國聯萬眾 | 智芯研報
5G 是未來半導體增長的主要動力之一
（1）濾波器（Filter）（2）功率放大器（PA），（3）通信基帶晶片（Baseband）等是主要受益器件。海外企業建議關注 Skyworks、Qorvo、Murata、Broadcom及代工廠商 TowerJazz、穩懋。國內公司建議關注擁有化合物半導體代工能力的三安光電，手機天線廠商信維通信，以及中國廠商在濾波器等器件上的突破
手機行業增速整體放緩，射頻前端
存在結構性增長機會
在智慧型手機普及率提升的帶動下，2012-2017 年無線通信晶片實現了 9.7%的年復合增長率，2017 年市場規模達到 1,322 億美金，占全球半導體市場的 31%。展望未來，隨著手機出貨量增速及硬體規格升級的放緩，預計行業總體增速放緩到2.9%左右。但包括濾波器、功率放大器、開關等在內的射頻前端存在結構性增長機會。
5G 如何推動射頻前端升級？
5G 與 4G 相比主要變化包括：（1）採用3.6GHz，4.9GHz 甚至 6G 以上等更高的頻率；（2）採用 Massive MIMO 技術實現多個信道同時通信；（3）更大的帶寬；（4）更複雜的編碼方式；（5）更低的時延。其中更高的頻率推動濾波器工藝從 SAW 向更高單價的 BAW 升級，Qorvo、Skyworks、Murata 等主要濾波器公司受益。（2）會推動功放及天線用量的提升，建議關注台灣化合物半導體代工大廠穩懋及國內的三安光電。多天線趨勢利好信維通信。（3）（4）（5）會推動各類射頻器件設計難度，同時對基帶晶片的處理能力提出要求，導致基帶晶片廠商的距離拉大，更有利於頭部廠商如高通。
射頻前端競爭格局：濾波器是中國企業最大盲點
濾波器是金額占比最大的器件（2017 年占比射頻市場 54%）。由於需要特殊的工藝，濾波器廠商一般採取 IDM 商業模式，Murata、TDK、Qorvo、Broadcom/Avago 等占據 80%以上市場份額，而麥捷科技等中國企業還處於初期階段。功率放大器在金額上位列第二（2017年占比射頻市場 34%）。穩懋，三安等 PA 代工企業的興起，帶動 Vanchip等一批中國企業快速發展，聯發科，海思等基帶晶片廠商也直接參與部分 PA 的設計，行業競爭較為激烈。開關（Switch）2017 年金額占比 7%。採用 RF-SOI 工藝製造，以色列代工廠 TowerJazz 占有較大全球市場份額；中國主要開關設計企業包括卓勝微等。
在智慧型手機普及的帶動下，2012-2017 五年無線通信晶片實現 9.7%的復合增長率，根據iHS 的數據，2017 年市場規模達到 1,322 億美金，占全球半導體市場的 31%。展望未來，隨著手機出貨量及硬體規格升級的放緩，預計行業總體增速下降至 2.9%左右。但由於 5G需要支持新的頻段和通信制式，包括濾波器，功率放大器，開關等射頻前端存在結構性增長機會。按照智慧型手機無線通訊系統來看，我們可以按數模、模數轉換器（D/A A/D）為界，將智慧型手機分為數位訊號側及模擬信號側。手機射頻前端主要處理模擬信號，而基帶晶片及應用處理器負責數位訊號的處理。
射頻前端（Radiofrequency front-end）2017 年全球市場規模約 147 億美元，主要作用是信號放大、篩選及收發。按器件種類來看，射頻前端模組可以分為放大器、濾波器、天線開關/調諧器及天線四部分。其中濾波器（55%），功率放大器（34%）占比最高的兩類器件。射頻前端全球廠商有 Skyworks（SWKS US）、Qorvo（QRVOUS）、Broadcom（AVGO US）、Murata（6981 JP）、TaiyoYuden（6976 JP）等。
