據Business Korea報道，三星1月公布的上季(19Q4)財報顯示，2019年在設備的投資為26.9萬億韓元（合1585.3億元人民幣），比2019年10月宣布的投資計劃減少約2.1萬億韓元。
不過，三星在去年10月底發布的第3季度收益公告顯示，該公司原定的全年半導體設施投資計劃為29萬億韓元，截至第3季已投資16.8萬億韓元，在第4季度須投資12.2萬億韓元。三星電子計劃在顯示器方面投資1.6萬億韓元，用以研發下一代戰略產品——QD量子點顯示器；另一方面，三星電子還計劃在半導體晶圓方面投入9.9萬億韓元，通過引入極紫外（EUV）光刻技術增強自身的行業競爭力。
但是，在第4季度的全球性經濟衰退仍在繼續，且大型IT客戶對存儲器半導體的需求並未像三星電子預期的那樣復甦。這些情況讓迫使三星電子對原定投資計劃做出調整：包括韓國的華城的極紫外光（EUV）專用產線，平澤的Memory 2工廠，還有中國大陸西安NAND 2廠都受到影響。（相關閱讀：加大生產計劃，三星電子考慮對西安工廠追加投資）
在這種情況下，有行業分析師預測，今年三星電子在半導體設施上的投資情況可能與2019年類似。「三星在半導體領域的投資在2017年達到頂峰。」 一位行業分析師說，「考慮到存儲器半導體市場在2018年進入低迷狀態，三星電子今年不太可能投資超過30萬億韓元（合1768億元人民幣）。」