能華半導體董事長朱廷剛博士上台致辭

演講者包括來自復旦大學、南京大學、東南大學、華南理工大學等國內知名高校的教授們，他們帶來了關於氮化鎵領域的前沿研究成果和深刻見解。同時，能華半導體的高層領導和技術人員也在研討會上分享了氮化鎵相關技術的發展趨勢，以及公司在氮化鎵產品領域的最新進展和成果

會議首先由董事長朱廷剛博士發表了致辭。這次會議邀請了復旦大學黃偉教授、南京大學陸海教授、東南大學李勝博士以及華南理工大學李宗濤教授等多位專家。同時，能華半導體的CTO李亦衡博士、外延副總夏遠洋博士、研發副總武樂可博士、應用副總章濤，以及戰略合作夥伴陳揚博士也分享了各自領域的最新研究和應用進展。

在本次研討會中，黃偉教授指出，GaN功率器件在高頻快充等應用中表現出眾，未來在AI人工智慧發展背景下，GaN技術將生機無限。陸海教授介紹了GaN功率器件在瞬態能量衝擊、浪涌電流應力等工況下的可靠性表征平台，並詳細講解了在航天抗輻照應用中的測試成果。李勝博士則全面對比了級聯型GaN功率HEMT器件與矽基超結MOSFET器件的電學參數，闡述了GaN功率HEMT器件的電學特性優勢及其設計優化方向。李宗濤教授分享了電子散熱技術的最新進展，提出了異構集成近結散熱的新設計思路。

此外，李亦衡博士介紹了能華半導體在D-mode和E-mode GaN器件方面的現狀和未來規劃，夏遠洋博士闡述了提升GaN材料耐壓水平和GaN材料的外延優勢與挑戰，武樂可博士詳細介紹了能華半導體GaN產品的製造工藝、市場表現以及產品介紹。章濤副總分享了GaN功率器件在新能源電動汽車等多元化應用中的巨大潛力和機遇，並提出應對現有技術挑戰的策略。陳揚博士則詳細介紹了單級式諧振變換器的設計與應用優勢，展示了該技術在氮化鎵器件中的實際應用案例。

此次研討會展示了氮化鎵技術的最新進展和應用前景，促進了能華半導體與客戶及學術界的深入交流。與會者一致認為，此次會議為行業發展提供了重要的交流平台，對推動氮化鎵技術的創新和應用具有積極意義。能華半導體表示，未來將繼續推進更多高質量的研討會和交流活動，進一步促進產學研的深度融合。

在技術研討會結束後，能華半導體還舉辦了一場盛大的客戶答謝宴。宴會在凱悅酒店的豪華宴會廳進行，賓客們用餐期間自由交流，增進感情。能華半導體的高層領導在各桌間穿梭，與參會者親切交談，感謝他們的支持並聆聽他們的反饋和建議。能華半導體表示，將繼續秉持開放合作的態度，與各界攜手共進，推動氮化鎵技術的創新與應用，為行業的可持續發展貢獻力量。

關於能華半導體

能華半導體於2010年成立，是國內領先的專注於第三代半導體GaN的高新技術企業，核心團隊匯聚了從外延到器件設計、製造工藝，封裝和測試到應用模塊等各個環節的科技創新型資深專家，是全球為數不多同時掌握增強型GaN技術、耗盡型GaN技術以及耗盡型GaN直驅方案的半導體公司，自成立至今已獲得專利100多項。總部位於江蘇蘇州，在加州矽谷、深圳均設有研發基地和市場銷售中心。