基帶晶片（Baseband）：2017 年全球市場規模約 202 億美元，主要作用是信道編碼。根據 Strategy Analytics 的預測，未來幾年內，受到智慧型手機出貨量增速下滑，摩爾定律延續導致晶片成本降低的雙重影響，基帶晶片除 LTE 細分市場外，其餘均可能出現倒退。基帶晶片廠商有高通（QCOM US）、聯發科（2454 TT）、三星（005930 KS）、英特爾（INTC US）、華為海思、紫光展銳等。
存儲器（Memory）：2017 年全球無線通信用存儲器市場規模約 520 億美元，主要包括 DRAM 和 NAND。每台手機DRAM bit 需求在過去五年內年復合增長率高達 41%。在2018/19 年需求增長將放緩至 18%左右；NAND 方面，2017 年手機 bit 需求同比增長36%，與 2016 年的 51%相比有所下降，未來兩年需求增長將放緩至 30%左右。供應商方面，三星、SK 海力士及鎂光均為手機存儲器市場的競爭者。
應用處理器（AP）：2017 年全球市場規模約 212 億美元，主要作用是本地數據處理。過去兩年 AP 增速較慢，未來隨著 AI 協處理器的滲透率上升，可能有一定拉動效應。ARM 是手機通用的計算晶片架構。Apple，華為等手機廠商以及高通，聯發科等晶片廠商都致力於開發基於 ARM 架構的應用處理器
智慧型手機無線通訊系統組成及相關公司
以iPhone 手機為例，在 2010 年其射頻前端的單價僅為5 美元左右。隨著通信 3G4G，再到 4.5G 通信標準的演進，手機所支持的通信頻點增多，可同時通信的通道增多，帶寬變大，均推動手機射頻前端價格上漲。到 2017 年，iPhone 的射頻前端單價上漲至 25 美金左右，占整機成本比例也上升至 10%（統計樣本不含搭載 OLED 全面屏的 iPhone X）
5G 技術將推動手機終端射頻系統的全面升級。為了獲得手機通信速率的大幅提升，5G將引入 Sub-6GHz 和6GHz 以上頻段通信，同時需要利用 MIMO 技術由現有的2 通道通信向 4~8 通道通信演進。
5G 對半導體的發展的需求
濾波器：為添加新頻段通信功能，需要提升濾波器數量。4G 到 5G，Skyworks 預計濾波器數量平均將由 40 只提升至 50 只。且高頻通信場景中，現有 SAW/TC-SAW 濾波器將替換為 BAW/FBAR。現有濾波器頭部廠商因為市場規模提升直接受益，相關標的如 Murata、Avago。國內有BAW/SAW 濾波器製造能力的廠商可能享受國產替代紅利、麥捷科技等。
PA：為實現從 2 通道向 4 通道通信，PA 數量預計將可能翻倍提升。長期看，為支持更高頻率信號的輸出，現有 GaAs 材料也可能向 GaN 材料功放升級。現有 GaAs 功放廠商直接受益於功放數量提升帶來的市場機會，相關標的包括全球 GaAsPA 代工龍頭穩懋等，國內國產替代邏輯標的包括三安光電等。
Switch & Tuner：射頻開關和調節器同天線通道數相關，4G 到 5G 終端開關數量可由10 只升至 30 只，因此市場規模不斷提升。4G 時代 Switch & Tuner 基於 SOI 工藝製造，5G 時代 SOI 工藝將提升至45nm。SOI 開關市場競爭激烈，價格便宜（0.10~0.20美元）。由於目前 RF SOI 產能供不應求，有利於 SOI 代工廠，標的包括 TowerJazz 等。
