4为第六代HBM，三星、SK海力士（SK Hynix Inc.）、美光（Micron Technology Inc.）等内存大厂最快明（2025）年就可量产，供应英伟达（Nvidia Corp.）等AI芯片设计商。
分析人士表示，若三星、台积电决定共同研发无缓冲HBM4，将是两家企业在AI芯片领域首次结盟。
消息指出，三星、台积电会先从第六代HBM4开始合作。三星计划明年下半量产HBM4，并打算借由双方合作，为英伟达、Google等客户供应定制化芯片与服务。
消息显示，三星打算提供一站式服务，从DRAM生产到逻辑晶粒（logic die）制造、先进封装服务一气呵成。不过，三星也考虑使用台积电的技术，因为有客户偏好台积电生产的逻辑晶粒。
三星正在努力追赶HBM领导大厂SK海力士。根据集邦科技（TrendForce）统计，SK海力士的HBM市场占有率多达53%，三星则有35%。SK海力士早在4月就宣布要跟台积电合作生产HBM4芯片，预定2026年量产。
三星总裁暨内存业务部负责人Jung-bae Lee 4日在Semicon Taiwan 2024发布主题演说时曾表示，为了将AI芯片性能最大化，定制HBM是最佳选择。他说，三星正在跟其他芯片代工商合作，提供超过20个定制化解决方案。
Lee并在论坛的首席执行官峰会指出，三星的系统LSI与内存部门虽会负责芯片设计与制造，但该公司也会运用其他芯片代工商的产能，将HBM性能拉高到极致。他指出，光靠传统内存制程，对HBM性能的提升程度有限。
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