真空半導體：三星預計將於下周宣布量產3納米晶片！

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據韓聯社6月22日消息，三星電子預計將在下周宣布大規模生產3納米晶片，下一代3納米晶片將建立在Gate-All-Around（GAA）技術之上。三星稱，與現有的FinFET工藝相比，該技術將使晶片面積減少45%，同時性能提高30%，功耗降低50%。