天線：通過Massive MIMO 技術提升通信速率，終端由 2 通道向4 通道通信發展，導致天線數量由現有 2 天線向 4~8 天線提升。為了減小尺寸、可有若干解決方案，包括 PI 基材向 LCP 基材或 LDS 方向演進。蘋果在新 iPhone 中選擇 LCP 軟板方案。天線數量提升和新工藝的加入有利於天線提供商信維通信等。
集成化趨勢明顯。射頻大廠通過模塊化產品提供一攬子解決方案，降低手機大廠採購成本，推動自有全線產品的同時，提升了毛利率水平。趨勢有利於全面布局的龍頭射頻公司，如 Skyworks、Murata、Qorvo、Avago、Qualcomm 等。
5G 將帶動射頻系統的升級。相比 4G，5G 將在理論上帶給手機空口速率 10 倍以上的提升以支持更大帶寬的通信；同時 5G 要求空口時延從 10ms 下降至1ms 量級，以支持車聯網、工業網際網路等場景。
5G 相關半導體材料工藝及相關公司
高頻率引入。5G 將使用 Sub-6GHz 和 6G以上頻譜。2.5GHz 以上濾波器的選型將由SAW/TC-SAW轉為 BAW/FBAR。高頻率功放材料可以選擇 GaN、SiGe 等。天線開關OI 組件的工藝也將提升至 45nm。
多通道通信。頻段變高的同時，現有手機雙天線的模式可能升級為 4~8 天線，以實現 MIMO 通信。多個可選通道可以組合實現更寬頻段（載波聚合技術）通信。在 3GPP的 R15 中定義了 600 多個新的載波聚合組合。組合過程中對開關的工藝精度要求提
升。
大帶寬通信。相比 4G 的 20MHz，5G 單通道理論值為 100MHz，大帶寬的濾波器、功放、天線的設計難度均有提升。
複雜編解碼。5G 通過更複雜的編碼實現頻譜利用率的提升和更強的多址。基帶晶片的處理能力進一步提升。同時多通道、高頻率和大帶寬，也在推動基帶晶片的數據吞吐量提升。
低時延通信。5G 對系統端到端的時延要求苛刻，空口時延更限制在 1ms 量級，這對天線開關等元器件的敏捷性提出了挑戰。
新材料。半導體襯底如 SiGe、GaAs 具有電子遷移率高，噪聲性能好的特點，在微波和毫米波頻段內這些器件的性能遠遠優於矽器件。GaAs 工藝已成為微波毫米波集成電路的主流工藝。GaN 作為寬頻半導體材料，有高電子遷移率、高的載流子飽和漂移速度和高擊穿場強等，成為未來的射頻主流材料代表。另外，在製備中，微波毫米波集成電路一般在介質基片材料（如氧化鋁、石英、藍寶石等）上，採用厚膜工藝（如低溫/高溫燒結工藝、印刷工藝等）或者薄膜工藝（如濺射工藝、電鍍工藝等）製備。·
2.1濾波器：SAW、BAW、LTCC 迎來發展機會
濾波器的主要作用是在雜亂的空間將目標信號過濾出。隨著手機支持頻率的增加和MIMO 技術的引入，濾波器需求指數上升。Skyworks 測算，3G 時代終端約覆蓋 5 個頻段，4G 時代上升為 20 個頻段，5G 時代可能超過 40個頻段。疊加 WIFI、藍牙和導航系統，中期濾波器的用量在50 只水平。以單只濾波器價格 0.2 美元估算，單個手機中濾波器的成本將達 10 美元。根據 Yole 統計，2017年全球手機濾波器市場規模 80 億美金，預測隨著 5G 的成功部署，2023 年可達 225 億美金，復合增速接近 20%。
終端濾波器市場規模預測
SAW 和 BAW 濾波器的應用場景
按產品種類來分，濾波器主要包括 SAW（聲表面波濾波器）和 BAW（聲體波濾波器）。兩者均基於壓電效應通過電-聲-電的轉換達到濾波效果。SAW 濾波器2G、3G、4G 已廣泛應用，一般工作在 1.9GHz 以下頻段，最新的研究將應用上限推廣到了 2.5GHz 左右。而BAW 濾波器一般工作在 1.5GHz~6.0GHz，最高可以工作在 10GHz 以上，在高頻通信中應用更為適合，另外相比 SAW 溫漂較低
