为千层3D NAND Flash做准备，科林推新低温介质蚀刻

半导体设备大厂科林研发Lam Research宣布，推出3D NAND Flash闪存第三代低温介质蚀刻Lam Cyro 3.0，全球产品部高级副总裁Sesha Varadarajan表示Lam Cryo 3.0能实现千层堆栈3D NAND Flash。

科林低温蚀刻用于超过500万片芯片生产，最新技术更是3D NAND Flash重大技术突破。Lam Cyro 3.0能以埃米级精准度创建高深宽比（High Aspect Ratio）图形特征，降低环境影响，蚀刻速度是传统介电两倍多。

Lam Cryo 3.0帮客户克服AI时代关键NAND Flash制造障碍，3D NAND Flash需从组件顶部至底部细长垂直孔道连接各层存储单元，孔道构建时即使图形特征与目标轮廓仅原子级轻微误差，也可能对产品电气性能产生负面影响，可能影响良率。

为了解决问题，科林Lam Cryo 3.0结合高能密闭式等离子反应器、远低于0℃ 温度、新化学蚀刻物质，可蚀刻出深宽比达50:1、深度达10μm的信道，从顶到底特征关键尺寸偏差不到0.1%。Lam Cryo 3.0蚀刻速度是传统介电2.5倍，能耗降低40%，排放量更减少90%，为接下来高层数堆栈如千层堆栈3D NAND Flash准备优秀解决方案。

(首图来源：科林研发)