8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET第四代n溝道功率MOSFET——SiSS22DN，業內首款適用於標準柵極驅動電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 mW，採用熱增強型3.3 mm * 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封裝。SiSS22DN專門用於提高功率轉換拓撲結構的效率和功率密度，柵極電荷僅為22.5 nC，同時具有低輸出電荷（QOSS）。
與邏輯電平60 V器件不同，SiSS22DN提高了典型VGS（th）和Miller（米勒）平台電壓，適用於柵極驅動電壓高於6 V的電路，器件最佳動態特性縮短死區時間，防止同步整流應用發生擊穿。SiSS22DN業內低導通電阻比排名第二的產品低4.8%——與領先的邏輯電平器件不相上下——QOSS為34.2 nC，QOSS與導通電阻乘積，即零電壓開關（ZVS）或開關櫃拓撲結構功率轉換設計中，MOSFET的重要優值係數（FOM）達到最佳水平。為實現更高功率密度，器件比6 mm * 5 mm封裝類似解決方案節省65%的PCB空間。
SiSS22DN改進了技術規格，經過調校最大限度降低導通和開關損耗，多電源管理系統構件可實現更高效率，包括AC/DC和DC/DC拓撲結構同步整流、DC/DC轉換器主邊開關、降壓-升壓轉換器半橋MOSFET功率級，以及通信和伺服器電源OR-ing功能、電動工具和工業設備電機驅動控制和電路保護、電池管理模塊的電池保護和充電。MOSFET經過100 % RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。
8月7日格芯宣布，已流片生產基於Arm的3D高密度測試晶片，可提升人工智慧/機器學習（AI/ML）和高端消費電子移動及無線解決方案等計算應用的系統性能與能效。新晶片採用格芯12LP FinFET工藝製造，運用Arm 3D網狀互連技術，核心間數據通路更為直接，可降低延遲，提升數據傳輸率，滿足數據中心、邊緣計算和高端消費電子應用的需求。
此外，兩家公司還驗證了一種3D可測試性設計（DFT）方法，使用格芯的晶圓與晶圓之間的混合鍵合，每平方毫米可連接多達100萬個3D連接，拓展了12nm設計在未來的應用。
8月21日，Vishay推出一款新型IHDM邊繞通孔電感器——IHDM-1008BC-30，額定電流達150 A，適用於工業和國防應用。IHDM-1008BC-30採用鐵粉合金磁芯技術，在-40℃至+180℃苛刻的工作溫度範圍內，具有出色的電感及飽和穩定性，功耗低，散熱性能優異。
該款器件邊繞線圈的直流電阻（DCR）低至0.25 mW，最大限度減少損耗，改進額定電流性能，有助於提高效率。與基於鐵氧體的解決方案相比，IHDM-1008BC-30在+125℃條件下，額定電流和飽和電流分別提高30%。電感達到飽和電流以後不會有電感值急劇的下降，飽和電流不受溫度影響。
該電感器工作電壓高達350 V，適用於大電流、高溫應用中的DC/DC轉換器、逆變器、電機和開關噪聲抑制、大功率開關電源，包括工業太陽能系統，電動汽車充電站，以及國防系統。
8月22日，兆易創新正式推出全球首個基於RISC-V內核的GD32V系列32位通用MCU產品，並提供從晶片到程序代碼庫、開發套件、設計方案等完整工具鏈支持並持續打造RISC-V開發生態。
• 基於RISC-V的Bumblebee內核（與芯來科技合作設計）；
• 主頻108MHz，16K-128K Flash快閃記憶體，8K-32K SRAM緩存；
• 2.6-3.6V供電，I/O口可承受5V電平；
• 配備1個支持三相PWM互補輸出和霍爾採集接口的16位高級定時器可用於矢量控制；4個16位通用定時器；2個16位基本定時器；2個多通道DMA控制器；中斷控制器（ECLIC）提供68個外部中斷、可嵌套16個可編程優先級；
• 集成2個2.6M SPS採樣率的12位高速ADC，提供16個可復用通道，支持16-bit硬體過採樣濾波功能和解析度可配置功能；2個12位DAC；
• 外設連接包括USAR *3、UART *2、SPI *3（支持四線制，新增多種傳輸模式，可擴展Quad SPI NOR Flash實現高速訪問）、I2C *2（支持快速Plus(Fm+)模式，頻率最高1MHz(1MB/s)）、I2S *2、CAN2.0B *2，USB 2.0 FS OTG *1（支持Device、HOST、OTG等多種模式），EXMC（外部總線擴展控制器，可連接NOR Flash、SRAM等外部存儲器）；
• -40℃~85℃工業級操作溫度；
• 每顆晶片唯一ID，gFlash專利技術，實現片上存儲加密技術；
• 對應的Arm產品型號（GD32V對應GD32），封裝與引腳兼容、軟體開發兼容。
8月29日，TT Electronics 推出兩款新型表面貼裝設備（SMD）功率電感器：用於高頻率電源轉換系統和EMI濾波器應用的HM66M系列，以及用於高密度和高頻直流/直流（DC/DC）轉換器應用的HM78M系列。
HM66M系列功率電感器專為複雜的工業和電子通信市場而設計。HM66M是一款屏蔽式微縮薄型SMD電感器，集成了鐵氧體磁芯，以提供顯著的電導率和溫度優勢。這些電感器的特點是高頻損耗低，非常適合以GaN為基礎的快速開關功率半導體工作的電源和變頻器。功率電感已在700 kHz至4 MHz的頻率範圍內進行了優化，適用於要求開關頻率高達4MHz且工作溫度為125℃的系統。
HM78M系列功率電感器是一款屏蔽式、基於鐵氧體的SMD電感器，專為工業市場中常見的高頻直流/直流（DC/DC）轉換器配置應用而設計。憑藉其高電感和高電流值，這些功率電感器提供100 kHz至3 MHz的開關頻率配置範圍，使其適合用作降壓轉換器或EMI濾波器。
8月29日，Silicon Labs（稱「芯科科技」）推出了一系列緊湊、可靠的隔離智能開關，即使在最惡劣的工業環境中，它們依舊可以驅動任意負載。新型Si834x隔離開關非常適合驅動電阻和電感負載，例如工業控制系統中的電磁閥、繼電器和燈等，這些系統包括可編程邏輯控制器（PLC）、I/O模塊、繼電器驅動器和伺服電機控制器等。每個隔離開關都進行了電氣隔離，以確保安全性，通過採用Silicon Labs突破性的基於CMOS的隔離技術，與傳統的基於光耦合器的隔離相比，具有更高的可靠性和性能，包括超過100kV/μs的高共模瞬變抗擾度（CMTI）。
Si834x隔離開關係列產品支持高側和低側開關選項、低導通電阻（145 mΩ RON）、符合IEC 61131-2標準的高達700mA的連續電流、全面的保護和診斷報告、以及用於工業自動化系統的先進配置、監控和控制。開關邏輯接口可以像四個低功耗CMOS數字輸入一樣簡單，也可以像全串行外設接口（SPI）一樣豐富和靈活，可通過4個MCU引腳控制多達128個通道。