濾波器的設計：SAW 和 BAW 濾波器不同頻段的濾波器設計難度不同，部分頻段由於相鄰
頻段相對潔凈，設計更加簡單，提供全頻段的設計能力公司寥寥無幾。
濾波器的製造：最關鍵的工序是高品質的壓電層均勻一致澱積。我國企業在工藝層面相比海外企業有明顯差距。因此產品的可靠性較低。Murata、Qorvo、Avago 等濾波器廠商目前仍以 IDM 模式為主，而且一體化的設計製造能力幫助產品提升了穩定性。
濾波器市場：SAW 多年來 Murata、TDK 和 TaiyoYuden 占據 80%以上份額，TDK 和高通合資成立了 RF360 後成為挑戰者。BAW/FBAR 市場基本被 Avago、Qorvo 壟斷。
國內情況：上述濾波器廠家技術不斷創新，競爭力不斷提升。國內 SAW 濾波器的廠商有麥捷科技、德清華瑩（信維通信持股 19.5%子公司）和好達電子等。目前麥捷科技同26所合作生產 SAW 濾波器，產品進入了華為、TCL、聞泰等公司的產品線。德清華瑩同55所合作，提供 SAW 生產能力，濾波器月產能 8000 萬顆。好達電子的 SAW 濾波器進入了中興、魅族等手機的供應鏈。另外目前我國的 FBAR 在13 所、清華大學、浙江大學、天津諾斯微電子均有樣品或小規模出貨。
另外，在高頻超寬頻場景（如 3.3-4.2GHz；3.3~3.8GHz；4.4~5.0GHz）通信中，終端如果採用 CPE，單通道可達 500MHz，以低溫共燒陶瓷（LTCC）工藝製作的濾波器的應用將更加普遍。相比 SAW 或 BAW 濾波器，LTCC 雖然可處理高頻信號，但選頻能力較差。但LTCC對高功率場景的處理能力優於 SAW 或 BAW 濾波器。
2.2功率放大器（PA）：GaAs 產品進一步發展，GaN & CMOS 作為補充
PA 用於將信號功率放大輸出至天線以發射信號。手機 PA 隨著天線的數量增多而增多。根據 YOLE 統計，PA 市場將由 2017 年的 50 億美元增長至 2023 年的 70 億美元，復合增速為 6%。市場容量在 4G 時代被濾波器超過，排名第二。
從 3G 時代起由於擊穿電壓、輸出功率等優勢，GaAs 材料代替 CMOS 材料成為PA 市場主流材料。5G 時代，預計 GaAs 依然是手機功放的主流方案。全球 GaAs 市場被 Skyworks、Qorvo和 Avago 等壟斷，三家合計份額接近 70%。目前 GaAs 射頻已經形成了完整的產業鏈。
GaAs 晶圓：日本、美國和德國壟斷，住友電工（Sumitomo Electric）、弗萊貝格化合物材料（Freiberger Compound Materials）、晶體技術（AXT）三家公司占據約 95％市場份額。國內廠商呈現追趕趨勢，包括光導稀材、三安集成線路等。
GaAs 外延片：生產主要採取外包模式，四大外包領導廠商：IQE、全新光電（VPEC）、住友化學（包括住友化學先進技術和 SCIOCS）、英特磊（IntelliEPI）。其中 IQE 為全球最大的外延片生產商，市場份額超過 50%。我國三安集成電路也有生產能力。
GaAs 功放設計：生產以「IDM」大廠和「設計+代工」大廠模式並存，其中 Skyworks、Qorvo 和Avago 均為 IDM 模式，高通曾於 2014 年採用 CMOS 製程的 PA，後 2017 年與 TDK 成立合資公司「RF360」，生產 GaAs PA 產品。另一大廠 Avago 2017 年末以 1.85億美元入股穩懋成為第三大股東，未來在擴產中可能會選擇 Fabless 路線。
代工：穩懋作為全球第一 GaAs代工龍頭，主要客戶為高通、Avago、Murata、Skyworks、RDA、Anadgics 等。
全球 GaAs 射頻 PA 產業鏈情況
隨著更多廠商的加入，PA 市場的競爭進一步加劇。因此頭部廠商將 PA 同基帶、開關等晶片綁定銷售，以提升競爭力。中國廠商在設計、代工等領域也有一定競爭力。國內公司漸漸掌握了 GaAs PA 技術，出現了近 20 家設計公司，如漢天下、唯捷創芯等，其中紫光展銳的 4G PA 已於 2016 年 12月通過高通公司的平台認證，漢天下 PA 也已進入三星產業鏈。後續國內的 PA 設計廠商有可能帶動本土代工業的發展。國內代工相對領先的廠商包括三安光電、海特高新等。為了實現進一步集成，仍有部分公司基於 CMOS 研發高頻功放。射頻 CMOS 由於集成度提升，成本更底，但是性能與 GaAs 或 GaN 相比有差距。目前主要用於藍牙、Zigbee 等應用。高通曾收購子公司 BlackSand 劍指 CMOS PA 但最終成果寥寥無幾，可見短期矽基材料的 PA 仍需要大量的研發投入。
2.3開關、LNA&天線調節器：SOI技術向 300mm 升級，MEMS技術成為補充
射頻開關是指可對射頻信號通路進行導通和截止的射頻控制元件。其性能指標主要是隔離度、工作帶寬、插入損耗、開關時間、功率容量、使用壽命等。
類似於濾波器的需求提升，5G 因為頻段的增加將帶來通道數的提升，進而推動開關市場的容量增長。根據 YOLE 預測，終端射頻開關市場規模將由 2017 年的 10 億美元增至 2023年的 30 億美元，復合增速約為 20%。
天線調節器 Tuner 市場也將迎來增長，從 2017 年的 4.63 億美元向10.00 億美元發展，復合增速約為 14%；LNA 從 2017 年的 2.46 億美元增長至2023 年的 6.02 億美元，復合增速約為 16%。
SOI 技術指在絕緣襯底上生長半導體層的技術，通過絕緣襯底實現有源層和襯底層的電氣連接隔斷。SOI 器件擁有尺寸小、寄生電容小、速度快、功耗低、集成度高、抗輻射能力強等優點，特別適合開關和轉換器低插損、高線性、高速的要求。
目前 95%以上射頻開關基於RF-SOI（絕緣體上矽）工藝製造。LNA 和 Tuner 目前也有向 SOI 技術轉向的趨勢。5G 時代LNA 需要儘可能靠近天線放臵，從現有 130nm 工藝向45nm 工藝節點能力發展可以幫助實現開關、LNA、Tuner的集成。需要 300mm 晶圓的支撐。
SOI 的產業鏈包括襯底供應商、晶圓廠、設計廠商三個環節。
全球 RF-SOI 產業鏈情況
襯底。全球襯底生產商僅為 Soitec、Shin-Etsu、GlobalWafers 和中國廠商上海新傲Simgui，其中 Soitec 擁有70%的市場份額。根據 Soitec 預測，由於頻譜的迅速增加，預計 2018 年將出貨 150 萬至160 萬隻 RF SOI 晶圓，同比增長 15%~20%，2020 年晶圓出貨量將超過 200 萬片。
加工。2018 年全球 95％的 RF SOI 晶片均基於200mm 晶圓製造，隨著 SOI 器件的廣泛應用，目前200mm RF SOI 產能存在瓶頸。而 GlobalFoundries、TowerJazz、台積電等也在擴產 300mm RF SOI 產能。
中國廠商在 SOI 襯底、設計和加工領域都有涉及。我國襯底廠商新傲科技（Simgui）作為SOI 材料的主要供應商，通過自主研發和同 Forrotec、Gritek 等海外公司的合作，已具備提供 5G SOI 材料的能力，計劃到 2019 年下半年完成年產 40 萬片的產能擴展。加工方面，中芯國際正在推進 0.13um RF-SOI 平台的升級，部分廠商如 GlobalFoundry 在中國也有設廠。國內的 RF-SOI 發展受制於矽片進口制約，200mm~300mm 的矽片供應能力較差。
另外，天線調諧器和射頻開關目前也可以選擇 RF MEMS 技術路徑，天線調節器中已經有應用。Cavendish、Menlo Micro 和 AAC 子公司 WiSpry 正在面向移動通信開發 RF MEMS 器件。據 Cavendish 介紹，RF MEMS 開關插損可以做到 RF SOI 的 1/5。2018 年三星 GalaxyA8已經採用了 Cavendish 的技術，期望降低射頻系統的耗電等。然而 RF MEMS 的應用需要價格、封裝和可靠性的進一步優化。
2.4天線：MIMO 應用確定，LDS 和 LCP 天線成為趨勢
天線系統是射頻系統中關鍵的組成部分，目前有被集成至射頻模組中的案例，但未被集成至晶片級，是射頻半導體領域的補充。
5G 將推動天線數量從現有的 2 天線擴展至 4~8 天線以最終支持 4×4 MIMO。但由於尺寸原因，相當長的時間內不會再進一步提升。
另外，由於全面屏等新趨勢出現，手機內部空間受到進一步限制，天線的製作工藝也在發生變化。目前主流的手機天線製作工藝包括 LDS、FPC 等。
LDS 利用雷射鐳射技術在手機外殼等支架上化鍍金屬，可節省空間，降低干擾。但成本相對較高。
FPC 軟板因為優質可撓性代替了 LTCC 基板。FPC 有銅箔+膠+基材層疊而成。基材的選擇包括聚酯（PET）、聚醯亞胺（PI）、液晶聚合物材料（LCP）、聚萘二甲酸乙二酯（PEN）等。PI 雖然價格稍高，但可耐高溫加工，成為主流天線材料。而 LCP 作為新材料在高頻擁有更低的損耗、更低的吸潮性和更好的撓性，適用於微波，毫米波通信應用。Phone X 共用 4 個 LCP 軟板，分別用於天線、中繼線和攝像頭模組。LCP 天線的製作難度相比 PI 天線提升，價格為 PI 的數倍。目前 FPC 軟板的供應商包括：Murata、嘉聯益、臻鼎、台郡科技等。LCP 天線生產商包括：Murata、嘉聯益、安費諾、立訊精密、信維通信、Career 等。
2.5基站用射頻器件：處理器自研為主，功放選擇 GaN
基站處理器以自研為主
5G 基站市場整體規模相對終端較小。根據 DG Times 預計，2020 年5G 基站整體市場規模為 11.43 億美元，到 2026 年增長至 342.86 億美元，2012~2026 年的復合增速在 50%以上。到 2026 年市場規模約為手機的 1/16。然而 5G 基站相比手機功能僅為連接。因此 5G 基站射頻市場基本等同於整體市場規模，同手機射頻市場規模處在同一量級。
基站和手機射頻系統比較
由於以上不同，基站市場的半導體選型存在差異。
基站基帶半導體晶片一般選擇自主研發或合作開發，Intel、中興、華為、Nokia、Ericsson、三星等公司均設有自己的研發團隊。早期開發以 DSP 和 FPGA 作為主要控制晶片，一旦技術成熟，即設計為成熟半導體晶片，部分選擇 FPGA 以增加靈活性2017 年全球電信設備市場規模 372 億美元，由於基帶 ASIC 均為自製，沒有明確比例顯示市場規模。ASIC 處理晶片目前一般採用 10/7nm 技術研發。一般為 Fabless 模式，選擇台積電等 Foundry 代工生產。FPGA 全球市場規模約為 40 億美元，其中 Xilinx 占比超過 50%。
功放發展趨勢：關注 GaN 市場
GaN已經取代LDMOS 成為下一代功放的重要材料。預計毫米波頻率功放將採用 GaN 材料製作，一大好處是提升功放的空間利用率。
GaN功放已經在雷達等軍用市場有了一系列應用，2017 年市場規模約為 3.84 億美元，YOLE預測 2022 年市場規模因為通信業的加入將達到 11 億美元。通信市場需求將首先來自於基站射頻市場，用於替代 3.5GHz 以上高頻通信中 LDMOS 器件的問題。但 GaN 工作在高電壓（10V 以上），在手機終端（3~5V）如何支持其正常工作還有待研究。
全球 GaN 射頻PA 產業鏈情況
氮化鎵器件的製造有兩種襯底方式，一種是 GaN-on-SiC 工藝，由 Qorvo 和其他大多數廠商採用，占比 95%以上；另一種是 GaN-on-Si，由 Macom（子公司 Nitronex）採用。在 LED產業鏈中，GaN 也有選擇藍寶石襯底路線。科銳（Cree）旗下的 Wolfspeed 是純 GaN 生產商，不生產其他材料器件；還同時是 SiC 襯底供應商龍頭，市場占比超三分之一，同德國 SiCrystal、美國 II-VI、美國 Dow Corning合計占比該市場超 90%份額。國內廠商在電力電子行業積累更為深入，在射頻領域蘇州能訊布局相對領先，有望進入基站 GaN 產業鏈。
2.6射頻集成化帶動產業鏈向頭部廠商集中
隨著 4G 時代的到來，全網通需求逐步推廣，射頻器件的難度和價值不斷提升，但手機空間有限，射頻前端出現了整合趨勢。另外頭部廠商也通過集成在向射頻各個產品線延伸。4G 時代手機射頻呈現三種主要模塊化集成方式：PAMiD 體系結構、MMMB PA+ASM 體系結構和 MMPA+TXFEM 體系結構。
4G 手機射頻前端集成情況
以現有終端為例可以看出主流機型中模塊的使用情況。小米從 M6 開始採用 PAMiD，華為的 P系列也開始採用 PAMiD。iPhone 和 Apple Watch 的集成度一向較高。
手機射頻系統的整合方式
據 Yole 統計，iPhone 8P、Apple Watch 3、Samsung Galaxy S8、HUAWEI P10、Sony XPERIA XZs、XiaoMi 6 和 Zenfone 4 中共使用了 42 個模塊產品，而這些產品全部出自 Skyworks、Avago、Murata、Qorvo、TDK 等大廠。
由於模塊化的集成方式的商業考慮和 LTE 全網通的技術趨勢，射頻行業的生態出現了較大變化，歷史上以 PA 為核心的射頻行業的價值量漸漸向 Filter+PA 的雙重點方向演進，有源和無源器件供應商開始通過併購等模式互相滲透。目前全球形成了 Skyworks、Qorvo、Avago、MuRata、Taiyo Yuden、TDK等射頻龍頭。幾家都具有了全面的射頻能力，既可以提供單一產品，也可以提供打包模組。另外，各家還在積極布局電源、RFID、WIFI、GNSS、天線等業務，力爭做到射頻解決方案的全面支持。另外，以高通為代表的基帶廠商進入前端市場，成為射頻市場的新常態。基帶晶片作為手機核心晶片之一，相對粘性大於射頻廠商。2018 年 7 月高通繼發布 5G 基帶 X50後，又發布了模組 QTM052 和 QTM56XX 系列，將 MIMO 天線都集成在了模組中，減小了射頻電路的尺寸，擁有很大吸引力。
在幾家的布局沒有完成前，模組整合中還存在合作情況。如 Skyworks 為華為供應的SkyOne PAMiD 中集成了 Taiyo Yuden 的雙工器、SAW 和 FBAR 器件。在射頻廠商完成全面的布局之前，通過補齊短板提供更完整的模塊產品成為射頻供應商的選擇之一。
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